公开(公告)号：CN113571632A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202111109797.5

申请日：2021-09-23

申请人： 南开大学

发明人： 程雅慧 ,  李岩 ,  张瑞 ,  陈菲菲 ,  刁凌雪 ,  刘晖

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14 ,  C30B23/04 ,  C30B29/52 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。

公开(公告)号：CN113571632B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111109797.5

申请日：2021-09-23

申请人： 南开大学

发明人： 程雅慧 ,  李岩 ,  张瑞 ,  陈菲菲 ,  刁凌雪 ,  刘晖

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14 ,  C30B23/04 ,  C30B29/52 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。