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公开(公告)号：CN101004899A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710084089.4
申请日：1995-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。
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公开(公告)号：CN1975827A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610172821.9
申请日：2002-07-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: G09G3/22
CPC classification number: G09G3/2022 , G09G3/22 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2310/0216
Abstract: 本发明提出为每个像素配置两个TFT。此外，还采用一种时间灰度体制，将一个帧周期分成多个子帧周期，在各子帧周期内为每个像素选择发光或不发光状态，而灰度由在各个子帧周期中选择为发光状态的那些周期之和表示。这样，就可以提供一种可靠性高的显示装置和驱动这种显示装置的方法。
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公开(公告)号：CN1930580A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007608.6
申请日：2005-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H01L27/105
CPC classification number: G06K19/073 , G06K19/07372
Abstract: 本发明提供了一种ID芯片，为了保持高度的安全性，其数据仅被写入一次以作为一种其数据从天线被无线输入的非接触型ID芯片。该非接触型ID芯片包括在芯片中的FeRAM。当写入识别数据时，写入了表示数据是否被写入FeRAM的数据，由此一旦数据已经被写入了，就不需要额外写入数据到ID芯片的FeRAM。
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公开(公告)号：CN1929152A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610100799.7
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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公开(公告)号：CN1920936A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610139583.1
申请日：1995-08-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1917232A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610103002.9
申请日：2000-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/423
Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。
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公开(公告)号：CN1914732A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003483.X
申请日：2005-01-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/786 , G06K19/07
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 本发明提供一种功率通过尽可能地抑制功耗来稳定的半导体器件。本发明的半导体器件包括每个包含多个晶体管的逻辑部分和存储部分，检测逻辑部分和存储部分的工作频率的一个或全部两个的检测部分，提供第V控制信号到逻辑部分和存储部分的一个或全部两个的第V控制，以及天线。多个晶体管的每个具有输入有逻辑信号的第一栅电极，输入有第V控制信号的第二栅电极，以及半导体薄膜，使得第二栅电极、半导体薄膜和第一栅电极从底部开始以该顺序提供。
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公开(公告)号：CN1909199A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610101669.5
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。
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公开(公告)号：CN1881609A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093450.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1874026A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610099717.1
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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