一种直流支撑电容器用复合电压试验装置

    公开(公告)号:CN112379310B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202011574330.3

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开一种直流支撑电容器用复合电压试验装置,复合电压试验装置主要由直流试验回路、工频试验回路、高频试验回路、测试回路和控制回路构成,直流试验回路的输出端与测试回路的一端并联连接,测试回路的另一端与工频试验回路、高频试验回路一端分别并联连接,控制回路包括信号采集、控制输出、控制器,控制回路的信号采集来自测试回路,控制回路的控制输出分别连接直流试验回路、工频试验回路、高频试验回路和测试回路。本发明结构简单,操作方便,可以满足直流支撑电容器电压试验需求。

    一种用于大容量脉冲功率装置的故障检测与接地保护系统

    公开(公告)号:CN118630711B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411099586.1

    申请日:2024-08-12

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了脉冲功率技术及应用领域的一种用于大容量脉冲功率装置的故障检测与接地保护系统,包括初步检测模块、二次验证模块和保护模块;初步检测模块用于通过反向电流出现的位置判断故障电容器位置,并输出第一故障信号,根据第一故障信息,限制注入故障电容器的电流;二次验证模块用于对全部电容器进行检测,获得全部电容器的故障特征信号,并根据故障特征信息数值大小的分布,输出第二故障信号;保护模块用于根据第一故障信号和第二故障信号判断故障电容器位置,对非故障电容器进行接地保护,用于解决现有技术中存在的使用罗氏线圈进行故障检测,电容器故障电流产生的电磁场影响罗氏线圈检测数据准确度较低的问题。

    一种光伏逆变器直流母线电容状态监测方法

    公开(公告)号:CN119335442A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411362047.2

    申请日:2024-09-27

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供一种光伏逆变器直流母线电容状态监测方法,属于电容器状态监测技术领域。该方法基于电容等效电路的幅频响应来实现,通过建立直流母线电容的等效电路,并构建其阻抗特性方程。利用直流母线电流和电网网侧电流重构得到光伏逆变器待监测直流母线电容电流,接着采集直流母线电容电压和重构后的电容电流,并使用滤波器进行处理。基于滤波处理后的电压和电流信号,利用傅里叶变换提取相应的幅值和相角,根据直流母线电容等效电路的阻抗特性,并结合幅频响应,求解得到电容的等效串联电阻值ESR和理想电容值C。该方法仅利用系统现有元件,无需添加额外的传感器,通过两个参数共同监测电容状态,具有很高的可靠性,能够扩展到其它的变流器应用。

    电容器健康诊断系统和方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118715448A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202280091504.1

    申请日:2022-05-05

    Inventor: H·李 R·努基

    Abstract: 在实施例中,一种电子电路包括:一个或多个输入端子,其被配置成接收测量数据;以及控制器,其被配置成:基于流过联接到线路节点的第一电路的第一电流来确定第一谐波电流,其中测量数据包括指示第一电流的第一电流数据;基于流过联接到线路节点的AC滤波器的滤波器电流来确定滤波器谐波电流,其中测量数据包括指示滤波器电流的滤波器电流数据;以及基于第一谐波电流和滤波器谐波电流来生成指示第一电容器或电容器组的失效、退化或故障的第一标志,其中AC滤波器包括该第一电容器或电容器组。

    积层陶瓷电容瑕疵检查方法及设备

    公开(公告)号:CN118362944A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202311112783.8

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 本发明提供一种积层陶瓷电容瑕疵检查方法及设备,该积层陶瓷电容瑕疵检查方法包括:提供积层陶瓷电容作为待测元件置于一测试板上表面的一座槽,并位于一第一上端子及一第一探针之间形成回路;在对该积层陶瓷电容进行充电的该回路上,检查电压上升或下降的过程,在充电的电压/时间的座标曲线图中,是否有瞬间不在同一斜率的线上的异常讯号,如有,定义其为检知到该积层陶瓷电容内部存在裂痕的瑕疵的讯号;借此以低成本的电子回路检查积层陶瓷电容内部瑕疵。

    半导体测试结构及其制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118352345A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410383127.X

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本公开涉及一种半导体测试结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,半导体测试结构中,导电结构包括位于衬底上的导电层,及位于导电层与衬底之间的至少一个导电插塞,导电层经由至少一个导电插塞与衬底电连接;多个层间导电条沿第一方向延伸、沿第二方向间隔排布,且周向环绕有导电层,层间导电条与导电层之间还设置有隔离侧墙,至少能够及时简便地检测出芯片中是否存在电容的电性缺陷。

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