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公开(公告)号：CN105647530B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610071227.4
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种金属卤化物无机钙钛矿量子点的制备方法。首先将金属卤化盐BX2和AX溶解在DMSO中，并加入表面活性剂，之后将混合液快速注入到反应溶剂中，最后BX2和AX在表面活性剂的作用下迅速反应生成不同形貌的ABX3型金属卤化物无机钙钛矿量子点。本发明在低温溶液法体系中通过使用不同的表面活性剂和反应溶剂改变金属卤化物无机钙钛矿量子点的形貌，进而实现了对金属卤化物无机钙钛矿量子点性能的调控，对于构筑高性能全溶液的光电器件具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN105973808A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610534589.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: G01N21/01 , G01N21/718
Abstract: 本发明公开了一种液相激光烧蚀法制备纳米颗粒机理过程探测装置，包括烧蚀激光器、分束装置、扩束装置、第一聚焦透镜、靶材、透明水槽、能量计、探测光激光器、第二聚焦透镜、第三聚焦透镜、光电探测器、示波器、照明激光器、衰减片、扩束装置、滤光片、CCD相机和脉冲延时触发器。本发明操作简单，用一个脉冲延时触发器控制所有仪器时序，实现光束偏转法和时间分辨阴影法的同步测量。本发明还公开了利用此探测装置的探测方法，创造性的综合了光束偏转法和时间分辨阴影法的优点，可以同步得到液相烧蚀过程序列图像又能得到具体细节波形数据，还创造性的利用光束偏转法测得的波形检测烧蚀烧蚀过程重复性，提高了时间分辨阴影法的准确度。
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公开(公告)号：CN105552185A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610071423.1
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管，由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备：首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层，然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点，再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层，最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极，得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄，色纯度高，稳定性好，性能优异，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN105331362A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510889786.1
申请日：2015-12-07
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法，该发光量子点为CsPbX3，式中X＝AxB1-x，0≤X≤1，A和B为Cl、Br、I中的任意一种。该方法包括如下步骤：首先将卤化铅和卤化铯溶于二甲基甲酰胺中，并加入表面活性剂油胺和油酸，搅拌完全溶解后得到前驱体溶液，然后将前驱体溶液以0.08～0.13mL/s的速度滴入不良溶剂中，匀速搅拌均匀即得无机卤素钙钛矿荧光量子点CsPbX3。本发明在常温下进行，不需要保护气体，设备简单，可规模化生产，通过选择卤素并调整其比例，可以得到全可见光波段发光。本发明的制备方法制得的无机卤素钙钛矿荧光量子点半高宽为16～39nm，荧光量子效率接近90％，且可稳定放置三月以上，可用于太阳能电池、激光、光探测器、发光二极管等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105297133A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510711198.9
申请日：2015-10-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量、大规模的新型二维材料单晶少层锑烯的制备方法。本发明采用液相超声剥离技术，以锑粉、乙醇、表面活性剂超声辅助剥离第五主族锑纳米片。首先将锑粉和乙醇在室温下混合，然后加入适量的表面活性剂，在一定功率下超声处理一段时间，从而大量制备出锑烯。通过调节制备工艺参数，能够实现对锑烯大小尺寸的调节。本发明反应条件温和，制备工艺简单，可用于大规模制备。利用本发明方法制备得到的少层锑烯厚度、大小均一，尺寸可调，纯度高，结晶度好。
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公开(公告)号：CN119996577A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411939405.1
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导阴离子交换实现多种加密信息显示的方法，其步骤为：将CsPbBr3量子点与PDMS混合制成复合薄膜；设计带有混淆信息的加密信息图案；利用阴离子交换溶液和调控激光参数实现不同程度的阴离子交换并在复合薄膜上完成带有混淆信息的加密信息图案；最终使用紫外线灯、470±10nm窄带滤光片和智能手机进行加密信息读取及解密。本发明操作简便、且显著降低了信息伪造的风险，提升了信息加密的层级和复杂度，实现了高效的加/解密功能。
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公开(公告)号：CN119753623A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410023492.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/52 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO3粉末、洁净的SiO2/Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO3粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的Ar/O2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2/Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO2/Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS2薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μm~78μm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。
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公开(公告)号：CN119486554A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311005847.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜电致发光Mini/Micro‑LED的制备方法，其包括：于匀胶机里，将聚乙烯咔唑溶液旋涂于ITO玻璃基片上作为空穴传输层，并做退火处理；将钙钛矿溶液旋涂于空穴传输层上，并做退火处理，形成钙钛矿薄膜；对钙钛矿薄膜采用激光处理，形成阵列化区域；采用真空镀膜的方法在阵列化薄膜上依次沉积电子传输层和电极，本发明实现了高分辨率的电致Mini/Micro‑LED显示。该方法无需巨量转移和模板就可满足不同分辨率的需求，也无需色转换这些步骤，使得转换效率更高，后期可进行大面积制备且有制备更高分辨率的阵列的潜力，操作简单，成本低。
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