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公开(公告)号：CN113607975B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110805167.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01P21/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种用于MEMS传感器的位置检测与校准装置，所述装置为中心对称结构，包括基板、中心支撑台、可动电极、固定电极、悬臂梁、斜置梁和环形梁，中心支撑台位于基板的中心，中心支撑台四条边的中心处通过悬臂梁与可动电极连接，中心支撑台四个角连接有斜置梁，斜置梁连接环形梁，环形梁的另外一端通过瞄点固定在基板上，可动电极与固定电极相对，构成等间距交叉分布的梳齿状的电容对，固定电极通过锚点固定在基板上。本发明装置用于检测MEMS传感器是否位于微型平台中心，达到高灵敏度检测和校准MEMS传感器的位置的目的，实现MEMS传感器位置的高精度校准。
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公开(公告)号：CN118164426A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410278647.4
申请日：2024-03-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI封装的高灵敏度MEMS触觉传感器。本发明包括SOI器件和SOI盖板。所述SOI器件包括三轴力检测单元和第一硅键合框；所述第一硅键合框作为整个SOI器件的封装支撑结构，并与上方的SOI盖板进行键合固定为整体。所述SOI盖板包括接口层和传递层；所述接口层包括多条金属导线和硅封装盖；所述传递层包括多个触觉凸台、多个硅垂直台和第二硅键合框；本发明通过SOI盖板的设计提升了封装机械坚固性并且降低了所需封装压力，降低了封装难度与成本。采用SOI封装技术减少了电路干扰，降低器件间的串扰效应并拥有良好的电气隔离，有助于提高MEMS触觉传感器的信噪比、灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN113916433B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111023625.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L5/165
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度的三维力和力矩解耦触觉传感器结构。本发明包括中心质量块和围绕在中心质量块周围的电容检测单元；所述的中心质量块作为受力单元，将施加在触觉传感器上的力和力矩传递给相应的电容检测单元进行检测，所述中心质量块与玻璃衬底上的固定金属电极形成一个平行板电容用于检测Z轴法向力；本发明选择栅型电容作为触觉传感器的力检测单元，通过差分检测方式实现力的检测，具有更高的灵敏度和更好的线性度；选择栅型电容作为触觉传感器的力矩检测单元，通过倾斜极板电容原理实现力矩检测；通过设计不同的电极结构和尺寸，实现了多维力与力矩的解耦，具有更小的维间串扰。
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公开(公告)号：CN117819471A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311844509.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法，包括以下步骤：在玻璃基板上制造出与阵列的MEMS压阻式触觉传感器上焊盘等大小、等间距的通孔，通孔填入导电金属材料；将触觉传感器倒装在玻璃基板，实现触觉传感器与玻璃基板下集成ASIC芯片电气通信。在硅衬底上制备出力传递微结构盖帽、固定框架；倒模出可产生变形的弹性结构；将力传递微结构盖帽和固定框架接合在一起，完成上层盖板制备；将上层盖板和MEMS压阻式触觉传感器对准键合。实现外部作用力与MEMS压阻式触觉传感器之间间接软接触，外部作用力通过力传递微结构盖帽，可以将力精准传递到阵列的MEMS压阻式触觉传感器的敏感元件上。
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公开(公告)号：CN117799328A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410081991.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B41J2/16
