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公开(公告)号：CN118795731B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411269411.0
申请日：2024-09-11
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高分辨像元制造的量子点光刻胶，利用交联配体分子对量子点表面原始动态油酸配体进行原位取代：一方面，形成了“量子点‑配体‑聚合物”的三维交联网络结构，提高了高分辨光刻可加工性；另一方面，交联分子中巯基和酯基能够对量子点表面缺陷进行钝化，提升量子点的发光性能，将量子点薄膜荧光量子产率提高了200%甚至520%。另外，本发明提出的甲苯/氯苯/间二甲苯三元溶剂能够避免量子点团聚，实现了光刻的高分辨图案化，像元尺寸可缩小至2μm。本发明解决了量子点在光刻过程中配体脱落导致发光效率和稳定性退化、量子点容易团聚等问题，为超高清量子点显示提供了与现有半导体工艺兼容的、多种量子点普适的像元制造技术方案。
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公开(公告)号：CN109830618A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910048072.6
申请日：2019-01-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明为一种基于CsPbI3材料的白光发光二极管，该发光二极管通过透明导电ITO玻璃作为阴极衬底，采用旋涂等溶液法组装空穴注入层、空穴传输层、CsPbI3发光层，然后利用热蒸发沉积电子传输层以及金属电极，进而组装成发光二极管。本发明制备的发光二极管的发光稳定且发光效率高。
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公开(公告)号：CN118085854B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202211332950.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高效发光AgInZnS量子点的预先形核合成方法。所述方法先合成AgInZnS量子点，然后在醋酸银、醋酸铟、二水合醋酸锌、硫脲、油胺、油酸、正十二硫醇形成的反应溶液中加入少量预先合成的AgInZnS量子点，继续反应，获得预先形核的AgInZnS量子点。本发明方法简单易行，制得的AgInZnS量子点具有近100％的PLQY，适用于制备高发光效率的AgInZnS量子点发光器件。
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公开(公告)号：CN109742237B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201811569338.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功能型APbBr3钙钛矿纳米管的小型光探测器，通过复合PbS纳米晶和Au纳米晶来增强这种纳米管探测器的性能，CsPbBr3钙钛矿纳米管复合Au纳米晶后，等离子增强的探测器对光的响应强度显著提高；在纳米管上复合PbS纳米晶后，将CsPbBr3纳米管光探测器的光响应区域拓展到红外波段，复合纳米晶的CsPbBr3纳米管可以极大地改善光探测器的性能，通过对比器件在光照和黑暗条件下探测器的I‑V曲线，光照条件下光电流的最大值，比黑暗条件下高两个数量级，这一结果明显高于其他纳米结构的器件，且展现出了高稳定性和可重复响应特征。
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公开(公告)号：CN111384302A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811622059.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纤维状无机钙钛矿量子点发光二极管的全溶液的制备方法。所述方法先在柔性纤维上浸渍提拉沉积空穴注入层，然后依次浸渍提拉沉积空穴传输层，CsPbX3钙钛矿量子点、小分子材料和聚合物材料混合而成的发光层，电子传输层，再热蒸发沉积电极材料，得到发光均匀的纤维状无机钙钛矿量子点发光二极管。本发明工艺简单，材料利用率高，成本低，制得的量子点发光二极管发光均匀，可调节量子点发光层材料的卤素配比得到不同颜色的发光纤维。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119979154A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411970066.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于多重荧光防伪的铜基纳米晶材料，该材料的化学式Cs5Cu3Cl6I2，将其作为防伪材料涂覆于加密材料之上，形成防伪标志，其具有多重防伪效果，第一重防伪是在紫外光激发下产生特征荧光；第二、三重防伪是将防伪标志加入合适的溶剂，发光先会由天蓝色转变为深蓝色，再次加入极性溶剂，其会再转变为黄色，极性溶剂挥发完全后会再次转变为深蓝色，再次加入溶剂，会重新回到天蓝色；第四重防伪是将防伪标志温度升高，从天蓝色变为绿色；降低温度恢复为天蓝色。本发明具有无毒、发光效率高、寿命长、稳定性好等性质，加密与解密具有可恢复性，避免了因多次加密、解密等操作而导致的加密信息损毁，明显提高防伪效果。
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公开(公告)号：CN110846022A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911087852.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物复合提升CsPbBr3钙钛矿QLED性能的方法。所述方法在合成CsPbBr3钙钛矿量子点中引入聚合物，先在甲苯中溶解PbBr2和TOAB形成铅前驱体，再将其与聚合物的甲苯溶液共混，接着将Cs前驱体注入Pb前驱体和聚合物的共混液中，反应后加入DDAB的甲苯溶液，最后纯化得到量子点，并以此为发光层构筑QLED。本发明通过在前驱体中加入聚合物来平衡载流子传输，有效提高QLED器件性能。
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公开(公告)号：CN109742237A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811569338.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功能型APbBr3钙钛矿纳米管的小型光探测器，通过复合PbS纳米晶和Au纳米晶来增强这种纳米管探测器的性能，CsPbBr3钙钛矿纳米管复合Au纳米晶后，等离子增强的探测器对光的响应强度显著提高；在纳米管上复合PbS纳米晶后，将CsPbBr3纳米管光探测器的光响应区域拓展到红外波段，复合纳米晶的CsPbBr3纳米管可以极大地改善光探测器的性能，通过对比器件在光照和黑暗条件下探测器的I-V曲线，光照条件下光电流的最大值，比黑暗条件下高两个数量级，这一结果明显高于其他纳米结构的器件，且展现出了高稳定性和可重复响应特征。
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公开(公告)号：CN118795731A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411269411.0
申请日：2024-09-11
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高分辨像元制造的量子点光刻胶，利用交联配体分子对量子点表面原始动态油酸配体进行原位取代：一方面，形成了“量子点‑配体‑聚合物”的三维交联网络结构，提高了高分辨光刻可加工性；另一方面，交联分子中巯基和酯基能够对量子点表面缺陷进行钝化，提升量子点的发光性能，将量子点薄膜荧光量子产率提高了200%甚至520%。另外，本发明提出的甲苯/氯苯/间二甲苯三元溶剂能够避免量子点团聚，实现了光刻的高分辨图案化，像元尺寸可缩小至2μm。本发明解决了量子点在光刻过程中配体脱落导致发光效率和稳定性退化、量子点容易团聚等问题，为超高清量子点显示提供了与现有半导体工艺兼容的、多种量子点普适的像元制造技术方案。
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公开(公告)号：CN118085854A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211332950.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高效发光AgInZnS量子点的预先形核合成方法。所述方法先合成AgInZnS量子点，然后在醋酸银、醋酸铟、二水合醋酸锌、硫脲、油胺、油酸、正十二硫醇形成的反应溶液中加入少量预先合成的AgInZnS量子点，继续反应，获得预先形核的AgInZnS量子点。本发明方法简单易行，制得的AgInZnS量子点具有近100％的PLQY，适用于制备高发光效率的AgInZnS量子点发光器件。
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