公开(公告)号：CN1623086A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828386.4

申请日：2002-12-17

申请人： 先进微装置公司

发明人： J·B·斯特顿 ,  K·R·伦辛 ,  H·E·纳里曼 ,  S·P·里夫斯

IPC分类号： G01N21/956 ,  G01N21/95 ,  G01N21/47 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/956 ,  G01N21/4788 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示了一种利用高产率的频谱散射量测法以控制半导体工艺的方法及执行该方法的系统。在一个实施例中，该方法包含下列步骤：提供一数据库，该数据库包含由多个栅极堆栈构成的一格栅结构的至少一条目标光学特性迹线，该目标迹线对应于具有至少一个所需电气性能特性的半导体装置；提供一衬底(38)，该衬底(38)具有至少一个在该衬底上形成的格栅结构(50)，所形成的格栅结构(50)包含多个栅极堆栈(30)；照射形成在该衬底(38)上的至少一个格栅结构(50)；测量在该衬底(38)上形成的格栅结构(50)所反射的光线，以便产生已形成的该格栅结构(50)的光学特性迹线；以及将所产生的该光学特性迹线与该目标迹线比较。

公开(公告)号：CN100424501C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN02828386.4

申请日：2002-12-17

申请人： 先进微装置公司

发明人： J·B·斯特顿 ,  K·R·伦辛 ,  H·E·纳里曼 ,  S·P·里夫斯

IPC分类号： G01N21/956 ,  G01N21/95 ,  G01N21/47 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/956 ,  G01N21/4788 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明揭示了一种利用高产率的频谱散射量测法以控制半导体工艺的方法及执行该方法的系统。在一个实施例中，该方法包含下列步骤：提供一数据库，该数据库包含由多个栅极堆栈构成的一格栅结构的至少一条目标光学特性迹线，该目标迹线对应于具有至少一个所需电气性能特性的半导体装置；提供一衬底(38)，该衬底(38)具有至少一个在该衬底上形成的格栅结构(50)，所形成的格栅结构(50)包含多个栅极堆栈(30)；照射形成在该衬底(38)上的至少一个格栅结构(50)；测量在该衬底(38)上形成的格栅结构(50)所反射的光线，以便产生已形成的该格栅结构(50)的光学特性迹线；以及将所产生的该光学特性迹线与该目标迹线比较。