-
公开(公告)号：CN114833048B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111319682.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 山崎修
Abstract: 本发明提供一种加热处理装置，能够迅速且均匀地对经加热的工件进行冷却。实施方式的加热处理装置包括：腔室；支撑部，设在所述腔室的内部，能支撑工件；加热部，设在所述腔室的内部，能对所述工件进行加热；以及至少一个第一喷嘴，设在所述腔室的内部，能对所述工件供给冷却气体。从垂直于所述工件的面的方向观察时，所述第一喷嘴设在不与所述工件重合的位置。所述第一喷嘴相对于所述工件的被供给所述冷却气体的面而倾斜。
-
公开(公告)号：CN112447555B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010855310.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 宫川彻
Abstract: 本发明提供一种电子零件的安装装置，其可将电子零件无偏移且效率良好地安装到整个安装区域。安装装置(1)包括：平台移动机构(22)，使平台(21)移动，以便对支撑于平台(21)的基板(W)的位置进行识别的第一识别部及第二识别部能够识别共同的标记；识别误差修正数据算出部(54)，基于第一识别部及第二识别部所识别的共同的标记的位置，算出用于对第一识别部与第二识别部之间的识别误差进行修正的识别误差修正数据；以及修正部(55)，基于识别误差修正数据，对电子零件(t)相对于由第一安装头(43A)或第二安装头(43B)进行安装的安装位置(ap)的定位位置进行修正。
-
公开(公告)号：CN114182227B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111063274.1
申请日：2021-09-10
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种减少凸起的产生同时获得膜厚分布的均匀性的成膜装置。本实施方式的成膜装置包括：腔室；旋转台，沿着圆周的搬运路径循环搬运工件；多个靶材，包含成膜材料而形成，且设置于距旋转台的旋转中心的半径方向的距离不同的位置上；屏蔽构件，形成包围成膜材料飞散的区域的成膜室，且在与循环搬运的工件相向的一侧具有开口；以及等离子体发生器，具有向成膜室导入溅射气体的溅射气体导入部及向靶材施加电力的电源部，且使成膜室内的溅射气体产生等离子体，关于工件经由开口而暴露于成膜材料的时间，相较于与距旋转中心最远的靶材相向的区域，与距旋转中心最近的靶材相向的区域短。
-
公开(公告)号：CN117810075A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311178203.5
申请日：2023-09-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在将组成元素不同的层层叠，并对包含其中一种元素的层进行各向同性蚀刻的情况下可提高相对于另一种元素而言的其中一种元素的选择比的半导体装置的制造方法及等离子体处理装置。制造方法包括如下工序：在层叠体的包含侧面的表面形成保护膜，层叠体层叠有第一层以及组成元素与第一层不同的第二层；以及对形成有保护膜的层叠体进行各向同性蚀刻。形成保护膜的工序是使用利用等离子体激励第一气体并使其活化而生成的第一自由基来进行。对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是使用利用等离子体激励与第一气体不同的第二气体并使其活化而生成的第二自由基来进行。形成保护膜的工序与对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是在相同的气氛内进行。
-
公开(公告)号：CN117802459A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311256792.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 大塚博司
Abstract: 本发明提供一种可对多个成膜对象物同时进行基于均匀膜厚分布的成膜的成膜装置。实施方式的成膜装置具有：自公转单元，使托盘以轴部为中心公转，并且随着轴部的旋转而使托盘以支撑托盘的支撑轴为中心自转；推动器单元，设置成能够与自公转单元接触/分离，通过与自公转单元接触并施力，而使自公转单元从搬送体分离并使其在收容位置与离开位置之间移动，所述收容位置是将搭载有工件的托盘收容于成膜室的位置，所述离开位置是通过远离自公转单元而使自公转单元搭载于搬送体并使其离开成膜室的位置；及旋转单元，通过在将搭载有工件的托盘收容于成膜室的状态下使轴部旋转，而使托盘在公转的同时自转。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117732823A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311167620.