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公开(公告)号：CN115491764B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211213382.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
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公开(公告)号：CN114047556B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111348894.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该磁力探测头包括：金刚石NV色心系综样品，其为毫米级块状结构、内部阵列设置多个用于冷媒流通的微流道，各微流道的一端与用于冷媒入口的冷媒管密封连接、另一端与用于冷媒出口的冷媒管密封连接；微波天线，设置在金刚石NV色心系综样品表面，用于与微波源连接；光纤，与金刚石NV色心系综样品的一端面连接、且避开冷媒管所在的端面。本发明能够通过在毫米级的金刚石NV色心系综样品内部设置用于冷媒流通的微流道，可通过在微流道内部通入冷媒，降低金刚石NV色心系综样品的整体温度，提高探测灵敏度。(56)对比文件盛百城等.碳化硅衬底外延石墨烯.半导体技术.2019,第44卷(第08期),第635-640页.宁伟光;张扬;李中豪;唐军.金刚石NV~-色心系综自旋相干动力学解耦.量子光学学报.2019,第25卷(第02期),第215-220页.林朝东;王芳;张少文;王生毅;高健.Ib型金刚石NV色心系综的制备及磁检测.微纳电子技术.2017,第55卷(第01期),第45-50页.王凯悦;郭睿昂;王宏兴.金刚石氮-空位缺陷发光的温度依赖性.物理学报.2020,第69卷(第12期),第328-335页.
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公开(公告)号：CN117374129A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311280882.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , G01R31/26 , H01L23/48 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供一种太赫兹肖特基二极管芯片及其制备方法、测试方法，属于太赫兹芯片技术领域。本发明能够通过在太赫兹肖特基二极管芯片电极层的侧面设置带凹槽的悬空梁式引线，梁式引线与电极层电连接，可实现在测试芯片时，芯片的电极层通过梁式引线与外部电连接，避免电极层与测试探针直接接触；进一步的，在梁式引线上跨越外延层边缘的位置设置易断的凹槽结构，梁式引线在外延层边缘区域之外的部分悬空；在测试后，可通过外力使梁式引线在凹槽处断裂，以去除悬空部分的梁式引线。本发明实施例避免在测试时测试探针直接接触电极表面，减小了测试过程对电极表面的损伤。
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公开(公告)号：CN111129295B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911242574.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明适用于相变射频开关器件技术领域，提供了一种相变射频开关制造方法，该方法包括：通过在预设半导体绝缘衬底上制备半导体加热电阻，并在半导体加热电阻的两端分别制备电阻加电电极，获得第一样品；在除电阻加电电极之外的第一样品的表面制备隔离层，在隔离层上半导体加热电阻对应位置处制备相变材料薄膜，并在相变材料薄膜的两端分别制备接触电极，获得第二样品，电阻加电电极的方向与接触电极的方向相互垂直；在第二样品的表面制备钝化层，获得相变射频开关。本发明实施例中的相变射频开关是采用半导体材料制作开态关态触发电阻加热器，从而可以提高相变开关可靠性，简化工艺，同时还可以降低相变射频开关集成芯片的工艺成本。
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公开(公告)号：CN110808207B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911106728.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/285 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅及其制备方法。所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅帽的下表面与中间介质钝化层的上表面接触。本发明提供的T型纳米栅的栅根悬空，不与钝化介质接触，栅帽覆盖于中间介质钝化层上，不但避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，同时也可以减小栅寄生电容，达到了提升器件的频率特性的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116716591A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310637288.2
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/04
Abstract: 本申请适用于金刚石技术领域，提供了尤其涉及钼托结构和金刚石制备方法。该钼托结构包括钼托本体，所述钼托本体呈圆柱体结构，在所述钼托本体的上表面上开设有多个圆环状凹槽，所述多个圆环状凹槽依次嵌套；由所述钼托本体的上表面的中部到边缘的方向上，相邻的两个圆环状凹槽之间的距离变大。本申请通过对钼托结构的凹槽形状进行设计，优化单晶金刚石衬底温度均匀性，最终有效抑制单晶衬底边缘的温度过高现象，从而获得高外延质量的单晶金刚石外延片。
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公开(公告)号：CN116683261A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310549280.0
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石色心微波激射器及其制备方法。本发明通过设置阵列式的金刚石色心柱、激光二极管、蓝宝石谐振腔、铜谐振腔和微波天线，构成阵列式的金刚石色心微波激射器。各阵列单元的金刚石色心柱可在外部磁场作用下实现能级偏转，在激光激化下产生粒子数反转，在微波天线接收的外部微波粒子作用下产生受激辐射，并经蓝宝石谐振腔、铜谐振腔谐振后实现雪崩式的微波粒子放大。各阵列单元的出射功率累加，增大了金刚石色心微波激射器的微波出射功率。
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公开(公告)号：CN116613159A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310587065.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/86 , H01L21/8252 , H01L21/329 , H03G11/02
Abstract: 本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
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公开(公告)号：CN107181467B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710392372.7
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN116359807A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310315128.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁力探测装置及系统，该装置包括：三个两两互相垂直的探测模块、光纤、微波模块和荧光传输模块，每个探测模块包括两个磁通量聚集器、金刚石样品、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光片和光电探测器，金刚石样品为NV色心系综，两个磁通量聚集器分别与金刚石样品的上表面和下表面接触放置，第一聚焦镜和第二聚焦镜分别设于金刚石样品的两侧，金刚石样品与微波模块相连，光纤中的激光通过第一聚焦镜聚焦在金刚石样品上，金刚石样品在激光和微波模块提供的微波的作用下产生的荧光被第二聚焦镜收集后经过滤光片，并通过光电探测器导入荧光传输模块。本申请能够实现矢量磁场的实时探测。
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