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公开(公告)号：CN114646909A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210274448.7
申请日：2022-03-21
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明提供了一种磁性纳米材料浓度的检测方法，涉及微量磁性纳米材料的探测技术领域。本发明利用自旋转矩铁磁共振(ST‑FMR)技术进行磁性纳米材料浓度的检测过程中，在SOT源层沿X方向通入微波电流产生垂直于薄膜平面方向的自旋流，对邻近铁磁层磁矩产生力矩的作用，使其发生进动。当磁性纳米材料滴加在铁磁层薄膜表面时，影响了ST‑FMR测试时的共振条件，使得体系的阻尼因子随着磁性纳米材料数量的增加而增加，从而实现低浓度(≤0.5mg/mL)磁性纳米材料溶液的定量准确检测。该方法测试成本低，检测时间短，且检测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN117888060A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410275685.4
申请日：2024-03-12
申请人： 北京师范大学
摘要： 一种限域薄层二维材料的制备方法及应用，包括以下步骤：S1.在衬底上定位纳米材料：将纳米材料分散于溶剂中形成悬浮液；将悬浮液分散在衬底上，所述纳米材料被衬底吸附；去除溶剂，以使所述纳米材料定位在衬底上；S2.在纳米材料限定的区域内，采用物理气相沉积方法原位生长金属膜；S3.将衬底升温至150‑220℃，退火处理3‑60min，纳米材料与金属膜受控反应形成限域薄层二维材料。本发明以纳米材料充当牺牲模板，限域原位制备与其他材料复合的高质量界面异质结构的薄层二维材料及其异质结构，制备完成的限域薄层二维材料异质结构可有效避免二维材料在剥离‑转移过程中的氧化问题。
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公开(公告)号：CN113937216B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111546492.0
申请日：2021-12-17
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/02 , H01L43/04 , H01L43/12 , H01L43/14 , G06N3/063
摘要： 本发明涉及一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法，器件包括依次设置的衬底、自旋轨道耦合层、磁性层和电极层，自旋轨道耦合层或/和磁性层为二维材料，二维材料的层数为1~10层；磁性层具有垂直各向异性，自旋轨道耦合层用于当电流通过时产生自旋流，对临近的磁性层施加自旋矩，翻转临近磁性层的磁矩方向。本发明可以在磁性层中形成不同的电阻态，以用于神经突触的仿生模拟。
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公开(公告)号：CN113937216A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111546492.0
申请日：2021-12-17
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/02 , H01L43/04 , H01L43/12 , H01L43/14 , G06N3/063
摘要： 本发明涉及一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法，器件包括依次设置的衬底、自旋轨道耦合层、磁性层和电极层，自旋轨道耦合层或/和磁性层为二维材料，二维材料的层数为1~10层；磁性层具有垂直各向异性，自旋轨道耦合层用于当电流通过时产生自旋流，对临近的磁性层施加自旋矩，翻转临近磁性层的磁矩方向。本发明可以在磁性层中形成不同的电阻态，以用于神经突触的仿生模拟。
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公开(公告)号：CN117888060B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410275685.4
申请日：2024-03-12
申请人： 北京师范大学
摘要： 一种限域薄层二维材料的制备方法及应用，包括以下步骤：S1.在衬底上定位纳米材料：将纳米材料分散于溶剂中形成悬浮液；将悬浮液分散在衬底上，所述纳米材料被衬底吸附；去除溶剂，以使所述纳米材料定位在衬底上；S2.在纳米材料限定的区域内，采用物理气相沉积方法原位生长金属膜；S3.将衬底升温至150‑220℃，退火处理3‑60min，纳米材料与金属膜受控反应形成限域薄层二维材料。本发明以纳米材料充当牺牲模板，限域原位制备与其他材料复合的高质量界面异质结构的薄层二维材料及其异质结构，制备完成的限域薄层二维材料异质结构可有效避免二维材料在剥离‑转移过程中的氧化问题。
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