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明抑制清洗液进入门的内部空间。实施方式的晶片收纳容器清洗装置为对晶片收纳容器的门进行清洗的晶片收纳容器清洗装置，所述晶片收纳容器的门在其中一面具有钥匙孔，所述钥匙孔通过在插入了闩锁钥匙的状态下旋转而能够切换与晶片收纳容器主体的锁定/解锁，在侧面形成有在所述锁定时供闩锁能够突出的突出用孔，所述晶片收纳容器清洗装置包括：门保持部，对所述门进行保持；清洗液喷嘴，对所述门的另一面供给清洗液；以及气体喷嘴，在至少从所述清洗液喷嘴向所述门供给所述清洗液时，产生阻碍所述清洗液从所述突出用孔侵入的气体的流动。
-
公开(公告)号：CN117732798A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310990420.8
申请日：2023-08-08
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社 , 铠侠股份有限公司
Abstract: 实施方式的基板处理装置及基板的处理方法是使形成于基板的表面的液膜冻结而形成冻结膜，来将附着于所述基板的表面的污染物收进所述冻结膜中的基板处理装置。所述基板处理装置包括：载置部，能够使所述基板旋转；液体供给部，具有喷嘴，能够经由所述喷嘴向包含所述污染物的所述冻结膜供给液体；移动部，能够使与所述基板的表面平行的方向上的所述喷嘴的位置移动；以及控制器，能够对利用所述载置部进行的所述基板的旋转、利用所述液体供给部进行的所述液体的供给、及利用所述移动部进行的所述喷嘴的移动进行控制。
-
公开(公告)号：CN117507635A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310848012.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: B41J3/60 , B41J3/407 , B41J2/01 , B41J11/00 , B41J3/54 , B41J29/393 , B41J3/01 , B41M1/26 , B41M5/00 , B41F17/36
Abstract: 本发明提供一种片剂印刷装置及片剂印刷方法，能够提高对以码印刷有信息的片剂进行检查的检查精度。实施方式的片剂印刷装置包括：印刷头，在片剂上进行印刷；控制装置(40)，对印刷头进行控制；以及拍摄装置，对利用印刷头进行了印刷的片剂进行拍摄，控制装置(40)对印刷头进行控制，以印刷基于原始数据生成的码，并判定从利用拍摄装置获得的图像所包含的码中读出的数据与原始数据是否一致。
-
公开(公告)号：CN111106037B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201911028600.8
申请日：2019-10-28
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电子零件的破损的拾取装置及安装装置。实施方式的拾取装置具有：拾取部，拾取贴附于粘着片的电子零件；以及支承部，与粘着片的和电子零件为相反侧的一面相向地设置，支承部具有：吸附面，吸附保持粘着片；挤压部，与共同的轴呈同轴的嵌套状地配设有多个挤压体，所述多个挤压体设置成在吸附面内沿着共同的轴而可移动，且外形的大小不同；驱动机构，进行挤压动作及远离动作，所述挤压动作使挤压部移动而利用所有挤压体挤压粘着片，所述远离动作使挤压体依次向远离方向移动；以及转换机构，设于驱动机构，将沿着共同的轴移动的单一的驱动构件的动作转换为多个挤压体的远离动作。
-
公开(公告)号：CN116895559A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310311081.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/50 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种接触位置设置装置、安装装置及接触位置设定方法，可抑制偏移地设定用于保持部与接触对象接触的接触基准高度位置。接触位置设定装置具有：驱动机构，使抽吸保持电子零件的保持部在与接触对象接触分离的方向上移动；接触检测部，检测保持部与接触对象的接触；停止控制部，当由接触检测部检测出接触时，使保持部的移动停止；脱离检测部，使检测出接触并由停止控制部停止的保持部向自接触对象脱离的方向移动，基于此时的由压力检测部检测出的抽吸压力的变化，检测保持部自接触对象的脱离；以及基准位置设定部，基于在由脱离检测部检测出脱离时由位置检测部检测出的保持部的高度位置，设定保持部相对于接触对象的接触基准高度位置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
254
records
(took 0.038 seconds)
