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公开(公告)号：CN114824777B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210569779.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种镜面单锥天线的圆弧型电路，包括：单锥天线垂直倒立放置在镜像地的中央，匹配负载均匀设置在镜像地的周围，所述匹配负载的一端连接单锥天线的底座上，匹配负载的另一端连接镜像地的边缘上；馈线通过SMA接头连接馈源，所述馈源为电路提供信号；馈线连接单锥天线倒立的顶端和镜像地；单锥天线的母线与镜面地的半径相等；本发明能够改善镜面单锥天线的低频匹配特性及空间场特性，将单锥天线的低频下限拓展至直流。本发明所设计的圆弧型加载镜面单锥天线能够用于高空电磁脉冲、雷电电磁脉冲、超宽带高功率微波等多类型瞬态电磁脉冲传感器的标定，对于复杂电磁环境的测量及电磁环境效应防护的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114371365A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210030652.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司 , 西安交通大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种电缆缺陷定位方法、设备及存储介质，用以解决现有电缆缺陷定位方法，不能对电缆缺陷进行精确定位的技术问题。本发明的方法包括：信号发生器将第一预设探测信号由待测电缆首端输入，信号采集器在待测电缆首端采集第一预设探测信号的探测返回信号；对探测返回信号进行希尔伯特变换以获得变换信号，并基于变换信号及探测返回信号，确定待分析复数信号；其中，待分析复数信号用于分析待测电缆的缺陷位置；将待分析复数信号与第二预设探测信号进行相关性比较，以确定待测电缆的缺陷位置。本发明解决了现有电缆缺陷定位方法，不能对电缆缺陷进行精确定位的技术问题。
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公开(公告)号：CN115021808A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210608873.5
申请日：2022-05-31
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: H04B10/079 , G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种远程衰减可调节的电磁脉冲光纤测量系统及方法，属于高功率电磁脉冲辐射测量技术领域，本发明公开的多功能脉冲辐射测量的光纤传输系统，将衰减器内置到光发射机里，通过光纤控制信号远程控制衰减系数，光纤传输系统除了实现基础的信号传输功能外，能够拓宽可测量的信号动态条件范围。根据预估及实测信号幅值大小，实时调节衰减系数，实现光纤测量系统的前后端闭环反馈，可实现多样化的高功率电磁脉冲辐射测量需求。本发明的系统能够保证测量系统抗电磁干扰的同时，实现远程控制调节衰减系数，保证测量工作的有效开展，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN114859162A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210611942.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: G01R31/00 , G01R31/327 , G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电场的非接触式柔直系统关键设备动作时序检测方法及系统，通过监测和判断关键设备在系统操作及故障条件下引起的瞬态电场信号作为判断设备动作时序的有效手段。本发明通过实验验证，系统操作及故障条件下引起瞬态电场信号可以作为监测和判断设备动作时序的有效手段，且时序检测精度高达微秒级别，远高于目前直流输电系统内电压、电流信号监测系统的响应速度，同时该方法具有成本低、非接触式、操作灵活等优点，在柔直系统设备状态监测的应用中具有潜在工程价值。
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公开(公告)号：CN114371365B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210030652.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网浙江省电力有限公司 , 西安交通大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种电缆缺陷定位方法、设备及存储介质，用以解决现有电缆缺陷定位方法，不能对电缆缺陷进行精确定位的技术问题。本发明的方法包括：信号发生器将第一预设探测信号由待测电缆首端输入，信号采集器在待测电缆首端采集第一预设探测信号的探测返回信号；对探测返回信号进行希尔伯特变换以获得变换信号，并基于变换信号及探测返回信号，确定待分析复数信号；其中，待分析复数信号用于分析待测电缆的缺陷位置；将待分析复数信号与第二预设探测信号进行相关性比较，以确定待测电缆的缺陷位置。本发明解决了现有电缆缺陷定位方法，不能对电缆缺陷进行精确定位的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114824777A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210569779.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种镜面单锥天线的圆弧型电路，包括：单锥天线垂直倒立放置在镜像地的中央，匹配负载均匀设置在镜像地的周围，所述匹配负载的一端连接单锥天线的底座上，匹配负载的另一端连接镜像地的边缘上；馈线通过SMA接头连接馈源，所述馈源为电路提供信号；馈线连接单锥天线倒立的顶端和镜像地；单锥天线的母线与镜面地的半径相等；本发明能够改善镜面单锥天线的低频匹配特性及空间场特性，将单锥天线的低频下限拓展至直流。本发明所设计的圆弧型加载镜面单锥天线能够用于高空电磁脉冲、雷电电磁脉冲、超宽带高功率微波等多类型瞬态电磁脉冲传感器的标定，对于复杂电磁环境的测量及电磁环境效应防护的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117031143A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310782224.1
申请日：2023-06-28
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 中电普瑞电力工程有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直流变压器子模块测试电路及其控制方法。现有的直流变压器子模块测试方法只适用于变压器原副边均为H桥的子模块拓扑，不适用于均压电路+LLC谐振变换器方案的直流变压器子模块测试。本发明的直流变压器子模块测试电路，包括Boost电路和试验电源；所述的Boost电路包括电容和电感，所述的电容和电感串联后用于连接直流变压器原边的子模块输入端；所述的试验电源，其用于与直流变压器副边的子模块直流输出侧相连，为子模块提供损耗能量。本发明实现了均压电路+LLC谐振变换器子模块等效功率测试和性能检测。
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公开(公告)号：CN116125214B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211207537.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种局部放电与电树枝变频测量方法及系统，属于电缆绝缘老化技术领域。本发明的一种局部放电与电树枝变频测量方法，通过构建测量起树参数模型、起树电压分析模型、分析处理模型，完成被测试样的局部放电与电树枝变频测量，进而本发明可以得到绝缘介质中电树枝生长和局部放电发展之间的关系，能够通过分析局部放电信息来准确评估绝缘介质绝缘状态，有效发现并排除潜在性绝缘故障，方案科学合理，切实可行。进一步，本发明构建测量起树参数模型、起树电压分析模型对被测试样的起树电压和频率进行设置以及控制，从而能够较为全面的获取被测试样的监测数据，便于准确监测电力电缆的绝缘老化，考量因素全面，利于推广使用。
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公开(公告)号：CN116309483A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294095.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06T7/00 , G06T5/00 , G06T7/70 , G06N3/0895
Abstract: 本发明公开了一种基于DDPM的半监督变电设备表征缺陷检测方法及系统，涉及缺陷检测技术领域，具体步骤为：获取正常设备的图像数据作为样本图片；以DDPM网络为基本框架构建初步深度学习网络模型；利用样本图片对初步深度学习网络模型进行训练，获得最终深度学习网络模型；将待检测的图像数据输入最终深度学习网络模型获得重建图像数据；基于待检测的图像数据与重建图像数据的差值确定缺陷位置。本发明能够实现变电设备表征缺陷检测，具有较高的准确率，并且具有稳定性好，通用性高等优点，具有良好的鲁棒性，能够应用于变电现场智能监管系统。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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