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公开(公告)号：CN118017963A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410104774.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬空型的兰姆波器件，通过使用非极化a面氮化铝(AlN的C轴位于器件平面)，基于声表面波的电极结构激发S0模式即可达到与传统FBAR结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于AlN的高声速能够形成高频器件。并通过在悬空的AlN两侧沉积介质层，可以有效抑制其他的杂散模式。
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公开(公告)号：CN116401995B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310355365.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F30/23
Abstract: 本申请实施例提供一种声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：对声表面波器件进行建模，得到声表面波器件模型；针对多个预设频率中的每个预设频率，执行：基于预设频率对核心单元模型进行解析处理，得到核心单元模型的系统矩阵方程；对系统矩阵方程中的各项参数进行分类和重排处理，得到核心单元模型的初始目标矩阵方程；基于核心单元模型的初始目标矩阵方程确定目标矩阵方程；基于目标矩阵方程确定预设频率下声表面波器件的导纳；基于声表面波器件的导纳，确定声表面波器件导纳的频率响应有限元仿真曲线。通过本申请实施例提供的一种声表面波器件的仿真方法，可以加速计算过程，并且减少计算机资源占用和仿真时间。
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公开(公告)号：CN114362709B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111467176.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等，该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播，将能量约束在衬底上方压电薄膜上表面处，从而减少了声波能量向衬底的泄漏，可以提高器件的品质因数，并拓宽了谐振器工作模式的选择范围，提高了工作频率和带宽。
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公开(公告)号：CN114337583B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111466558.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电薄膜区域形成准驻波。且该叉指换能器包括叉指电极区域，叉指电极区域包括叉指电极对，后续可以通过对叉指电极的尺寸进行调节，从而使使每对叉指电极对的菲涅尔区可以包括整个谐振器，实现抑制衍射效应的效果，提高了该器件的品质因数。
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公开(公告)号：CN111217359B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811403473.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116633304A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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公开(公告)号：CN115664370A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211243754.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及器件制备技术领域，提供了一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路，多传输零点的板波滤波器包括依次级联的并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器中存在至少两个谐振器的板波模式的面内传输方向不同，串联谐振器的反谐振点与并联谐振器的谐振点构成多个零点位置；面内传输方向为谐振器中叉指电极的法线方向；谐振器自上而下依次包括电极组件、压电薄膜和支撑衬底；压电薄膜与支撑衬底之间具有用于将谐振器的板波模式的能量约束在板波滤波器内的悬空结构，并联谐振器和串联谐振器所激发的声波模式均相同。通过设置不同面内传输方向的谐振器，可以大幅度调整谐振器的机电耦合系数，进而更灵活地实现多传输零点的板波滤波器。
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公开(公告)号：CN115296636A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN114362710A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
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