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公开(公告)号：CN114664830A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111445439.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了性能和可靠性改善的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：导电线，所述导电线在衬底上在第一方向上延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单元沟槽，并且位于所述衬底上；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述第一方向上彼此间隔开并且均在所述第二方向上延伸，并且位于所述单元沟槽内部；沟道层，所述沟道层位于所述单元沟槽内部并电连接到所述导电线，并且位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述沟道层之间以及所述第二栅电极和所述沟道层之间。
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公开(公告)号：CN114446990A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111276609.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568
Abstract: 提供一种具有改善的电特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，其在第一方向上与衬底分离；第一栅极结构，其在第一方向上延伸并穿透第一半导体图案；第一导电连接线，其连接至第一半导体图案并在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及第二导电连接线，其连接至第一半导体图案。第一栅极结构位于第一导电连接线和第二导电连接线之间，第一栅极结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，且第一栅极绝缘膜包括与第一半导体图案接触的第一电荷保持膜。
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公开(公告)号：CN114300453A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110819494.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 根据本发明构思的半导体存储器装置包括：半导体基底；共源极半导体层，掺杂有第一导电类型的杂质，位于半导体基底上；多个绝缘层和多个字线结构，交替堆叠在共源极半导体层上；存储器单元介电层，穿透所述多个绝缘层和所述多个字线结构，并且覆盖在竖直方向上延伸的沟道孔的内壁；以及存储器单元结构，填充沟道孔。存储器单元结构包括沟道层和漏极层，在沟道层上设置有存储器单元介电层，沟道层填充沟道孔的至少一部分，并且漏极层覆盖沟道层的上表面，掺杂有第二导电类型的杂质，并填充沟道孔的上部的一部分。
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公开(公告)号：CN113972234A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110578100.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 一种垂直可变电阻存储器件，包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼(BN)；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN112071849A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010320593.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括在衬底上的栅电极。栅电极在垂直方向上彼此间隔开。沟道穿透栅电极并在垂直方向上延伸。隧道绝缘图案形成在沟道的外侧壁上。电荷俘获图案结构形成在隧道绝缘图案的在水平方向上邻近栅电极的外侧壁上。电荷俘获图案结构包括上电荷俘获图案和下电荷俘获图案。阻挡图案形成在邻近的栅电极中的每个和电荷俘获图案结构之间。上电荷俘获图案的上表面高于邻近的栅电极的上表面。下电荷俘获图案的下表面低于邻近的栅电极的下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952312A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411506.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体结构，包括基底和电路元件；和第二半导体结构，连接到第一半导体结构。第二半导体结构包括基体层、第一存储器单元结构、第二存储器单元结构以及在第一存储器单元结构与第二存储器单元结构之间的共位线。第一存储器单元结构包括第一栅电极、第一沟道结构和第一串选择沟道结构。第二存储器单元结构包括第二栅电极、第二沟道结构、第二串选择沟道结构以及在第二沟道结构与第二串选择沟道结构之间的连接区域。第一存储器单元结构还包括在共位线与第一串选择沟道结构之间的第一沟道垫，并且第二存储器单元结构还包括沿共位线延伸的第二沟道垫。
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公开(公告)号：CN111724850A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010008983.9
申请日：2020-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供三维半导体存储器装置及操作其的方法。一种三维半导体存储器装置包括多个字线块，所述多个字线块包括并联连接在位线与共源极线之间的多个单元串。所述多个单元串中的每个包括：多个存储器单元晶体管，沿垂直方向堆叠在基底上；多个地选择晶体管，串联连接在所述多个存储器单元晶体管与基底之间；以及串选择晶体管，位于所述多个存储器单元晶体管与位线之间。在所述多个单元串中的每个中，所述多个地选择晶体管中的至少一个具有第一阈值电压，并且所述多个地选择晶体管中的其余的地选择晶体管具有与第一阈值电压不同的第二阈值电压。
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公开(公告)号：CN106802780B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710083461.3
申请日：2012-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/14
Abstract: 提供一种移动终端及用于该移动终端的对象改变支持方法。所述移动终端包括：显示单元，用于输出至少一个对象；控制单元，控制以下操作中的至少一个：响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，直接将第二对象显示在显示单元上，而不使用屏幕转换；以及响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，将引导帧输出到显示单元上，以便于改变输出的对象，而不使用屏幕转换。
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公开(公告)号：CN110718260A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910248608.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储装置及其写入数据、擦除数据的方法。在非易失性存储装置的写入数据的方法中，所述非易失性存储装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个单元串包括沿垂直方向布置的多个存储单元。编程目标页被划分为多个子页。编程目标页与多个字线中的一个字线连接。所述多个子页中的每一个子页包括彼此物理上间隔开的存储单元。对所述多个子页顺序地执行编程操作。对包括所述多个子页的编程目标页同时执行编程验证操作。
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公开(公告)号：CN110634881A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910278428.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括导电图案结构、存储器层、柱结构以及第二绝缘图案和第三绝缘图案。导电图案结构包括导电图案和绝缘层，并且可包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分的侧壁突出的第二部分。导电图案结构布置在与第一方向垂直的第二方向上以在其间形成沟槽。存储器层形成在导电图案结构的侧壁上。沟槽中的均包括形成在存储器层上的沟道图案和第一绝缘图案的柱结构在第一方向上彼此分隔开。第二绝缘图案形成在柱结构之间。第三绝缘图案形成在一些柱结构之间并且具有与第二绝缘图案的形状不同的形状。
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