基于污区判别准确度的不同伞型绝缘子积污比优化算法

    公开(公告)号:CN109597961B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN201811222344.1

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于污区判别准确度的不同伞型绝缘子积污比优化算法。不同伞型绝缘子之间盐密的换算是现场确定污秽度等级的重要手段,目前,不同伞型绝缘子之间的积污比多采用取算数平均值法或几何平均值法,上述方法没有考虑换算结果对污秽度等级判定的影响,产生误判比例较大。本发明通过分析不同类型绝缘子的盐密数据,基于设定的折算积污比获得基准绝缘子的折算污区等级,通过折算积污区等级与实际污区等级的对比分析,得到目标绝缘子对基准绝缘子的积污比,用于污区等级的划分。本发明考虑了绝缘子积污比对污区等级判别误差的影响,能够有效提升现场污区等级判别准确度。

    复合绝缘子发热缺陷局部温差计算方法及系统

    公开(公告)号:CN113358227B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110431256.8

    申请日:2021-04-21

    Abstract: 本发明公开了一种复合绝缘子发热缺陷局部温差计算方法及系统。目前的方法依赖人工识别复合绝缘子红外图谱发热区域、确定温度对比基准点,容易受到操作人员主观影响;对于部分表面温度变化较慢的发热缺陷,人工难以准确确定发热区域的边缘和基准点,给局部温差的计算带来误差。本发明为一种利用复合绝缘子芯棒温度分布及其低频分量梯度信息确定发热缺陷局部温差的方法及系统,其通过温度梯度自动确定复合绝缘子发热区域范围,并采用所识别的发热区域温度跨度作为局部温差,避免了人工识别复合绝缘子红外图谱发热区域和确定温度对比基准点容易受主观影响的不足,可大幅提升现场复合绝缘子发热缺陷局部温差计算准确度与计算效率。

    一种镜面单锥天线的圆弧型电路

    公开(公告)号:CN114824777A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210569779.3

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种镜面单锥天线的圆弧型电路,包括:单锥天线垂直倒立放置在镜像地的中央,匹配负载均匀设置在镜像地的周围,所述匹配负载的一端连接单锥天线的底座上,匹配负载的另一端连接镜像地的边缘上;馈线通过SMA接头连接馈源,所述馈源为电路提供信号;馈线连接单锥天线倒立的顶端和镜像地;单锥天线的母线与镜面地的半径相等;本发明能够改善镜面单锥天线的低频匹配特性及空间场特性,将单锥天线的低频下限拓展至直流。本发明所设计的圆弧型加载镜面单锥天线能够用于高空电磁脉冲、雷电电磁脉冲、超宽带高功率微波等多类型瞬态电磁脉冲传感器的标定,对于复杂电磁环境的测量及电磁环境效应防护的研究具有重要意义。

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