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公开(公告)号：CN119690200A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411739703.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于线性反馈移位寄存器的啁啾数字信号生成方法，首先根据目标配置信号，配置各啁啾信号有效时段的起止频率控制字、信号变化率控制字；然后顺序针对单周期中的各时段，随时间步依次对频率控制字FCW、相位控制字PCW实现逐次累加，并结合线性反馈移位寄存器的相位抖动伪随机值，同步对相位控制字PCW进行叠加，最后执行查表、以及补码操作，获得逐次输出的幅值信号形成时段信号，由各时段信号高效构成单周期目标啁啾数字信号；同时设计了相应系统，设计方案提供了更高的频谱性能，并且在不显著增加硬件资源的情况下，实现了复杂的多段线性调频信号的生成，增强了直接频率综合器的灵活配置能力。
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公开(公告)号：CN119674515A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510200334.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明是一种应用于可穿戴领域的全织物三频段三模式共口径天线，该包括上层的NFC天线（3）、体表工作模式天线（4）和体外工作模式天线（5），中间层的织物基底（1）以及底层由导电布制成的金属地（2）；所述的织物基底（1）中具有外金属过孔对（6）和内金属过孔对（7），所述的金属地（2）是由金属圆环构成，所述的金属地（2）与体表工作模式天线（4）之间设有环形金属壁（8），该环形金属壁（8）位于织物基底（1）中，该共口径天线，在同一口径集成了三种不同工作模式的天线，同时具有单层、柔性、透气等特点，为未来高度集成化的可穿戴设备提供了一个有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN119311064A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411402623.1
申请日：2024-10-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，属于稳压电路领域，包括包括基准电压产生单元、辅助上拉单元、主调整单元和辅助下拉单元。本发明采用高压MOS器件实现无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，能够减小芯片面积，提高电路的瞬态响应速度，为驱动级电路提供稳定的电压。
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公开(公告)号：CN114938135B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210445598.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于降压变换器的多模式有源瞬态响应控制方法，降压变换器包括基本拓扑功率级和控制级；基本拓扑功率级包括输入电源Vin、上管MOS1、下管MOS2、电感L和其寄生电阻RL、输出电容CO和负载RO；控制级包括控制器和ATR控制模块。通过检测输出电压的大小，斜率和平均相电流通过一种比较算法产生有源瞬态响应控制信号。本发明相较于传统的有源瞬态响应控制方法能够更快速的稳定负载从重载切为轻载时产生的输出电压过冲。
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公开(公告)号：CN115360231B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211039857.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990965B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111230806.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。
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公开(公告)号：CN117153693A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311096525.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、低导通电阻ITO薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S10、获取衬底；S20、在所述衬底上形成栅极；S30、在所述栅极上形成栅氧；S40、在所述栅氧上形成ITO有源层；S50、在所述ITO有源层一侧形成ITO阶梯层；S60、在所述ITO阶梯层上形成漏极；在所述ITO有源层未设置ITO阶梯层的一侧形成源极。本发明通过拉偏漏极和栅极之间的水平距离，显著提高了ITO薄膜晶体管的击穿电压；同时引入ITO阶梯层，利用ITO材料电流能力易受厚度调控的特点，降低非交叠区域ITO沟道导通电阻，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系。
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公开(公告)号：CN113764173B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111202503.3
申请日：2021-10-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成Y电容的平面变压器，涉及电磁兼容和磁性元器件设计领域。一次侧绕组与二次侧绕组交错排列，其寄生电容改善了二次侧整流二极管的噪声传导路径。辅助绕组一端与原边地相连，另一端悬空，与二次侧绕组形成集成Y电容(CY)，改善了一次侧开关管和二次侧整流二极管的噪声传导路径。本发明在保持完全交叉换位结构平面变压器低漏感、高效率优点的前提下，利用了一次侧绕组与二次侧绕组之间的寄生电容，使其成为了引导噪声的低阻抗路径，几乎消除了级间电容带来的不利影响，可以有效减小开关电源对外的传导噪声干扰。同时通过将Y电容集成，可以进一步减小开关电源的面积，有利于开关电源的小型化，提高了开关电源的功率密度。
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公开(公告)号：CN116525612A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310553782.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/02 , H01L23/538 , H02M1/00 , H02M1/44
Abstract: 一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路。单片集成式GaN基半桥电路，在导电衬底上依次设有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层和沟道层由隔离层分割，设置二极管和集成电容、低侧管、高侧管、第一集成电阻器及第二集成电阻器。半桥电路包括：低侧管及高侧管，低侧管的漏极与高侧管的源极连接有输出端子Vout，低侧管衬底与高侧管衬底连接，在高侧管漏极与低侧管源极上并接一串联电阻，串联电阻由第一集成电阻器和第二集成电阻器串联构成且串联节点连接于导电衬底；在串联节点与低侧管源极上并接有集成电容；在输出端子Vout与串联节点之间连接有二极管且二极管的阳极连接于输出端子Vout、阴极连接于所述串联节点。
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公开(公告)号：CN116317573A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310147248.X
申请日：2023-02-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明是一种基于恒定导通时间控制的自激降压变换器，该变换器包括降压主电路，控制电路和驱动电路；输入电源(Vin)接入控制电路的输入端即第二PNP管(Q2)的发射极，控制电路的输出端接驱动电路的输入端即第三PNP管(Q3)的基极，驱动电路的输出端接降压主电路的输入端即功率开关管(Q1)的栅极。采用此结构能够使得电路更为简单，解决电路生产成本高昂，开关频率不易调节的问题。
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