一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110676282A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910982320.4

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极,设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极,设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层,以及控制模块和彩色滤光膜;上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触,控制模块与上、下驱动电极电学连接,所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源,经波长下转换发光层转化为第二光源,第一、第二光源经反射层和扩散层后,经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。

    一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110676282B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201910982320.4

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极,设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极,设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层,以及控制模块和彩色滤光膜;上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触,控制模块与上、下驱动电极电学连接,所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源,经波长下转换发光层转化为第二光源,第一、第二光源经反射层和扩散层后,经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。

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