发明公开
- 专利标题： 一种基于霍尔效应的磁场传感器和其制作方法
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申请号： CN202010385429.2申请日： 2020-05-09
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公开(公告)号： CN113625207A公开(公告)日： 2021-11-09
- 发明人: 史刚 , 杨天中 , 李永庆
- 申请人： 中国科学院物理研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人： 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构： 北京市正见永申律师事务所
- 代理商 黄小临; 冯玉清
- 主分类号： G01R33/07
- IPC分类号： G01R33/07 ; H01L43/06 ; H01L43/10 ; H01L43/04 ; H01L43/14
摘要：
公开了一种基于霍尔效应的磁场传感器，其包括：衬底；由拓扑绝缘材料制成的至少一条霍尔条带，所述至少一条霍尔条带附着在所述衬底上；以及至少两个接触电极，分别位于所述至少一条霍尔条带的两端，所述接触电极通过导线与外接电路连接。该磁场传感器具有空间分辨率高、噪声水平低以及适应温度范围大等特点。还公开了相关的制作方法。
