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公开(公告)号：CN113937216B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111546492.0
申请日：2021-12-17
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/02 , H01L43/04 , H01L43/12 , H01L43/14 , G06N3/063
摘要： 本发明涉及一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法，器件包括依次设置的衬底、自旋轨道耦合层、磁性层和电极层，自旋轨道耦合层或/和磁性层为二维材料，二维材料的层数为1~10层；磁性层具有垂直各向异性，自旋轨道耦合层用于当电流通过时产生自旋流，对临近的磁性层施加自旋矩，翻转临近磁性层的磁矩方向。本发明可以在磁性层中形成不同的电阻态，以用于神经突触的仿生模拟。
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公开(公告)号：CN114122253A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111254797.4
申请日：2021-10-27
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用斜切衬底实现电流驱动磁矩翻转无磁场化的方法。本发明所述的磁储存器件从上到下依次为MgO斜切衬底层和L10‑FePt磁性层。以斜切衬底取代传统的单晶平面衬底，可以造成薄膜原子在沿着台阶和垂直台阶方向的对称性破缺。将磁性薄膜制作成器件结构，通过霍尔电阻探测磁性层磁矩方向。对器件施加一定强度及方向的电流脉冲时，器件霍尔电阻发生定向改变，无需外磁场的辅助。可理解为磁存储状态的切换，进而实现无磁场辅助的数据写入操作。
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公开(公告)号：CN113937216A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111546492.0
申请日：2021-12-17
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/02 , H01L43/04 , H01L43/12 , H01L43/14 , G06N3/063
摘要： 本发明涉及一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法，器件包括依次设置的衬底、自旋轨道耦合层、磁性层和电极层，自旋轨道耦合层或/和磁性层为二维材料，二维材料的层数为1~10层；磁性层具有垂直各向异性，自旋轨道耦合层用于当电流通过时产生自旋流，对临近的磁性层施加自旋矩，翻转临近磁性层的磁矩方向。本发明可以在磁性层中形成不同的电阻态，以用于神经突触的仿生模拟。
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公开(公告)号：CN113571632B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111109797.5
申请日：2021-09-23
申请人： 南开大学
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/04 , H01L43/14 , C30B23/04 , C30B29/52 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35
摘要： 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN110911548B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201911201576.3
申请日：2019-11-29
申请人： 大连理工大学
摘要： 具有工作温度实时监控功能的高温三维霍尔传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，所述外延层异质结界面处的势阱中存在高密度由极化电荷诱导产生的二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述势垒层上表面设置有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果是:本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，可以在高温下测量空间任意方向的磁场，同时具有尺寸小、灵敏度高等特点，可以在不影响传感器正常工作的前提下进行精确磁场测量和实时工作温度监测，未来有望广泛应用于各种军事、航空航天、医学、微型和纳米型传感器中。
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公开(公告)号：CN110890457B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201911203680.6
申请日：2019-11-29
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。技术要点：包括衬底、缓冲层、异质结结构层，所述衬底上依次生长缓冲层和异质结结构层，所述异质结结构层中存在二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述异质结结构层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果：本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，所述的集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器既可以在高温下稳定的工作，又测量空间任意方向磁场，同时在测量X，Y，Z三个方向的磁场时具有较大的灵敏度。
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公开(公告)号：CN113625207A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010385429.2
申请日：2020-05-09
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 公开了一种基于霍尔效应的磁场传感器，其包括：衬底；由拓扑绝缘材料制成的至少一条霍尔条带，所述至少一条霍尔条带附着在所述衬底上；以及至少两个接触电极，分别位于所述至少一条霍尔条带的两端，所述接触电极通过导线与外接电路连接。该磁场传感器具有空间分辨率高、噪声水平低以及适应温度范围大等特点。还公开了相关的制作方法。
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公开(公告)号：CN113257992B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110702629.0
申请日：2021-06-24
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
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公开(公告)号：CN108075035B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201711145587.5
申请日：2017-11-17
申请人： 旭化成微电子株式会社
摘要： 本发明提供一种在磁感应部上具有球部的霍尔元件。本发明提供一种霍尔元件，其中，该霍尔元件包括：基板；磁感应部，其形成于基板上；绝缘膜，其形成于磁感应部上；电极部，其形成于绝缘膜上；以及球部，其设置于电极部上，该球部与电极部电连接，在俯视状态下，球部的投影面积占磁感应部的投影面积的10％以上。而且，球部的投影面积可以占磁感应部的投影面积的20％以上。此外，该霍尔元件还可以包括接合线，该接合线与球部电连接，且自球部沿着与电极部的上表面垂直的方向延长。
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公开(公告)号：CN113241403A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110559427.5
申请日：2021-05-21
申请人： 苏州矩阵光电有限公司
摘要： 本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、磁感应部和电极部。该粘结层位于基板的表面上。该磁感应部通过粘结层键合到基板上。该电极部位于磁感应部的周边并且与磁感应部形成欧姆接触。该磁感应部的迁移率高和方块电阻高，从而该化合物半导体霍尔元件的灵敏度高和功耗低。
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