公开(公告)号：CN101917161A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010219178.7

申请日：2010-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振兴 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC: H03B19/14 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管场效应晶体管的倍频器。该倍频器的核心部件是以小禁带宽度碳纳米管为导电通道的场效应晶体管，以栅极作为输入端，源端接地，漏端作为输出端；将输入端输入的交流信号偏置到所述场效应晶体管的直流转移特性的电阻最大点，而输出端用一偏置直流源给场效应晶体管提供工作电源，即可实现倍频。本发明的倍频器转换效率高，频率响应高，信号增益大，并且价格低廉，制作工艺简单，不需要复杂的后期处理电路。

公开(公告)号：CN101710588B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910242119.9

申请日：2009-12-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振兴 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。

公开(公告)号：CN101710588A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910242119.9

申请日：2009-12-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 王振兴 ,  张志勇 ,  彭练矛 ,  王胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。