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公开(公告)号：CN115196669B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210628855.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G9/02 , C01G19/00 , C01G39/06 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B01J27/051 , B01J27/04 , B01J35/39 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 100 min内罗丹明B的降解率达到99.5%。本发明公开了一种硫化锌‑硫化锡‑二硫化钼多元复合半导体材料，以L‑色氨酸、乙酸锌和五水四氯化锡为原料，通过第一次水热反应制备锡酸锌，再以硫代乙酰胺为硫源、钼酸铵为钼源经第二次水热反应即可制得；其微观形貌为二硫化钼呈层片状结，硫化锡和硫化锌为纳米颗粒，均匀负载于二硫化钼层片表面。其制备方法包括以下步骤：步骤1，锡酸锌Zn2SnO4的制备；步骤2，硫化锌‑硫化锡‑二硫化钼多元复合半导体材料的制备。作为降解亚甲基蓝的应用，光催化降解浓度为10 mg/L的亚甲基蓝时，在60 min内亚甲
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公开(公告)号：CN113871217B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111179993.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs衍生物PBA@Co‑Ni‑S复合材料，采用室温沉淀法，制备纳米立方体Fe‑Co‑PBA，再用十二烷基磺酸钠SDS对Fe‑Co‑PBA进行表面改性，之后在Fe‑Co‑PBA表面进行静置吸附处理负载MOF纳米片，随后进行溶剂热法硫化处理即可；Fe‑Co‑PBA起提供结构的作用；静置吸附处理，起保护材料结构、增大比表面积和提升离子传输速率的作用；硫化处理，起丰富氧化还原活性位点，提升复合材料的电导率，提升赝电容的作用。其制备方法包括以下步骤：1，Fe‑Co‑PBA材料的制备，2，静置吸附处理；3，硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为1200‑1300 F/g。
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公开(公告)号：CN116504545A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310580036.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，首先，采用室温沉淀法制备200nm的纳米立方体结构NiFe‑PBA作为一级结构；然后，通过自聚包覆处理，在NiFe‑PBA一级结构表面包覆PDA制备250nm的NiFe‑PBA/PDA作为二级结构，增强一级结构的抗腐蚀能力和增大比表面积；之后，通过静置吸附处理，在NiFe‑PBA/PDA表面负载NiMn‑LDH制备250‑280nm的NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH作为三级结构，提高离子传输速率和进一步增大比表面积；最后，采用溶剂热法，对NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH进行硒化处理即可制得250‑280nm的NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，硒化处理所起作用为获得FeSe2、Ni3Se4及MnSe2，从而增加氧化还原活性位点、提升电导率和提升赝电容。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为1400‑1500F/g；在8000次循环后，循环稳定性为80％。
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公开(公告)号：CN114373638B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210060020.2
申请日：2022-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种珊瑚状NiCoMn‑MOF材料，其原料为乙酸镍、乙酸钴、乙酸锰，1,3,5‑均苯三甲酸，十二烷基硫酸钠，通过溶剂热法，原位生长制得；所得材料的分子式为Ni2CoXMnY‑MOF（X+Y=1）；其微观结构为，由纳米棒（直径范围为80‑100 nm、长度为1μm）组成的珊瑚状NiCoMn‑MOF材料。该制备方法包括以下步骤：1.反应液的准备；2.珊瑚状NiCoMn‑MOF材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1428 F/g，在16A/g时电容保持率为73%；在2A/g条件下，3000圈充放电循环后的比电容为初始容量的83.5%。该方法具有合成过程简单易操作、低成本，产物稳定性好的优点，该合成方法适合工业化，在超级电容器领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115274310B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210956639.1
