公开(公告)号：CN110546756A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880024649.3

申请日：2018-02-20

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 杨斌 ,  李夏 ,  陶耿名

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L49/02

摘要： 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器包括化合物半导体衬底。MIM电容器包括化合物半导体衬底上的集电极接触层、集电极接触层上的第一电介质层、第一电介质层上的导电电极层以及导电电极层上的第二电介质层。MIM电容器包括第二电介质层上的第一导电互连、第一导电互连上的第三电介质层以及第三电介质层上的第二导电互连。第一电容组件包括集电极接触层、导电电极层和第一电介质层。第二电容组件包括第一导电互连、导电电极层和第二电介质层。第三电容组件包括第二导电互连、第一导电互连和第三电介质层。第一电容组件、第二电容组件和第三电容组件彼此并联布置。

公开(公告)号：CN106252373B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201610815101.3

申请日：2016-09-09

申请人： 复旦大学

发明人： 陈琳 ,  戴亚伟 ,  郑亮 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明属于光电技术领域，具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；高电子迁移率晶体管，位于所述GaN衬底的高电子迁移率晶体管器件区，自下而上依次包括AlN阻挡层、AlGaN势垒层以及位于所述AlGaN势垒层上的栅极和源极，其中所述AlN阻挡层和所述AlGaN势垒层与所述n型GaN层相接触。本发明器件能够有效避免由于位错问题导致的器件性能的退化，同时通过改变高电子迁移率晶体管的栅压可以精确调控发光二极管的发光强度，有助于更好的应用在智能照明领域。

公开(公告)号：CN110518031A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910804921.6

申请日：2019-08-29

申请人： 南京工程学院

发明人： 蔡玮 ,  韩冰 ,  王新迪

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法，通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p-GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n-GaN层、缓冲层和硅衬底层，缓冲层上设置光源、探测器和有源波导，所述光源、探测器和有源波导均包括p-n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极，各p-n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂，不能晶圆级集成等问题，简化了制备工艺，传输损耗小，可应用于光通信和光传感领域，能够实现更长距离的片上光信号传输。

公开(公告)号：CN109004027A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810532705.6

申请日：2018-05-29

申请人： 黄知澍

发明人： 黄知澍

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  C30B25/04 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明是关于一种氮极性III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在元件设计上藉由氟离子结构使氮极性III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在氟离子结构下方处能呈现空乏状态，此时二维电子气位于氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处；尔后，藉由上述结构制作出氮化镓加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、混合型萧特基位障二极管或混合型元件，此时，经过极性反转制程步骤(也就是绝缘保护介电层所产生的应力)后，二维电子气从该氮化镓通道层与该氮化镓铝(y)层的接面处上升至该氮化镓通道层与该氮化镓铝(x)层的接面处。

公开(公告)号：CN105990255B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510790919.X

申请日：2015-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马克范达尔 ,  乔治凡利亚尼提斯 ,  麦特西亚斯帕斯拉克 ,  马汀克里斯多福荷兰

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。本揭露内容提供一种形成鳍式晶体管(FinFET)装置的方法。此方法包含形成第一应变释放缓冲(SRB)堆叠于基板之上。第一SRB堆叠与基板间具有晶格不匹配，其产生螺旋状差排缺陷特征于该第一SRB堆叠之中。此方法也包含形成图案化介电层于第一SRB堆叠上。图案化介电层包含延伸穿透其中的沟渠。此方法也包含于沟渠范围内形成第二SRB堆叠于第一SRB堆叠之上。第二SRB堆叠与基板间具有晶格不匹配，使得第二SRB堆叠的上部无螺旋状差排缺陷。此外，于第一和第二SRB堆叠中配置缓冲层以提升电子绝缘性；于第二SRB堆叠中配置SLS层以提升困住螺旋状差排缺陷于基板的上部的效果。

公开(公告)号：CN108364950A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810142345.9

申请日：2018-02-11

申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所

发明人： 曾建平 ,  李倩 ,  安宁 ,  谭为

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0611

摘要： 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n-GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n-GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。

公开(公告)号：CN107810543A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680018686.4

申请日：2016-05-27

申请人： 拉尔斯-埃里克·维尔纳松

发明人： 拉尔斯-埃里克·维尔纳松 ,  约翰内斯·斯文松 ,  阿尼尔·戴伊

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L21/02381 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775

摘要： 一种在一个生长过程中使用金颗粒来生长至少一组III‑Vn型纳米线和至少一组III‑Vp型纳米线的制备方法，其中，所述金颗粒具有对于III‑Vn型纳米线的一个尺寸和对于III‑Vp型纳米线的一个尺寸。

公开(公告)号：CN107293584A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710556424.X

申请日：2017-07-10

申请人： 东南大学

发明人： 廖小平 ,  陈友国

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L27/16 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明公开了一种面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基HBT器件，包括：在传统HBT的集电极、基极和发射极的金属电极层四周，制作一层二氧化硅层，进行电隔离，同时作为制作热电偶的基准面；在二氧化硅层上，分别围绕集电极、基极及发射极布置12个由热电偶金属臂和热电偶砷化镓臂组成的热电偶，并通过金属连线依次串联；热电偶的一端靠近所在模块的电极，其另一端远离所在模块的电极。本发明结构简单，加工方便，节能环保，根据塞贝克效应，通过环绕电极摆放的热电偶实现热电能量转换的同时有效缓解了HBT器件的散热问题，且可通过塞贝克压差检测热耗散功率的大小，具有良好的经济实用价值。

公开(公告)号：CN105977209A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610509548.8

申请日：2010-10-20

申请人： 富士通株式会社

发明人： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的半导体装置设有：GaN层(2)、与GaN层(2)的Ga面形成肖特基接合的阳极电极(4)以及位于阳极电极(4)的至少一部分与GaN层(2)之间的InGaN层(3)。

公开(公告)号：CN105448844A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410425451.X

申请日：2014-08-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 蒋莉

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/304

摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；衬底内形成至少一个隔离结构；在隔离结构两侧的衬底内形成深度小于隔离结构的第一凹槽；在第一凹槽内形成与半导体衬底相平的第一半导体材料层；在第一半导体材料层内形成第二凹槽，第二凹槽的底部露出第一半导体材料层；在第二凹槽内的第一半导体材料层上形成高于衬底的过渡层；采用第一化学机械研磨去除高于衬底的过渡层，第一化学机械研磨包括第一粗研磨和第一精研磨，采用第一粗研磨去除高于衬底的过渡层上部分，采用第一精研磨去除高于衬底的过渡层下部分；在剩余的过渡层上形成第二半导体材料层；对第二半导体材料层进行N型掺杂。采用本发明的方法提高了半导体器件的有源区的性能。