Abstract: 本发明属于压电喷墨打印机喷头技术领域，具体涉及用于压电式喷墨打印机喷头的特斯拉阀设备及其制备工艺。设备包括特斯拉阀和压电振动板；特斯拉阀内部设有管道结构；管道结构包含若干个交替排列连接的管路分支；每个管路分支均具有两条管路，其中一条管路为正向直道，呈倾斜状；另一条管路为弯道，弯道弯曲成半环状，并回连到正向直道上；管道结构两端分别与进液墨水储存腔和喷液墨水储存腔相连接；压电振动板位于喷液墨水储存腔的上方；压电振动板被激活时，产生压力波动，用于控制墨水的流动状态。本发明具有能够精确控制墨水的流向和流速，同时具备耐磨和长寿命的特性，以满足高分辨率、高速度和高质量打印需求的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117286571A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311512484.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B28/14 , C30B25/00 , C30B29/46 , C30B29/64 , C01G41/00 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及提高生长前驱体量的二维过渡金属硫族化合物制备装置，属于二维材料领域，包括管式炉、开口石英舟A、开口石英舟B；所述管式炉的前端设有惰性气体进气口，末端设有惰性气体出气口，内部从前至后依次设置连通的预热区和加热区；所述开口石英舟A放置在预热区中，开口石英舟B放置在加热区中，开口石英舟A的开口端与开口石英舟B的开口端相对；所述开口石英舟A和开口石英舟B之间设有第一石英挡板，开口石英舟A的前方还设有第二石英挡板，第一石英挡板和第二石英挡板上设有若干通孔。本发明涉及的装置能够将更多的前驱体携带至加热区内，且分布更加均匀，让基体更加稳定的成核，提高生长二维过渡金属硫族化合物薄膜的可靠性。
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公开(公告)号：CN116952442A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310618959.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自校准功能的带方向性检测的触觉传感器。本发明包括力检测模块和位于力检测模块内的自校准模块。力检测模块为两种不同类型的硅梁，分别是测量z轴应力的硅梁和测量x/y轴应力的硅梁。自校准模块包括压电材料和电极；压电材料分别位于两种不同类型的硅梁上方，利用逆压电效应驱动硅梁产生机械应变，以实现触觉传感器的自校准。本发明中的测量x/y轴应力的硅梁形状为圆弧状而非传统的直梁，在相同应力作用下可以产生更大的机械应变，从而扩大触觉传感器的灵敏度，并且通过输出的电阻变化量的趋势，对触觉传感器所受外力进行方向检测。还发明还可通过自校准模块对触觉传感器进行自校准和误差补偿。
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公开(公告)号：CN116786507A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310006024.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够实时变化频率的智能超声波清洗系统，整个系统由4个部分组成，包括：由MCU处理器、ASIC芯片和外围电路组成的驱动部分；由超声波清洗振盒和超声波清洗槽组成的功率部分；由采样电路和报警电路组成的保护部分；由触摸屏组成的交互部分。驱动部分控制整个超声波清洗系统工作，功率部分将驱动部分的电源输出信号作用在超声波清洗振盒两端，保护部分当出现异常情况时进行保护，交互部分由触摸屏构成。本发明当发生过压、过流和过温情况时能够做出快速反应，系统的可靠性和安全性大大提高，并使得输出到超声波清洗振盒的正弦交流信号能实时改变，让清洗槽中的超声波场分布更加均匀，清洗效果更好。
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公开(公告)号：CN115711691A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211399694.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗惯性干扰的多力信号MEMS传感器及其制作方法。本发明采用电容式测量原理，即通过改变电容极板对之间的间距来改变电容值，从而反映力信号的大小，包括中央凸台，可动主板，Z轴极板，内部梳齿，外部梳齿，外部梳齿上电极，U型梁，外围固定梁，外围固定梁上电极。本发明将原本应为固定梳齿的结构改为了位于外部的可动的梳齿，这样使得惯性作用到来时，内部梳齿和外部梳齿共同发生位移，大大减小了导致干扰信号产生的相对位移，从而实现了抗惯性干扰的功能。另外外部梳齿的厚度大于内部梳齿的厚度，Z轴极板的面积大于玻璃板上电极的面积，这使得传感器在能够实现六轴力、力矩信号检测的同时，可以实现各个信号之间的解耦。
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公开(公告)号：CN115574988A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211241232.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微结构和二维金属硫化物的压力传感器，其包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述的上层柔性结构包括上层柔性基底和导电薄膜，导电薄膜贴合于上层柔性基底的下表面，导电薄膜为二维过渡金属硫化物导电薄膜，导电薄膜的两端设有电极；所述的下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面凸出有若干微结构；微结构与导电薄膜接触，下层柔性基底的上表面除了微结构的部分与导电薄膜之间接触或者存在空隙。本发明在下层柔性基底上均设有凸出的微结构，可增大导电薄膜受压时的形变量，可对微小的力作出反馈，具有灵敏度高、检测范围广和检测极限高的优点。
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