-
公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
-
公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
-
公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
-
公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
-
公开(公告)号：CN108398185A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810231814.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明公开了一种振动传感器在线校准方法。目前，由于振动传感器受制于不便或不能拆卸等原因，振动传感器的校准必须停机、停电，必须将传感器整套拆卸下来送到实验室检测，必须依靠标准振动台；不仅对设备要求高，而且人员工作量大；尤其是必须停机停电，与状态监测检修趋势相背离。本发明采用的技术方案为：所述的振动传感器上设有信号线圈，形成用于测量振动传感器位移及特性参数的测量电路；在振动传感器上增加校准线圈，通过传递函数比拟方程，确定信号线圈和校准线圈之间的关系，通过电校准实现现场校准或原位校准。本发明在振动传感器工作时实现现场校准或原位校准，实现振动数据在不间断产生及传输的过程中实时进行校准。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119673887A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510176430.7
申请日：2025-02-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种功率模块散热结构，涉及功率模块散热技术领域。现有功率模块散热无法满足毫秒级热冲击的散热要求。本发明提供一种功率模块散热结构，包括：功率模块，功率模块包括芯片及芯片下方的基板，功率模块还包括：位于芯片源极区域上方的上散热部；上散热部的封闭内腔中设置相变材料，上散热部设置热管骨架，热管骨架用于功率模块的散热并用于向所述相变材料传递热量。本发明通过内置相变材料的热管骨架替代常见的金属框架的散热架，可以及时将过流过载时的热量传导至相变材料处，满足瞬时散热需求。
-
公开(公告)号：CN119380748A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411918635.X
申请日：2024-12-25
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种基于PRPD图谱的声纹分析方法及装置，所述方法包括：响应于声纹监测设备从特高压换流变压器处采集到的声纹信号，对所述声纹信号进行加窗短时傅里叶变换，以得到声纹信号功率谱；针对所述声纹信号功率谱进行近超声频段能量提取，并对提取的近超声频段能量按照相位分布绘制PRPD声纹图谱；将绘制出的声纹图谱输入至预先训练得到的声纹分析模型中，以使所述声纹分析模型输出所述特高压换流变压器的放电情况。
-
公开(公告)号：CN114614254B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202210171979.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 王异凡 , 王少华 , 陈晓刚 , 马建国 , 黄辉 , 龚金龙 , 李治国 , 周绍华 , 单聚良 , 吴旭翔 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 张茹萱 , 万鑫 , 范俊 , 贺友杰 , 童跃升
Abstract: 本发明公开了用于传感器标定的镜面单锥天线设计方法及单锥天线系统，属于镜面单锥天线技术领域。现有的镜面单锥天线上的阻抗变换器，其输入阻抗不能灵活调整，导致单锥天线锥角不能调整，进而使得镜面单锥天线占地空间大，制造成本高。本发明的一种用于特高频传感器标定的镜面单锥天线设计方法，利用Klopfenstein阻抗渐变模型设计同轴阻抗变换器，以实现脉冲源与镜面单锥天线在宽频带的阻抗匹配，进而可以通过减小单锥天线锥角的方法，减小同样高度单锥天线的直径，从而缩减天线的占地面积，节约建设成本，使得镜面单锥天线结构更加紧凑；另一方面，采用Klopfenstein阻抗渐变设计阻抗变换器，能够实现阻抗变换效率最大化。
-
公开(公告)号：CN117471264A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311324163.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R19/00 , G01R19/175 , H02H7/122 , H02H5/04
Abstract: 本发明属于变流器电力电子器件的结温测量技术领域，具体涉及电压获取电路、获取方法、结温估算方法及过温保护方法。针对现有变流器的电力电子器件结温测量准确性不高的不足，本发明采用如下技术方案：功率半导体器件的膝盖电压获取电路，包括：导通压降测量模块；电流传感器；电流过零检测模块；模数转换模块；导通压降测量模块可实时获取功率半导体器件的导通压降值，并阻挡直流母线电压；电流过零检测电路可以实时感应变流器输出交流电流的过零点，并控制模数转换模块的使能，从而实现在电流过零点附件采集到功率半导体器件的膝盖电压。本发明的功率半导体器件的膝盖电压获取电路，通过获取电路得到膝盖电压的原始数据。
-
公开(公告)号：CN114355270B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210257580.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种特高频电磁脉冲传感器特性标定方法及系统，属于传感器特性标定技术领域。本发明的基于单锥天线的特高频电磁脉冲传感器特性标定方法，通过构建高功率亚纳秒前沿脉冲源以及镜面单锥天线，形成镜面单锥标定系统，所述高功率亚纳秒前沿脉冲源为基于雪崩三极管的全固态脉冲源，能用于实现特高频电磁脉冲传感器的标定，进而使得输出脉冲前沿达到百ps量级，峰值电压达到kV量级，从而能够产生高场强亚纳秒电磁脉冲标准场环境，能够实现对高幅值快前沿特高频电磁脉冲传感器的标定，从而大大提升GIS综合脉冲辐射环境测量水平，解决了高幅值快前沿特高频电磁脉冲测量传感器的标定问题，方案简单，实用，切实可行，便于实现。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.044 seconds)
