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公开(公告)号：CN1669004A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816538.4
申请日：2003-07-09
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G06F11/267
CPC分类号： G06F11/2236
摘要： 本发明揭示一种决定主处理器的内部状态的方法及装置。可将测试数据加载到服务处理器(140)的一输出端口(152)。该服务处理器(140)可轮询该主处理器(10)中储存的一有效位。在判定该有效位被清除时，该服务处理器(140)可将测试数据传送到该主处理器，并设定该有效位。可响应该测试数据而产生状态数据。可将该状态数据写入该主处理器(10)的输出端口(104)。该服务处理器(140)可自该主处理器(10)的该输出端口(104)接收该数据。可在无须中断该主处理器(10)中的指令的执行的情形下，执行确定该主处理器(10)的状态的操作。
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公开(公告)号：CN1647039A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808705.7
申请日：2003-04-18
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G06F9/445
CPC分类号： G06F9/4403 , G06F12/1441 , G06F12/1458 , G06F12/1491
摘要： 一种将其中包含一可进入安全执行模式的处理器100的一计算机系统10初始化的方法，包含下列步骤：将一安全操作系统程序代码片段加载程序储存在对应于一系统内存110内的一特定地址范围的多个位置。该方法还包含下列步骤：执行一安全初始化指令。执行该安全初始化指令时，可使其中包括传输其中包含该特定地址范围的一基址的一起始事务处理的数个操作被执行。此外，执行该安全指令时，也可使另一操作被执行，该另一操作包括：自该系统内存取该安全操作系统程序代码片段加载程序，并以多个数据事务处理的形式传输该安全操作系统程序代码片段加载程序，以供验证。
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公开(公告)号：CN1643452A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN02825172.5
申请日：2002-06-27
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70525
摘要： 本发明提供一种控制光刻工艺的方法，其包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在形成于第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中，至少有一项参数系由至少该第一覆盖误差测量值所决定。工艺路线(100)包含光刻机台(120)、覆盖度量机台(130)及控制器(140)。该光刻机台(120)被建构成可依据操作准则加工晶片。该覆盖度量机台(130)被建构成可测量在该光刻机台(120)中进行晶片加工时的覆盖误差。该控制器(140)被建构成可接收于选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成于第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
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公开(公告)号：CN1639701A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805024.2
申请日：2003-02-28
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G06F13/38
CPC分类号： G06F13/387
摘要： 本发明提供一种USB主机控制器，用来处理至少一个USB设备和计算机系统的系统内存之间的数据业务。该USB主机控制器包括数据取出单元(530)，用来从系统内存中取出数据元素；储存单元(535)，用来储存取出的数据元素；以及事务处理处理单元(570)，用来根据储存在储存单元中的取出的数据元素，而处理送到USB设备或从USB设备接收的事务处理。数据取出单元和事务处理处理单元配置成用于异步操作。主机控制器可以是USB 2.0兼容设备，并且可实现于南桥芯片中。
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公开(公告)号：CN1209706C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN00818155.1
申请日：2000-08-08
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G06F9/38
摘要： 一处理器10采用一存储至加载转送(STLF)预测器60，该STLF预测器60可指示配发的加载作业对一存储作业之一相依性。针对在一先前执行期间干扰了加载作业的执行之一存储作业，而指示该相依性。因为指示了与存储作业有关的相依性，所以不会将加载作业的时程安排在该存储作业之前，及(或)不会在该存储作业之前先执行加载作业。响应执行一特定的加载作业及存储作业并侦测到该干扰，而以该特定加载作业及存储作业的信息来训练该STLF预测器60。此外，如果该STLF预测器60将一加载作业指示为相依于一特定的存储作业，且并未实际发生该相依性，则可以不训练该STLF预测器60(例如，可删除与-特定加载作业及存储作业有关的信息)。
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公开(公告)号：CN1630849A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02829057.7
申请日：2002-12-17
申请人： 先进微装置公司
摘要： 本发明提供一种在安全计算环境中执行内存管理的方法和系统(400A－B)。该方法包括执行一不安全例程并接收来自该不安全例程的请求。该方法还包括在硬件中执行该请求的第一次评估，和在软件中的安全例程中执行该请求的第二次评估。计算机系统(400A－B)包括可配置用来执行安全例程和不安全例程的处理器(404)。该计算机系统(400A－B)还包括连接以执行与该不安全例程相关的请求的第一次评估的硬件。该硬件进一步配置提供该请求的通知至该安全例程。该安全例程配置可执行该请求的第二次评估。该安全例程进一步配置以拒绝该请求所请求的响应。
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公开(公告)号：CN1623086A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828386.4
申请日：2002-12-17
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01N21/95 , G01N21/47 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/4788 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示了一种利用高产率的频谱散射量测法以控制半导体工艺的方法及执行该方法的系统。在一个实施例中，该方法包含下列步骤：提供一数据库，该数据库包含由多个栅极堆栈构成的一格栅结构的至少一条目标光学特性迹线，该目标迹线对应于具有至少一个所需电气性能特性的半导体装置；提供一衬底(38)，该衬底(38)具有至少一个在该衬底上形成的格栅结构(50)，所形成的格栅结构(50)包含多个栅极堆栈(30)；照射形成在该衬底(38)上的至少一个格栅结构(50)；测量在该衬底(38)上形成的格栅结构(50)所反射的光线，以便产生已形成的该格栅结构(50)的光学特性迹线；以及将所产生的该光学特性迹线与该目标迹线比较。
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公开(公告)号：CN1198396C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN01805428.5
申请日：2001-02-28
申请人： 先进微装置公司
发明人： Y·金
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/017
CPC分类号： H03K19/01721 , H03K19/018521
摘要： 提供了一种改良的电平移位器电路，其设计用于极低电源电压。该电平移位器电路包括串联连接且互连于高电压与输出端之间的第四NMOS晶体管(N102)、第三PMOS晶体管(P103)以及第五NMOS晶体管(N103)。结果当高电压下降至等于低电源电压时，高电压仍传送至输出端。
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公开(公告)号：CN1606801A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02825750.2
申请日：2002-12-19
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/6659 , H01L21/2652
摘要： 一种形成半导体装置的方法，是于基材(30)上形成栅极(32)，并于该基材(30)与栅极(32)上形成厚度小于100埃的氧化物内衬(liner)(34)。于该氧化物内衬(34)上形成有氮化物层(38)。通过蚀刻该氮化物层(38)至该氧化物内衬(34)上以形成氮化物间隔(40)。此种较薄的氧化物内衬(如厚度小于100埃)可防止于热处理过程中该内衬(34)成为掺杂物沉积的沟槽，据此，于该源极/漏极延伸区域(36)中的掺杂物以及源极/漏极区域(42)在热处理过程中会保持于该基材(30)中，藉以防止该晶体管效能的降低。
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公开(公告)号：CN1606800A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02825739.1
申请日：2002-12-19
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L29/6656 , H01L29/6659
摘要： 通过在栅极电极侧壁间隔区(40)之下，形成复合氧化物/氮化物内衬(24，25)，而制造一种具有改善的晶体管性能的半导体装置；具体实施例则包含，通过分离等离子体沉积技术而沉积保形氧化物层(24)，通过分离等离子体沉积技术而沉积保形氮化物层(25)，沉积间隔层(30)，以及随后进行蚀刻程序。
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