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公开(公告)号：CN110846022A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911087852.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合提升CsPbBr3钙钛矿QLED性能的方法。所述方法在合成CsPbBr3钙钛矿量子点中引入聚合物，先在甲苯中溶解PbBr2和TOAB形成铅前驱体，再将其与聚合物的甲苯溶液共混，接着将Cs前驱体注入Pb前驱体和聚合物的共混液中，反应后加入DDAB的甲苯溶液，最后纯化得到量子点，并以此为发光层构筑QLED。本发明通过在前驱体中加入聚合物来平衡载流子传输，有效提高QLED器件性能。
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公开(公告)号：CN109742237A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811569338.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功能型APbBr3钙钛矿纳米管的小型光探测器，通过复合PbS纳米晶和Au纳米晶来增强这种纳米管探测器的性能，CsPbBr3钙钛矿纳米管复合Au纳米晶后，等离子增强的探测器对光的响应强度显著提高；在纳米管上复合PbS纳米晶后，将CsPbBr3纳米管光探测器的光响应区域拓展到红外波段，复合纳米晶的CsPbBr3纳米管可以极大地改善光探测器的性能，通过对比器件在光照和黑暗条件下探测器的I-V曲线，光照条件下光电流的最大值，比黑暗条件下高两个数量级，这一结果明显高于其他纳米结构的器件，且展现出了高稳定性和可重复响应特征。
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公开(公告)号：CN105609588B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610046489.5
申请日：2016-01-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Au纳米颗粒增强的高性能CsPbX3无机钙钛矿纳米晶可见光探测器。通过旋涂制备Au纳米颗粒增强层，运用离心制膜的方法组装无机钙钛矿感光活性层，然后通过热蒸发沉积以及刻蚀工艺制备叉指电极组装成可见光探测器。本发明所述的可见光探测器的探测波长范围可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节，能够覆盖整个可见光谱范围；且其探测速度快，响应时间小于毫秒，可用于快速响应的光探测以及光通讯领域。
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公开(公告)号：CN105647530B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610071227.4
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种金属卤化物无机钙钛矿量子点的制备方法。首先将金属卤化盐BX2和AX溶解在DMSO中，并加入表面活性剂，之后将混合液快速注入到反应溶剂中，最后BX2和AX在表面活性剂的作用下迅速反应生成不同形貌的ABX3型金属卤化物无机钙钛矿量子点。本发明在低温溶液法体系中通过使用不同的表面活性剂和反应溶剂改变金属卤化物无机钙钛矿量子点的形貌，进而实现了对金属卤化物无机钙钛矿量子点性能的调控，对于构筑高性能全溶液的光电器件具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN105552185A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610071423.1
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管，由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备：首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层，然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点，再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层，最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极，得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄，色纯度高，稳定性好，性能优异，具有广泛的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110846022B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201911087852.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合提升CsPbBr3钙钛矿QLED性能的方法。所述方法在合成CsPbBr3钙钛矿量子点中引入聚合物，先在甲苯中溶解PbBr2和TOAB形成铅前驱体，再将其与聚合物的甲苯溶液共混，接着将Cs前驱体注入Pb前驱体和聚合物的共混液中，反应后加入DDAB的甲苯溶液，最后纯化得到量子点，并以此为发光层构筑QLED。本发明通过在前驱体中加入聚合物来平衡载流子传输，有效提高QLED器件性能。
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公开(公告)号：CN106024999B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610365441.0
申请日：2016-05-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿量子LED发光效率的表面纯化法，其步骤为：1）向CsPbX3量子点溶液中加入絮凝剂，离心后取沉淀；2）将沉淀分散在有机溶剂中，再加入提纯溶剂，再次离心，取沉淀；3）将步骤2）中得到的沉淀再次分散在有机溶剂中，得到提纯后的CsPbX3量子点。本发明通过筛选不同的溶剂和循环次数对钙钛矿量子点进行表面纯化，减少量子点表面的配体数量，在保证光致发光量子产率的同时能够提高电荷注入率，从而获得高发光效率的QLED，纯化后的QLED的光致发光量子产率保持在90%以上，外量子效率从0.9%提高到3.2%。
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公开(公告)号：CN106784147B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201611223875.3
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种多孔增强高性能全无机钙钛矿可见光探测器制备方法，包括以下步骤：1)、在衬底上设置电极；2)、将钙钛矿CsPbXY2前驱体溶液涂在步骤1)的衬底上，其中，X为Cl、I或Br，Y为Cl、I或Br；3)、将步骤2)的衬底放入冷冻干燥箱内，在0℃，10Pa的状态下静置10h以上后取出，得到全无机钙钛矿可见光探测器。本发明的多孔增强高性能全无机钙钛矿可见光探测器制备方法制备过程简单，适合大批量生产。探测器没有添加任何表面活性剂，显著提高了探测器的外量子效率，创出同种材料的探测器领域为历史新高度。
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公开(公告)号：CN105552185B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610071423.1
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管，由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备：首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层，然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点，再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层，最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极，得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄，色纯度高，稳定性好，性能优异，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN105720204B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610071186.9
申请日：2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管，包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备：首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层，之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面，然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层，再热蒸发沉积空穴注入层，最后沉积阳极电极材料。本发明的发光二极管可调节量子点发光层材料的卤素配比覆盖可见光范围，发光稳定且发光效率高。
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