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公开(公告)号：CN101723675A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910308549.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C07F5/05
Abstract: 氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法，它涉及陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了目前氮化硼陶瓷聚合物先驱体热稳定性差、陶瓷产率低，制备方法条件苛刻、生产周期长的问题。本发明的氮化硼陶瓷有机先驱体的结构式为：其中n＝1、2或3。本发明方法如下：将三氯硼吖嗪和苯胺加入到甲苯中，搅拌，过滤除去深沉物质，然后将滤液加热并保温，最后再减压蒸馏脱除甲苯得到氮化硼陶瓷有机先驱体。本发明氮化硼陶瓷有机先驱体可以用于制备氮化硼陶瓷纤维、薄膜、泡沫、异形体和粉体。
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公开(公告)号：CN101708828A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910310297.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。
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公开(公告)号：CN101224876A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101104518A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710072702.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/08 , C01B21/082 , C04B35/5835 , C04B35/14
Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN1962433A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151102.9
申请日：2006-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线及其制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24％的碳、53～68％的硅和11～40％的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1217162C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02132939.7
申请日：2002-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学科技发展有限责任公司
IPC: G01F15/04
Abstract: 补偿式热式气体质量流量计，它涉及一种测量气体流量的仪表。它包含了被测管道(2)，它还包含了被测管道的参比室(3)和信号采集电路(1)，参比室(3)安装在被测管道(2)的一侧上，并留有一个边隙(3-1)、另一个边隙(3-2)，使参比室(3)与被测管道(2)相通；铂电阻Rt1安装在被测管道(2)中，铂电阻Rt2、铂电阻Rt3安装在被测管道的参比室(3)中；信号采集电路(1)由主电桥(1-1)、副电桥(1-2)、信号比较电路(1-3)组成。本发明具有测量准确，稳定；不会因为气体的温度、压力、成分的变化而使测量的准确性下降；它还具有在不同条件下零点稳定的优点。
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公开(公告)号：CN119979927A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510154832.7
申请日：2025-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过多元微合金化以及热处理调控制备高强耐热Al‑Si共晶合金的方法，涉及一种制备高强耐热Al‑Si共晶合金的方法。本发明是要解决目前Al‑Si共晶合金的强度以及耐热性不佳的技术问题。本发明所制备的合金需要经过熔炼‑重熔‑T6热处理等过程达到高硬和高强，其中通过T6热处理工艺调控组织形貌以及第二相，微量金属元素的加入出现了孪晶+层错的独特显微组织；多元微合金化合金元素的引入，显著提升了Al3(Zr,Er,Sc)‑L12相的体积分数，增强了孪晶+层错对于位错的一致作用，满足了Al‑Si共晶合金的高温服役条件。
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公开(公告)号：CN119797917A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510037128.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C23C4/10 , C23C4/134 , C23C4/129 , C04B35/622 , C04B35/505
Abstract: 本发明公开了一种耐长时高温氧化的纳米结构热防护涂层及其制备方法，所述纳米结构热防护涂层以陶瓷基复合材料作为基体，在基体表面依次喷涂粘结层和复合成分涂层，具体制备步骤如下：采用喷雾造粒的方法，制得纳米结构自愈合添加剂/Re2Si2O7球型粉体；以陶瓷基复合材料作为基体，在其表面制备粘结层；三、将纳米结构自愈合添加剂/Re2Si2O7球型粉体沉积在粘结层表面，形成复合成分涂层。本发明首次将自愈合添加剂/Re2Si2O7制备为适用于热喷涂的纳米结构球形粉体，为该高性能材料在热喷涂纳米结构涂层上的实施提供方法。本发明制备的涂层高温下相结构稳定，喷涂过程粉体未相变，与基体具有良好的热膨胀系数匹配性。
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公开(公告)号：CN119751060A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411992508.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/638 , C23C14/30 , C23C14/08 , C23C14/02
Abstract: 本发明公开了一种超高温EB‑PVD热障涂层的制备方法，所述方法以纳米Sm2O3粉体、纳米Eu2O3粉体、纳米Tb2O3粉体、纳米Dy2O3粉体、纳米Lu2O3粉体和纳米ZrO2粉体五种稀土氧化物与氧化锆先通过喷雾造粒获得靶材原料粉体；经过筛分获得不同粒径配比球型粉体，利用冷等静压制作靶材生胚，随后烧结生胚靶材；利用EB‑PVD技术在涂有粘结层的样品表面沉积高熵锆酸盐陶瓷涂层。本发明制备的涂层具有较好的高温相稳定性、与基体材料更匹配的热膨胀系数和极低的高温热导率，尤其是在1700℃高温服役条件下物相、结构和成分的稳定性良好，可取代当前使用的单一体系EB‑PVD材料，提高现有热障涂层的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN118326310A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452329.5
申请日：2024-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电击穿强度纳米结构氧化铝绝缘涂层，所述纳米结构氧化铝绝缘涂层的制备步骤如下：一、在球磨机中加入去离子水、磨球、分散剂、亚微米氧化铝粉体、纳米氧化铝粉体、粘结剂和消泡剂球磨，得到浆料；二、对浆料进行喷雾造粒，得到氧化铝团聚粉体；三、将氧化铝团聚粉体进行固相烧结，通过对固相烧结后的粉体进行筛分，得到纳米结构氧化铝喂料粉体；四、将纳米结构氧化铝喂料粉体进行大气等离子喷涂，制备出具有高介电击穿强度的纳米结构氧化铝绝缘涂层。该方法利用纳米级尺寸氧化铝的高烧结活性，使得粉体中尽可能保留更多的纳米尺寸粉体，从而有效提升制备涂层的介电击穿强度。
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