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公开(公告)号：CN114142344B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111384516.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN114142338A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111399798.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善蓝、绿光半导体激光器散热性能的方法。通过对衬底打盲孔或通孔的处理方式，在孔内引入金刚石，获得金刚石嵌入式衬底，显著提高衬底导热能力。在该衬底上外延生长蓝、绿光激光器垂直结构，得到强散热、高效率的蓝、绿光激光器。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551653B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210065488.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用图形化金刚石材料改善Micro‑LED通信性能的方法及器件。首先对Micro‑LED器件的蓝宝石、Si或SiC衬底进行减薄处理，在背面外延生长金刚石材料，在生长面外延生长图形化金刚石阵列，然后在图形化金刚石阵列上外延生长Micro‑LED器件的各结构，并进行器件后工艺流程至封装结束，得到强导热、高功效Micro‑LED器件。金刚石材料的引入显著提高了器件的导热性能，进而提升器件的发光效率，改善器件的通信性能。本发明采用的处理方式具有工艺稳定、可行性强、设备简单易操作等优点，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN114551653A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210065488.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用图形化金刚石材料改善Micro‑LED通信性能的方法及器件。首先对Micro‑LED器件的蓝宝石、Si或SiC衬底进行减薄处理，在背面外延生长金刚石材料，在生长面外延生长图形化金刚石阵列，然后在图形化金刚石阵列上外延生长Micro‑LED器件的各结构，并进行器件后工艺流程至封装结束，得到强导热、高功效Micro‑LED器件。金刚石材料的引入显著提高了器件的导热性能，进而提升器件的发光效率，改善器件的通信性能。本发明采用的处理方式具有工艺稳定、可行性强、设备简单易操作等优点，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN114551654B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210065490.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN114551654A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210065490.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN114142344A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111384516.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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