申请日：2022-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多面体结构钴硫化物负载NiGa‑LDH电极材料，以硝酸钴和2‑甲基咪唑为原料合成ZIF‑67，再用硫代乙酰胺对ZIF‑67进行硫化，将产物与硝酸镍、硝酸镓和尿素进行水热反应，即可得到微观形貌为多面体结构的钴硫化物负载镍镓双金属氢氧化物的电极材料；其由ZIF‑67经水热反应硫化后的钴硫化物多面体和在其表面原位生长的片状结构的镍镓双金属氢氧化物构成。其制备方法包括以下步骤：1，多面体结构ZIF‑67的制备；2，多面体结构钴硫化物Co3S4的制备；3，镍镓双金属氢氧化物NiGa‑LDH的原位制备和负载。作为超级电容器的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1300‑1400 F/g；8 A/g相对于1 A/g下的电容保持率达到52%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692032A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211417464.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CuCo2O4@MoNi‑LDH复合材料，由中空球状CuCo2O4以及纳米片状的MoNi‑LDH构成，具有二级结构；CuCo2O4为基体材料，MoNi‑LDH在CuCo2O4表面进行包覆。CuCo2O4的制备方法为先采用水热法制备球状Cu‑Co‑gly，然后将Cu‑Co‑gly灼烧形成；MoNi‑LDH的制备方法为，采用水热法在CuCo2O4表面原位制备形成纳米片，并实现负载。具体制备方法包括以下步骤：1，CuCo2O4的制备；2，CuCo2O4@MoNi‑LDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1200‑1300 F/g；在6000次循环后，循环稳定性为88%。具有优良的材料稳定性能和优良的离子传输能力。
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公开(公告)号：CN115196669A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210628855.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G9/02 , C01G19/00 , C01G39/06 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B01J27/051 , B01J27/04 , B01J35/00 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种硫化锌‑硫化锡‑二硫化钼多元复合半导体材料，以L‑色氨酸、乙酸锌和五水四氯化锡为原料，通过第一次水热反应制备锡酸锌，再以硫代乙酰胺为硫源、钼酸铵为钼源经第二次水热反应即可制得；其微观形貌为二硫化钼呈层片状结，硫化锡和硫化锌为纳米颗粒，均匀负载于二硫化钼层片表面。其制备方法包括以下步骤：步骤1，锡酸锌Zn2SnO4的制备；步骤2，硫化锌‑硫化锡‑二硫化钼多元复合半导体材料的制备。作为降解亚甲基蓝的应用，光催化降解浓度为10 mg/L的亚甲基蓝时，在60 min内亚甲基蓝的降解率达到90.6‑98.7%，其降解速率为0.0366‑0.0994 min‑1。作为降解罗丹明B的应用，光催化降解浓度为10 mg/L的罗丹明B时，在100 min内罗丹明B的降解率达到99.5%。
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公开(公告)号：CN114870874A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210502981.4
申请日：2022-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化石墨烯的掺氮多孔碳包覆嵌钌磷化钴复合材料，以氧化石墨烯、钴盐、钌盐和有机配体以及氮源为原料，经水热法得到钌钴双金属有机骨架/氧化石墨烯复合物，再通过与磷源进行煅烧，实现磷化和碳化，即可制得。其中，氧化石墨烯为载体，钴盐、钌盐和有机配体构建钌钴双金属有机骨架，氮源引入氮元素，磷源提供磷元素。其微观形貌具有层状褶皱结构，纳米颗粒均匀分散于氧化石墨烯上。作为氨硼烷水解制氢方面的催化应用，析氢转化率为100‑1000 molH2·molRu–1·min–1，产氢速率为3‑24×104 mL·min–1·gRu–1，放氢量为理论值的80‑90%，催化放氢的活化能为Ea=20‑25 kJ·mol–1；在298 K条件下，5次循环后，保持80‑85%的初始催化活性。
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公开(公告)号：CN114743810A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210357373.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种GO‑NiCoS‑NiMoLDH复合材料，由氧化石墨烯GO、片状NiCo2S4和纳米花状NiMoLDH构成；其中，GO为基体材料，微观形貌为纳米片结构，作用是导电基底利于电子的超高速输运；NiCo2S4的微观结构为纳米片结构，负载于GO的表面，作用是提供额外赝电容；NiMoLDH的微观结构为纳米片结构，嵌于NiCo2S4纳米片结构的表面，作用是增大NiCo2S4的比表面积；其制备方法为两步水热法，步骤1，GO‑NiCo2S4的制备；步骤2，GO‑NiCoS‑NiMoLDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A g‑1时，比电容为1300‑1400 F g‑1；在放电电流密度为20A g‑1时，在3000圈循环后的循环稳定性为100%。具有以下优点：形成由纳米片组成纳米花的分层结构避免纳米片的聚集；NiCo2S4和NiMoLDH之间还存在协同作用。
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公开(公告)号：CN114700105A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210531744.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Co‑Mo‑B/N‑PCN复合纳米材料，以聚丙烯腈和聚苯乙烯为原料，经静电纺丝和煅烧得到氮掺杂多孔碳纳米纤维N‑PCN载体，然后，将可溶性钼盐和可溶性钴盐通过硼氢化钠溶液原位还原到N‑PCN载体上，最后，进行冷冻干燥即可制得。具有非晶态结构，其比表面积为60‑110 m2·g‑1；介孔尺寸为10‑18nm。具有磁性，能被磁铁吸引，可以通过磁性进行回收循环利用，回收率为99.6‑100%。其制备方法包括以下步骤：1，氮掺杂多孔碳纳米纤维载体的制备；2，Co‑Mo‑B/N‑PCN复合纳米材料的制备；3，Co‑Mo‑B/N‑PCN复合纳米材料的冷冻干燥。作为硼氢化物水解制氢催化剂的应用，水解放氢速率为2500‑3500 mol·mL‑1·g‑1；活化能Ea为30‑38 kJ·mol‑1。磁力回收、5次循环回收率达到80%，保持初次产氢速率的70‑90%。
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