公开(公告)号：CN117255578A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310045781.5

申请日：2023-01-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 相恒阳 ,  王润 ,  曾海波

IPC: H10K50/13 ,  H10K50/10 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种多色发光中心共同电致发光的单芯片钙钛矿发光二极管。本发明以标准红、绿、蓝三色钙钛矿发光体分别作发光层，形成的独立的多色发光中心，然后利用多层结构的中间连接层将各个发光中心串联起来形成一个具有双色或者三色发光中心的单芯片级联器件，其中ICL层是由N型和P型半导体组成。在外置正向电压驱动下，中间连接层中电荷产生界面产生载流子，通过载流子传输层传输，分布到不同的发光中心，与从电极的注入的载流子复合发光，最终实现不同的发光中心共同电致发光。

公开(公告)号：CN116425657B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310710384.5

申请日：2023-06-15

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 曾书玉 ,  王润 ,  谢涛 ,  相恒阳

IPC: C07C257/12 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种绿光钙钛矿量子点、合成方法、由其获得的发光层及包含该发光层的发光二极管，其步骤为：将碳酸铯和乙酸甲脒分别溶解于辛酸中制备铯源和甲脒源前驱体溶液；将前述溶液混合形成铯与甲脒共存的前驱体溶液，并将此混合溶液快速注入铅源前驱体溶液反应，经配体交换、钝化、提纯，得到量子点。本发明通过调控铯和甲脒阳离子的浓度熵的比值，促使甲脒离子在钙钛矿量子点中从内到外呈现梯度分布，获得具有同型异质结结构的钙钛矿量子点。该结构赋予钙钛矿量子点宽波长范围的精准可调特性，且表现出高色纯度和杰出的发光稳定性。此钙钛矿量子点可应用于开发具有高色纯度，广色域的显示器件。

公开(公告)号：CN117693263A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311673365.6

申请日：2023-12-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 相恒阳 ,  王润 ,  曾海波

IPC: H10K71/00 ,  H10K50/80 ,  H10K50/125 ,  G02B5/28

Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种高效量子点全色微型显示方法，所述方法包括：以ITO玻璃为衬底，制备单一发光层的量子点电致白光发光二极管；转移多个微型干涉滤光片使之分别覆盖在所述二极管的ITO玻璃的白光发光表面，使得多个微型干涉滤光片过滤出红、绿、蓝三种颜色的光，实现全彩像素点发光。本发明提出的显示技术实现的显示器件能够在0°至30°视角范围内维持色彩质量的真实性与稳定性，能够满足近眼微型显示应用的要求，本发明提供的显示技术方法具有低成本，制备程序简单的优点，可以避免繁琐的发光二极管芯片巨量转移和低良率的难题。

公开(公告)号：CN116425657A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310710384.5

申请日：2023-06-15

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 曾书玉 ,  王润 ,  谢涛 ,  相恒阳

IPC: C07C257/12 ,  C09K11/06 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种绿光钙钛矿量子点、合成方法、由其获得的发光层及包含该发光层的发光二极管，其步骤为：将碳酸铯和乙酸甲脒分别溶解于辛酸中制备铯源和甲脒源前驱体溶液；将前述溶液混合形成铯与甲脒共存的前驱体溶液，并将此混合溶液快速注入铅源前驱体溶液反应，经配体交换、钝化、提纯，得到量子点。本发明通过调控铯和甲脒阳离子的浓度熵的比值，促使甲脒离子在钙钛矿量子点中从内到外呈现梯度分布，获得具有同型异质结结构的钙钛矿量子点。该结构赋予钙钛矿量子点宽波长范围的精准可调特性，且表现出高色纯度和杰出的发光稳定性。此钙钛矿量子点可应用于开发具有高色纯度，广色域的显示器件。

公开(公告)号：CN119486554A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202311005847.4

申请日：2023-08-10

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈军 ,  马腾 ,  相恒阳 ,  王润 ,  王益飞 ,  梁璐萌 ,  李振华 ,  曾海波

IPC: H10K71/20 ,  H10K71/40 ,  H10K71/00 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜电致发光Mini/Micro‑LED的制备方法，其包括：于匀胶机里，将聚乙烯咔唑溶液旋涂于ITO玻璃基片上作为空穴传输层，并做退火处理；将钙钛矿溶液旋涂于空穴传输层上，并做退火处理，形成钙钛矿薄膜；对钙钛矿薄膜采用激光处理，形成阵列化区域；采用真空镀膜的方法在阵列化薄膜上依次沉积电子传输层和电极，本发明实现了高分辨率的电致Mini/Micro‑LED显示。该方法无需巨量转移和模板就可满足不同分辨率的需求，也无需色转换这些步骤，使得转换效率更高，后期可进行大面积制备且有制备更高分辨率的阵列的潜力，操作简单，成本低。