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公开(公告)号：CN109817381B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201711163610.3
申请日：2017-11-21
Applicant: 北京赛特超润界面科技有限公司
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L29/40 , H01L29/786 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种铜网格复合离子液体凝胶柔性透明电极的制备方法。本发明公开了这类柔性透明电极的制备方法，通过离子液体凝胶保护层，提高电极的抗氧化性。本发明提供的铜网格复合离子液体凝胶柔性透明电极包括商品化的聚合物柔性透明基底，中间层的铜网格以及外层的离子液体凝胶，其具有成本低、透光性好、长效稳定的特点，而且透明柔性电极的电阻可调，该透明电极尤其适用于制备可穿戴电子设备、柔性显示屏、太阳能电池、薄膜晶体管、OLED面板。
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公开(公告)号：CN111183525A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880065113.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 欧司朗OLED有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造光电子器件(100)的方法，该方法具有如下步骤：A)在载体(7)上提供半导体层序列(1)，其中，半导体层序列(1)设置用于发射辐射，其中，半导体层序列(1)具有至少一个n型掺杂的半导体层(11)、至少一个p型掺杂的半导体层(12)和布置在p型和n型掺杂的半导体层(11、12)之间的有源层(13)，B)将接触层(3)直接施加到半导体层序列(1)上，接触层阻止或减少镜面层(4)的材料的扩散，其中，接触层(3)具有最大10nm的层厚度，C)将镜面层(4)直接施加到接触层(3)上，并且D)将势垒层(5)直接施加到镜面层(4)上。
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公开(公告)号：CN110931617A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911310362.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
Abstract: 本发明涉及一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法。在GaN基LED的P-GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极；在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层，在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。通过对透明导电膜的工艺参数和厚度的优化，获得导电性和透光性良好的薄膜；复合P电极的金属电极不选用常规的Ni-Au这样的贵金属和稀有金属，而选择N电极常用的Ti-Al，通过工艺参数的优化调整，达到和Ni-Au一样的性能。在保证器件光电学特性稳定的基础上，整体工艺难度降低，材料更加环保，性价比更高，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107810564B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680035182.3
申请日：2016-06-16
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑提供半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有发射光的和/或吸收光的有源区(12)和沿垂直于半导体层序列(1)的主延伸平面伸展的堆叠方向(z)设置在有源区(12)下游的覆盖面(1a)，‑将层堆(2)施加到覆盖面(1a)上，其中层堆(2)包括含有铟的氧化物层(20)和沿堆叠方向(z)设置在覆盖面(2a)下游的中间面(2a)，‑将由氧化铟锡形成的接触层(3)施加到中间面(2a)上，其中‑层堆(2)在制造公差的范围内没有锡。
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公开(公告)号：CN110828435A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911044591.1
申请日：2018-11-27
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于显示器的LED像素和具有该LED像素的显示设备，显示器用LED像素包括：基底；第一LED堆叠件，布置于所述基底上；第二LED堆叠件，布置于所述第一LED堆叠件上；第三LED堆叠件，布置于所述第二LED堆叠件上；以及过孔，贯通所述基底，其中，所述第一LED堆叠件、第二LED堆叠件和第三LED堆叠件均包括第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层，所述过孔分别电连接于所述第一LED堆叠件、第二LED堆叠件和第三LED堆叠件中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106848005B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201510881186.0
申请日：2015-12-03
Applicant: 映瑞光电科技(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成石墨烯；4）在石墨烯表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。
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公开(公告)号：CN107359175B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710613474.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 上海天马微电子有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种微发光二极管显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，能够在同一个显示面板上实现双面显示，从而降低了成本。微发光二极管显示面板包括：呈矩阵分布的多个发光元件，每个发光元件包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，半导体层位于第一电极和第二电极之间；半导体层包括沿第一电极至第二电极的方向上依次层叠设置的第一半导体层、活性层和第二半导体层；多个发光元件包括多个第一发光元件和多个第二发光元件，第一发光元件具有第一出射方向，第二发光元件具有第二出射方向，第一出射方向为从第一电极至第二电极的方向，第二出射方向为从第二电极至第一电极的方向。
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公开(公告)号：CN110707185A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910987487.X
申请日：2019-10-17
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请公开了一种低阻值高穿透透明导电层的制作方法及LED芯片，通过在透明导电层的形成过程中，采用氧流量渐变式的方式形成透明导电层，相比较，传统单一氧流量条件形成的透明导电层，其透明导电层的半导体接触接口为低阻值，提高了光萃取效果，降低了LED电压，提高了亮度。
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公开(公告)号：CN110690248A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911044578.6
申请日：2018-11-27
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于显示器的LED像素和具有该LED像素的显示设备，显示器用LED像素包括：第一LED堆叠件；第二LED堆叠件，位于第一LED堆叠件的部分区域上；第三LED堆叠件，位于第二LED堆叠件的部分区域上；反射电极，布置于第一LED堆叠件下部；第二透明电极，位于第二LED堆叠件和第三LED堆叠件之间，并与第二LED堆叠件的上表面欧姆接触；以及第三透明电极，与第三LED堆叠件的上表面欧姆接触。
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公开(公告)号：CN110676282A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910982320.4
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极，设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极，设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层，以及控制模块和彩色滤光膜；上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触，控制模块与上、下驱动电极电学连接，所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源，经波长下转换发光层转化为第二光源，第一、第二光源经反射层和扩散层后，经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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