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公开(公告)号：CN101235484A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810101468.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半金属四氧化三铁薄膜的制备方法，属于磁性薄膜制备技术领域。本发明所提供的方法，利用磁控溅射设备，采用陶瓷Fe2O3作为靶材，加热衬底至500～700℃，向真空室中通入H2与Ar的混合气体作为工作气体，利用质量流量计保持H2与Ar的质量比为0.1～0.15，起辉后，保持溅射气压为0.5～1Pa，溅射功率100W，可根据需要，通过控制沉积时间控制膜厚度。本发明具有成本低，不需要高温度，对烧结设备要求较低，有利于Fe3O4薄膜的大规模生产等优点。
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公开(公告)号：CN100347343C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510114853.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15%～80%的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。
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公开(公告)号：CN109682865B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910010883.7
申请日：2019-01-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法。将柠檬酸钠碱性水溶液与氯化亚锡乙醇溶液混合，置于反应釜中加热至180℃反应12小时，产物洗涤干燥后得到花状四氧化三锡粉末。将其分散至去离子水中，加入氯金酸溶液，利用四氧化三锡自身的还原性将其还原为金纳米颗粒，搅拌后清洗产物并干燥。最后经煅烧处理后得到负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料。本发明方法简单、反应条件温和、可工业化，制备的二氧化锡纳米花尺寸均匀，比表面积高。本发明与传统方法相比简化了实验步骤并节约了成本，负载的金颗粒尺寸小、分布均匀且无团聚。负载金颗粒后二氧化锡纳米花对乙醇表现出更优异的气敏性能。
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公开(公告)号：CN109825843B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/052 , C25B11/075 , C30B28/14 , C30B29/40 , C30B29/62 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm，长度为4‑30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108611679A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810319100.9
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，在不使用任何催化剂条件下，以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉，工艺简单，以抛光石墨为衬底，金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中，调节反应气压为30Pa-50Pa；反应温度为825℃-875℃；N2流速10-40cm3/min；H2流速5-10厘米cm3/min；射频电源功率80W-120W，反应1-3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线，具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。
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公开(公告)号：CN106007695B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610266875.5
申请日：2016-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/26
Abstract: 一种利用前驱体水热处理NFO‑PZT‑BFO复合多铁材料一次性合成的方法，属于复合多铁材料领域。主要工艺流程为，按照水热法的条件为：温度为160～200℃、矿化剂KOH的浓度为2～8mol/L的条件下反应18h，可得到具有高活性三相混合物前驱体，然后，将此前驱体在650～800℃温度下煅烧12h小时，即可一次性合成上述xNiFe2O4‑yPb(Zr0.52Ti0.48)O3‑(1‑x‑y)BiFeO3三相多铁性复合材料，本发明能够获得更为细小的粉体颗粒。
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公开(公告)号：CN104674187B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103367474B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN103213940B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310084326.2
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。
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