本发明公开了一种利用斜切衬底实现电流驱动磁矩翻转无磁场化的方法。本发明所述的磁储存器件从上到下依次为MgO斜切衬底层和L10‑FePt磁性层。以斜切衬底取代传统的单晶平面衬底，可以造成薄膜原子在沿着台阶和垂直台阶方向的对称性破缺。将磁性薄膜制作成器件结构，通过霍尔电阻探测磁性层磁矩方向。对器件施加一定强度及方向的电流脉冲时，器件霍尔电阻发生定向改变，无需外磁场的辅助。可理解为磁存储状态的切换，进而实现无磁场辅助的数据写入操作。