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公开(公告)号：CN106785019B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710077461.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了含溴化银和氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：1)在气氛保护条件下，按质量百分比计，称取35‑50％的硫化锂和余量的硫化磷，混合均匀，得到锂硫磷三元混合物；2)在气氛保护及安全红光条件下，取锂硫磷三元混合物、相当于其质量2‑6％的溴化银以及相当于其质量1‑5％的氯化银，球磨，得到含溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷混合物；3)所得溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷混合物在气氛保护及红光条件下密封后，于真空或气氛保护条件下升温至60‑150℃进行热处理，即得。本发明所述方法可有效提高所得硫化锂系固体电解质材料的离子传导性能。
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公开(公告)号：CN106784999B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710075920.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供了一种添加锂硅合金和银卤族化合物的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法，包括以下步骤：1)在气氛保护条件下，按2.5‑3.5：0.5‑1.0：0.05‑0.20：0.01‑0.1的摩尔比称取硫化锂、硫化磷、锂硅合金粉末和硫磺，混合均匀，得到锂硫磷硅混合物；2)在气氛保护及安全灯光条件下，取锂硫磷硅混合物、碘化银、溴化银和氯化银，球磨，得到含碘化银、溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷硅混合物；3)步骤2)所得混合物在气氛保护条件下密封，之后于真空条件下升温至100‑180℃进行热处理，即得。本发明通过同时添加锂硅合金和银卤族化合物以提升所得固体电解质材料的锂离子传导率。
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公开(公告)号：CN106785001B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201710077200.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 本发明公开了一种含氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法，包括以下步骤：1)在气氛保护条件下，按质量百分比计，称取35‑50％的硫化锂和余量的硫化磷，混合均匀，得到锂硫磷三元混合物；2)在气氛保护及安全红光条件下，取锂硫磷三元混合物及相当于其质量2‑10％的氯化银，置于球磨罐中球磨，得到含氯化银的非晶态锂硫磷混合物；3)所得氯化银的非晶态锂硫磷混合物在气氛保护及红光条件下密封后，于真空或气氛保护条件下升温至60‑150℃进行热处理，即得。采用本发明所述方法制备硫化锂系固体电解质材料时能够形成大量可用于锂离子扩散的原子空位，进而有效提升硫化锂系固体电解质的离子传导性能。
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公开(公告)号：CN106785019A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710077461.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明公开了含溴化银和氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：1)在气氛保护条件下，按质量百分比计，称取35‑50％的硫化锂和余量的硫化磷，混合均匀，得到锂硫磷三元混合物；2)在气氛保护及安全红光条件下，取锂硫磷三元混合物、相当于其质量2‑6％的溴化银以及相当于其质量1‑5％的氯化银，球磨，得到含溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷混合物；3)所得溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷混合物在气氛保护及红光条件下密封后，于真空或气氛保护条件下升温至60‑150℃进行热处理，即得。本发明所述方法可有效提高所得硫化锂系固体电解质材料的离子传导性能。
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公开(公告)号：CN106785015A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710077207.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明提供了一种添加锂硅合金和溴化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法，包括以下步骤：1)在气氛保护条件下，按2.5‑3.5：0.5‑1.0：0.05‑0.20：0.01‑0.1的摩尔比称取硫化锂、硫化磷、锂硅合金粉末和硫磺，混合均匀，得到锂硫磷硅混合物；2)在气氛保护及安全红光条件下，取锂硫磷硅混合物及相当于其质量1‑5％的溴化银，置于球磨罐中球磨，得到含溴化银的非晶态锂硫磷硅混合物；3)所得含溴化银的非晶态锂硫磷硅混合物在气氛保护条件下密封，之后于真空条件下升温至100‑180℃进行热处理，即得。本发明通过同时添加锂硅合金及溴化银以提升所得固体电解质材料的锂离子传导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104525968A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410844385.X
