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公开(公告)号：CN114292087A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111633016.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种无需封装的白光LED外延材料制备方法，所述制备方法包括如下步骤：原料选择；压片处理；二维材料结构制备和工艺处理。该种制备方法把荧光粉和陶瓷混合高温烧结成外延LED材料所需要的外延基板，在其上面制备氮化镓蓝光等发光外延材料，氮化镓蓝光对陶瓷基板上荧光进行激发，根据荧光粉的种类，基板发出相当波长的光，根据调色源原理实现白光LED外延材料，解决传统白光LED需要荧光粉封装技术导致可靠性问题，可以实现无荧光粉封装技术的白光LED芯片。
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公开(公告)号：CN114142338A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111399798.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善蓝、绿光半导体激光器散热性能的方法。通过对衬底打盲孔或通孔的处理方式，在孔内引入金刚石，获得金刚石嵌入式衬底，显著提高衬底导热能力。在该衬底上外延生长蓝、绿光激光器垂直结构，得到强散热、高效率的蓝、绿光激光器。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN113075177B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110291166.3
申请日：2021-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓位错双光子超分辨显微三维成像装置及方法。本发明利用光学手段对氮化镓位错进行三维成像，是一种非接触式成像，不会对样品造成破坏，不涉及昂贵的扫描电镜等设备，也不需要对样品进行预处理，单次成像区域面积大，同时该设备成像分辨率较高，成像速度快；激发光源为光纤激光器，其成本较低，结构简单，稳定性强，易于维护，对氮化镓晶体激发效率高，荧光信号易于探测，检测模块可以灵活配置；结合氮化镓位错的荧光特性，提出利用涡旋光束作为激发光，能够获得超过衍射极限的横向空间分辨能力。
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公开(公告)号：CN112531015A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氨化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN109787088B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910004608.4
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分，精确调控有源区的结构及发光波段，实现宽波段高效紫外光源；激励源采用电子束泵浦激励方式，该结构无需多结欧姆接触层，与传统LED结构相比结构简单，有效提高空穴注入效率；原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率，进而实现在深紫外波段的高光效输出；同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度，优化多量子阱的总厚度，既能保证电子束不会穿透光源的有源区，又能保证有源区的材料质量；采用III‑V族或II‑VI族半导体材料，实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863945A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010680144.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种高阻氮化镓及其异质结构的制备方法，在GaN外延生长过程中，利用三族源的管路或者直接向反应室中通入外加碳源，通过控制特定的生长条件，来制备高质量的半绝缘高阻GaN薄膜材料。该方法简单快捷，可控性和稳定性高，在保证GaN材料晶体质量的同时大幅提高了半绝缘高阻GaN中C杂质浓度，进一步在其上制备高质量GaN基异质结构，在界面处形成高浓度的具有高迁移特性的二维电子气。
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公开(公告)号：CN109585269B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811330967.0
申请日：2018-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法。本发明通过在半导体单晶厚膜结构与异质衬底之间引入二维晶体过渡层，利用原子层间分子力结合弱、易于破坏分离的特点，采用剥离方法实现半导体单晶厚膜结构与异质衬底的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑半导体单晶衬底；能够根据二维晶体的厚度自主选择自剥离或机械剥离的方式，增加剥离工艺可控性，不会对半导体单晶厚膜结构造成损伤，成品率高，可重复性好；通过二维晶体层间弱分子力键合，部分释放异质衬底和半导体单晶厚膜结构间的失配应力，避免生长及降温时开裂；异质衬底可重复使用，工艺稳定，成本低廉；设备简单，易操作，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN109632855B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN107919269B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711025682.1
申请日：2017-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制，量子点组分由量子阱的组分控制，均匀性高于自组装生长的量子点结构；量子点的横向尺寸，通过选择性热蒸发的方式予以调控，能够突破外延生长极限，其横向尺寸能够远低于自组装生长的量子点；量子点在微结构中的位置通过微纳加工技术控制，能够实现量子点在微结构中的位置高度可控；本发明利用选择性热蒸发处理预后制备量子点，工艺简单，成本低廉，扩展性强，可重复性高，能够实现批量化制备，推动量子点耦合微结构的实用化进程。
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公开(公告)号：CN110429135A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910628709.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1-3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。
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