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公开(公告)号：CN113257992A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110702629.0
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
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公开(公告)号：CN113257992B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110702629.0
申请日：2021-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构，包括：拓扑绝缘体层、磁子阀部件及金属电极由下至上依次位于衬底上；磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、反铁磁层及第二铁磁绝缘体层，或磁子阀部件由下至上依次包括：第一铁磁绝缘体层、非铁磁层及第二铁磁绝缘体层；所述第一铁磁绝缘体层和第二铁磁绝缘体层具有相同或者相反的磁矩方向；磁子阀结构的逆自旋霍尔电压在所述拓扑绝缘体层通入电流前后电平状态会改变。本发明利用拓扑绝缘体的高自旋霍尔角和高电导率特性，提升电流翻转磁矩的效率，可以将该磁子阀结构作为一种高效率、低损耗的新型存储器件结构。
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公开(公告)号：CN112666236A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010307875.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明属于电化学传感器领域，公开了一种传感器集成芯片及其制备，该电化学传感器集成芯片，包括位于晶圆级半导体基底上的参考电极和对电极，在参考电极和对电极上各设置有绝缘层，外延硅层则外延沉积在绝缘层上；该外延硅层的一端位于参考电极的上方，另一端位于对电极的上方；半导体基底与外延硅层包围形成内部中空结构，该中空结构用于作为电解液腔容纳电解液；外延硅层上还开设有孔洞，在该外延硅层的表面及孔内壁上自内向外均依次沉积有工作电极绝缘层、工作电极层和隔膜层；孔洞与电解液腔相连通。本发明通过采用Surface MEMS(表面微机械)工艺在半导体基底(如硅基晶圆)上实现规模制备电流型电化学传感器，降低传感器成本，提高普及率。
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