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公开(公告)号：CN103681895A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310626193.7
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/102 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035227 , H01L31/022408 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法。该红外成像探测器包括：衬底；若干一维半导体碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带，位于所述衬底上；非对称接触电极，包含呈相间排布的叉指状电极结构的若干第一电极和若干第二电极。该方法首先采用蒸发驱动自组装的方法在衬底上排列若干一维半导体碳纳米管或者若干半导体性碳纳米管薄膜条带；然后在其上形成第一电极和第二电极及其金属连接线的图案形状，并蒸镀电极的金属层。本发明通过并联方式提高红外探测器的输出光电流，减小器件电阻，器件的制备工艺简单，无需掺杂即可实现红外探测，使得输出的光电流倍增，信噪比提高。
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公开(公告)号：CN102723348A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210186935.4
申请日：2012-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/102 , H01L31/0224 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体碳纳米管的级联红外光探测器。该级联红外光探测器以半导体碳纳米管作为吸光材料和导电通道，两端是非对称的金属电极：钯电极和钪或钇电极；金属电极之间的导电通道上具有n-1个虚电极对，将导电通道分为串联在一起的n个单元器件；所述虚电极对由连在一起钯虚电极和钪或钇虚电极组成，其中钯虚电极在靠近钪或钇电极一侧，钪或钇虚电极在靠近钯电极一侧。将非对称金属电极中的一个接地，另一个连接电压测量电路或电压表，半导体碳纳米管吸收红外光产生的光电压信号由所述电压测量电路或电压表测得。本发明通过虚电极对的引入，无需掺杂即可实现红外的级联探测，使探测器的输出光电压倍增，信噪比提高。
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公开(公告)号：CN102013331B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910092312.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01M14/00 , H01G9/042 , H01G9/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极。窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。而且，近空间升华法所需设备简单，操作容易，生产成本低，使得本发明制备光电极的方法宜于推广应用。
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公开(公告)号：CN102185099A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110105421.7
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件的有源区采用石墨烯材料，一对激励电极与石墨烯沟道两端接触提供电流源或者电压源，一对霍尔电极与石墨烯沟道两侧接触用于测试霍尔电压。本发明中的霍尔元件具有高的灵敏度、非常优异的线性度和温度稳定性，在电压模式和电流模式下都可以较好的工作，而且制备工艺简单，适合于制备霍尔集成电路。
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公开(公告)号：CN101261916B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810103521.4
申请日：2008-04-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法，属于碳纳米管应用领域。用做电子场发射阴极的碳纳米管有一锥状端部，锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状结构以下为多壁管结构。该碳纳米管的制备方法是用一金属丝获取多壁碳纳米管；用一金属针尖接触金属丝上的一根多壁碳纳米管；金属丝与金属针尖之间加匀速递增的电压，使单根碳纳米管在电流作用下变细至断裂，得到带有锥状端部的碳纳米管。这种碳纳米管在发射性能上兼具单壁管和多壁管的优点，发射稳定，开启电压低，能承受较大的电流，且获取也相对容易。此外，其锥状尖端曲率半径还可以可控增大，其相应的最大可承受电流也因此不断提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102013331A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910092312.9
申请日：2009-09-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01G9/042 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极。窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。而且，近空间升华法所需设备简单，操作容易，生产成本低，使得本发明制备光电极的方法宜于推广应用。
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公开(公告)号：CN101917161A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010219178.7
申请日：2010-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管场效应晶体管的倍频器。该倍频器的核心部件是以小禁带宽度碳纳米管为导电通道的场效应晶体管，以栅极作为输入端，源端接地，漏端作为输出端；将输入端输入的交流信号偏置到所述场效应晶体管的直流转移特性的电阻最大点，而输出端用一偏置直流源给场效应晶体管提供工作电源，即可实现倍频。本发明的倍频器转换效率高，频率响应高，信号增益大，并且价格低廉，制作工艺简单，不需要复杂的后期处理电路。
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公开(公告)号：CN101183033B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710178951.8
申请日：2007-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 本发明提供了一种精确测量微小力和精确测量微悬臂的力常数的方法，属于纳米度量领域。该方法将一根纳米材料的两端固定在两个支点上，给纳米材料施加一个轴向的微小拉力T；在纳米材料的侧面，位于该纳米材料的中部放置一个电极，在电极上施加一个交变的电压激励纳米材料使其发生共振，测得纳米材料的固有频率f；根据纳米材料的材料特性和几何特征以及纳米材料的边界条件，由振动方程计算出该纳米材料的固有频率与所受的轴向拉力的关系，即纳米材料的f-T曲线；根据上述测得的固有频率f，得到微小拉力T的大小。进一步用该方法来测量微悬臂偏转时的微小偏转力，结合偏转位移的测量，测得微悬臂的力常数。本发明可用于开发精确测量皮牛顿甚至飞牛顿量级微小力的仪器。
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公开(公告)号：CN100413010C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
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公开(公告)号：CN101183033A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710178951.8
申请日：2007-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 本发明提供了一种精确测量微小力和精确测量微悬臂的力常数的方法，属于纳米度量领域。该方法将一根纳米材料的两端固定在两个支点上，给纳米材料施加一个轴向的微小拉力T；在纳米材料的侧面，位于该纳米材料的中部放置一个电极，在电极上施加一个交变的电压激励纳米材料使其发生共振，测得纳米材料的固有频率f；根据纳米材料的材料特性和几何特征以及纳米材料的边界条件，由振动方程计算出该纳米材料的固有频率与所受的轴向拉力的关系，即纳米材料的f－T曲线；根据上述测得的固有频率f，得到微小拉力T的大小。进一步用该方法来测量微悬臂偏转时的微小偏转力，结合偏转位移的测量，测得微悬臂的力常数。本发明可用于开发精确测量皮牛顿甚至飞牛顿量级微小力的仪器。
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