申请日：2014-12-30
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种片状银钨电触头材料的制备方法，具体为：按照所需要制备的银钨电触头的材料配比分别计算所需的三氧化钨粉和硝酸银的用量，并计算氢氧化钠的用量，称取备用；取硝酸银配成20～40w/w％的硝酸银溶液，将三氧化钨粉和硝酸银溶液混合均匀，得到含硝酸银和三氧化钨的悬浮液；取氢氧化钠配成10～30w/w％的氢氧化钠溶液，加入到上述悬浮液中搅拌反应，有沉淀生成，过滤，得到氧化银和三氧化钨的复合粉末；所得复合粉末水洗至中性，干燥、焙烧，所得银氧化钨复合粉经油压成型、还原，所得坯块复压、复烧，即得。本发明所述方法工艺简单、环保，由该方法制得触头材料金相组织更为均匀。
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公开(公告)号：CN104475733A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410840582.4
申请日：2014-12-30
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: B22F3/16 , B22F3/04 , H01H1/0237
Abstract: 本发明公开了一种片状银镍钨电触头材料的制备方法，具体为：按照所需要制备的银镍钨电触头的材料配比计算所需的三氧化钨粉、镍粉和硝酸银的用量，并计算氢氧化钠的用量，称取备用；取硝酸银配成20～40w/w％的硝酸银溶液，将三氧化钨粉和硝酸银溶液混合均匀，得到悬浮液；取氢氧化钠配成10～30w/w％的氢氧化钠溶液，加入到上述悬浮液中搅拌反应，有沉淀生成，过滤，得到氧化银和三氧化钨的复合粉末；该复合粉末水洗至中性，干燥、焙烧，所得银氧化钨复合粉与镍粉混粉，得到的银镍氧化钨混合粉经油压成型、还原，得到的银镍钨坯块再进行复压、复烧，即得到片状银镍钨电触头材料。由该方法制得的触头金相组织更为均匀，电性能更好。
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公开(公告)号：CN103710564A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310744578.3
申请日：2013-12-30
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: C22C5/06 , C22C1/04 , C22C1/10 , H01H1/0237
Abstract: 本发明公开了一种含添加剂银镍电触头材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照需要制备的银镍电触头的材料配比计算所需的银粉、镍粉和含添加元素的盐类化合物的用量，称取备用；2)取含添加元素的盐类化合物配制成水溶液或乙醇溶液，加入银粉或镍粉，进行混料处理，得到含添加元素盐类化合物均匀分布的复合粉末浆料；3)所得浆料干燥，粉碎，得到含添加元素盐类化合物均匀分布的复合粉末；4)所得复合粉末与镍粉或银粉混合均匀，经等静压成型、烧结、挤压工序，即得到银镍电触头材料。本发明所述方法将添加剂以特殊的方式加入到基体中，有效地改善了传统混粉工艺导致添加剂偏析的现象，从而提高材料的致密化程度、加工性能、成材率及电性能。
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公开(公告)号：CN103695695A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310744134.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: C22C5/06 , C22C1/04 , C22C1/10 , H01H1/0237
Abstract: 本发明公开了一种含添加剂雾化银氧化锡电触头材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照需要制备的银氧化锡电触头的材料配比计算所需的纯银锭、纯锡锭和含添加元素的盐类化合物的用量，称取备用；2)取纯银锭和纯锡锭雾化成银锡合金粉；3)取含添加元素的盐类化合物配制成水溶液或乙醇溶液，加入银锡合金粉后混料，得到含添加元素盐类化合物均匀分布的银锡合金粉浆料；4)所得浆料干燥，粉碎，得到含添加元素盐类化合物均匀分布的银锡合金粉；5)所得银锡合金粉进行预氧化、等静压成型、烧结、挤压工序，即得。本发明所述方法较好地改善了传统雾化及混粉工艺导致的添加剂偏析现象，提高了材料的致密化程度、加工性能、成材率及电性能。
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公开(公告)号：CN118299188A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410232691.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于淬火处理的核壳结构钴镍氧化物/普鲁士蓝电极材料，首先，通过溶剂热法制备Co‑Ni‑MOF，然后，通过高温煅烧处理制备钴镍氧化物，最后在氯化铁/铁氰化钾混合溶液中进行快速淬火处理，在钴镍氧化物的表面迅速生长出一层无定形的普鲁士蓝；微观形貌为核壳结构，由钴镍氧化物的片状堆叠的内外层都均匀包裹着一层普鲁士蓝，其中，普鲁士蓝的厚度为20‑60nm。其制备方法包括以下步骤：1，Co‑Ni‑MOF的制备；2，钴镍氧化物的制备；3，钴镍氧化物/普鲁士蓝核壳结构的制备。作为电极材料应用于超级电容器时，在1A g‑1的电流密度下，比电容为800‑900F g‑1。在10A g‑1的电流密度下，在5000次循环后，比电容保持率为88‑95％。
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