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公开(公告)号：CN117690688A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311699831.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开一种无接触高温超导磁体励磁装置，涉及高温超导磁体励磁领域，装置包括超导磁体、励磁线圈、励磁电路、升压模块和直流电源；所述超导磁体和所述励磁线圈均为空腔柱体；所述超导磁体和所述励磁线圈穿套设置；所述励磁线圈、所述励磁电路、所述升压模块和所述直流电源依次连接。本发明可减少超导磁体漏磁，降低磁体组装复杂度。
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公开(公告)号：CN117177648A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311114694.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/853 , H02N11/00 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种可穿戴高性能供电器件及制备方法，属于微能源技术领域。本发明涉及到的可穿戴高性能供电器件为三明治结构，由热电器件、相变材料和热界面材料组成，热界面材料贴合在热电器件热端，与皮肤直接接触；相变材料贴合在热电器件冷端，置于周围环境中；热电器件通过人体体温和环境之间的温差，即可进行发电。热电器件中n型材料采用新型Mg3SbBi基热电材料，材料不仅性能高，且成本低。相变材料选用正十八烷为基础成分，通过添加其他成分调控相变温度和导热性能。所制备的供电器件可紧密与皮肤贴合，相变材料可增大并保持人体与环境之间的温差，提高器件输出性能，且具有成本低，环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN114221191B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210007471.X
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及连接超导线。本发明在裸露的超导层表面形成分散的银纳米颗粒，所述分散的银纳米颗粒周围具有空隙，配合银较高的氧扩散系数，在不破坏超导层结构完整性的前提下能够提供大量的快速氧扩散通道，有利于连接接头超导性能的恢复；本发明通过熔融扩散焊接的方式形成连接接头，熔融扩散焊接过程中，接头处的超导层失去超导性；本发明在含氧条件下，对所述连接接头进行热处理，在热处理的过程中，超导层进行充氧，提高超导层成分的含氧量，恢复其超导电性。同时，银在高温下变软并具有粘性的特点，将银纳米颗粒当作一种粘接剂，能够提高超导层界面的连接强度。
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公开(公告)号：CN114388259B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210037012.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/094 , H01F6/06
Abstract: 本发明涉及一种无接头多饼线圈绕线机。该绕线机包括第一绕线装置、第二绕线装置、张力传感器、控制器以及桌台架；所述第一绕线装置与所述第二绕线装置结构相同，且相对设置；所述张力传感器与所述控制器连接，并压在超导带材上；所述张力传感器用于测量超导带材的张力，并将所述张力发送至所述控制器；所述控制器、所述第一绕线装置以及第二绕线装置均设置在所述桌台架上；所述控制器用于在绕制过程中根据所述张力对所述第一绕线装置与所述第二绕线装置进行张力控制，并调节所述第一绕线装置与所述第二绕线装置绕线的相对位置。本发明能够实现无接头多饼线圈的绕制。
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公开(公告)号：CN116646792A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310771702.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明公开了一种稀土钡铜氧涂层导体的扩散连接装置，涉及超导电工技术领域，包括底板、电极、底座、加热组件、盖板、压块和热电偶，底座安装在底板上，底座上设有用于安装加热组件的凹槽，加热组件包括上下对称设置的两个加热单元；加热单元包括依次叠放的隔热底板、加热片和隔热盖板，隔热盖板内嵌有均热片；电极与两个加热片连接用于加热加热片；两个加热单元之间用于放置稀土钡铜氧涂层导体；热电偶与两个均热片接触；盖板底端设置与凹槽配合的凸块，凸块下表面设有加热槽，盖板上设有与压块配合的通孔。本发明能够实现快速精确的控温过程，加热区域温场均匀，缓解高温过程对涂层导体超导性能的负面影响，降低接头电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116632619A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310772664.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种稀土钡铜氧带材的超导连接方法，属于超导材料制备技术领域。本发明提供的稀土钡铜氧带材的超导连接方法，采用低熔点的REBCO超导层作为连接体，并将其插入到具有高熔点REBCO超导层的带材之间实现超导接头，相比传统的连接方式可以降低热处理温度对带材的影响，促进REBCO超导层界面形成连接，工艺条件的容错率更高，从而能够有效地提高超导接头的性能；制备方法简单，对于工艺要求比较低，容易操作。实施例的结果显示，本发明提供方法制备的超导连接的稀土钡铜氧带材具有很好的超导性能，同时接头有更高的机械强度。
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公开(公告)号：CN110660898B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910956453.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/10
Abstract: 本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。
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公开(公告)号：CN111349902B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010371633.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜，所得热电薄膜具有二维空间结构，热导率低；同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应，从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底，其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度，能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长，最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加，其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶，所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂，沉积的薄膜成分非常均匀。
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公开(公告)号：CN114221191A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210007471.X
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及连接超导线。本发明在裸露的超导层表面形成分散的银纳米颗粒，所述分散的银纳米颗粒周围具有空隙，配合银较高的氧扩散系数，在不破坏超导层结构完整性的前提下能够提供大量的快速氧扩散通道，有利于连接接头超导性能的恢复；本发明通过熔融扩散焊接的方式形成连接接头，熔融扩散焊接过程中，接头处的超导层失去超导性；本发明在含氧条件下，对所述连接接头进行热处理，在热处理的过程中，超导层进行充氧，提高超导层成分的含氧量，恢复其超导电性。同时，银在高温下变软并具有粘性的特点，将银纳米颗粒当作一种粘接剂，能够提高超导层界面的连接强度。
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公开(公告)号：CN111270214B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010223363.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 郑州科之诚机床工具有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数；本发明在半导体材料基片附近设置热丝，热丝产生的高温辐射对氮化铝薄膜进行快速热处理，能够提高薄膜的结晶程度。因此，本发明提供的方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向氮化铝薄膜，得到的氮化铝薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数，能够作为芯片材料在声表面波器件或体声波器件中应用。
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