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公开(公告)号：CN109545917A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811454596.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明提供了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构通过在其外延层相应的侧壁和底部设置第一隔离层、金属反射层和第二隔离层对四元覆晶式LED结构中的光进行反射，以使光在透明衬底的一侧出射，提高了四元覆晶式LED结构的出光效率。
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公开(公告)号：CN110707192B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911002505.0
申请日：2019-10-21
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请提供了一种高亮度正装LED结构及制作方法，通过先对外延层的表面进行粗化处理，以破坏全反射角，增加出光效率，进一步的，先进行粗化处理，再形成相应粗化结构的GaP层，也不会破坏GaP层的结构，进而可以维持传统的电压需求。
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公开(公告)号：CN110707185A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910987487.X
申请日：2019-10-17
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请公开了一种低阻值高穿透透明导电层的制作方法及LED芯片，通过在透明导电层的形成过程中，采用氧流量渐变式的方式形成透明导电层，相比较，传统单一氧流量条件形成的透明导电层，其透明导电层的半导体接触接口为低阻值，提高了光萃取效果，降低了LED电压，提高了亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545917B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811454596.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明提供了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构通过在其外延层相应的侧壁和底部设置第一隔离层、金属反射层和第二隔离层对四元覆晶式LED结构中的光进行反射，以使光在透明衬底的一侧出射，提高了四元覆晶式LED结构的出光效率。
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公开(公告)号：CN109309152B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811338529.9
申请日：2018-11-12
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构没有进行衬底转移技术，直接由P型半导体层的表面出光，制作工艺简单且成本较低，极大程度的提高了生产良率，且将P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面，可以增加出光效率。
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公开(公告)号：CN110707192A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911002505.0
申请日：2019-10-21
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本申请提供了一种高亮度正装LED结构及制作方法，通过先对外延层的表面进行粗化处理，以破坏全反射角，增加出光效率，进一步的，先进行粗化处理，再形成相应粗化结构的GaP层，也不会破坏GaP层的结构，进而可以维持传统的电压需求。
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公开(公告)号：CN109860347A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910106834.3
申请日：2019-02-02
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种LED氧化物键合结构及制作方法，所述制作方法包括：提供一外延层结构；在所述外延层结构的一侧设置电极结构；在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；提供一透明衬底；对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。该制作方法工艺简单。
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公开(公告)号：CN109309152A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811338529.9
申请日：2018-11-12
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构没有进行衬底转移技术，直接由P型半导体层的表面出光，制作工艺简单且成本较低，极大程度的提高了生产良率，且将P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面，可以增加出光效率。
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