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公开(公告)号：CN108807211A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810684255.2
申请日：2018-06-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种用于测量二维半导体材料的磁阻的测量装置，包括：绝缘衬底层；第一金属栅极层，所述第一金属栅极层设置于所述绝缘衬底层的上方；二维半导体材料层，所述二维半导体材料层设置于所述第一金属栅极层的上方；第二金属栅极层，所述第二金属栅极层设置于所述二维半导体材料层的上方；以及测量仪器，所述测量仪器通过导线连接在第一金属栅极层和第二金属栅极层之间。本发明公开的测量装置结构简单，并且能够利用该测量装置精确地获得不同的有机半导体材料的磁阻，进而可以得到不同有机材料器件在不同温度，不同的电场强度，磁场以及载流子浓度下的有机磁阻效应。本发明还提供了一种制作该器件的方法。
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公开(公告)号：CN104900557B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510226906.X
申请日：2015-05-07
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要： 一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接线的一部分。依照本发明的测量结构、制备方法和测量方法，在有机半导体层源漏两侧形成多个温度传感器连接线、以及分别连接至源漏两侧温度传感器连接线的温度控制线，通过四端接触法测量样品的温度和电压进而测算样品的赛贝克系数，以高效低成本方式提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN104049196A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410283265.7
申请日：2014-06-23
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法，包括：计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率，并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况；根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度，确定能量空间中没有被载流子占据的空位置数；根据确定的能量空间中没有被载流子占据的空位置数，确定载流子跃迁的距离；根据确定的载流子跃迁的距离计算有机半导体器件的电流密度，并以该电流密度来表征有机半导体器件的弛豫现象。本发明计算过程简单，可广泛应用于各种无序的半导体材料和器件，如有机半导体，非晶半导体等驰豫现象的表征。
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公开(公告)号：CN118645536A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410937697.9
申请日：2024-07-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H10B12/00
摘要： 本公开提供了一种垂直沟道晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；开设有过孔的绝缘层；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层，第二电极层与第一电极层之间绝缘；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第一介质层，第一介质层的厚度小于1纳米；设置在第一介质层远离衬底一侧表面的沟道层；设置在沟道层远离衬底一侧表面的第二介质层；设置在第二介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开利用电极层和沟道层之间所设置的具有超薄厚度的第一介质层，配合沟道层和栅极层之间第二介质层的设置，实现对沟道层良好的保护，减少沟道层在退火过程中所受到的温度影响，从而提高晶体管在高温下的稳定性。
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公开(公告)号：CN118335591A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410366132.X
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种晶圆再生方法，包括以下步骤：将待处理晶圆依次置于王水溶液、氢氟酸与H2O2的混合溶液中，去除晶圆表面的金属膜层；对去除金属膜层的晶圆进行退火处理，并冷却至室温；采用化学机械抛光法，去除晶圆表面的氧化膜层；清洗抛光处理后的晶圆，得到再生晶圆。该方法不仅可以有效去除晶圆表面的金属膜层和氧化膜层，而且工艺流程简单，处理时间短，成本较低，且对晶圆本身的损伤小，能够获得高品质的再生晶圆。
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公开(公告)号：CN118317600A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410366127.9
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括：衬底、若干个位线结构、隔离结构、接触结构和金属结构；若干个所述位线结构间隔分布在所述衬底上；相邻位线结构的侧壁之间对称设置有两个隔离结构，两个隔离结构之间设置有接触结构；每个所述隔离结构包括：依次设置的第一隔离层、第一牺牲层、第二隔离层、第二牺牲层和第三隔离层；所述金属结构位于位线结构、隔离结构和接触结构的上表面。本发明的方法制备的半导体器件，能够显著的提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118315305A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410366136.8
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及芯片制造技术领域，尤其是涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置。该晶圆清洗方法包括：将晶圆放置在密闭清洗腔的承载台上；向晶圆喷射清洗液和/或气体，且监测清洗腔的气压；根据监测到的气压对清洗腔的气压进行调整，使清洗腔气压处于预设气压区间内。晶圆清洗过程中，通过对清洗腔内的气压进行监测，并根据监测到的气压值对清洗腔内的气压进行调整，使清洗腔内气压处于预设状态下，避免了因清洗液和/或气体的注入导致的清洗腔内气压的变化，可以防止因气压变化导致晶圆出现翘曲问题。
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公开(公告)号：CN118315286A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410366130.0
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是涉及一种半导体晶片表面钝化工艺，包括如下步骤：S1、将半导体晶片进行清洗，再通过半导体甩干机甩干；S2、在半导体晶片上生长二氧化硅氧化膜层；S3、在二氧化硅氧化膜层上生长多晶硅层；S4、在多晶硅层上涂覆聚酰亚胺层；S5、在聚酰亚胺层上覆盖玻璃钝化层。本发明通过在半导体晶片上生长二氧化硅氧化膜层、多晶硅层、聚酰亚胺层和玻璃钝化层的多层介质复合结构，使半导体晶片表面具备良好的绝缘性、抗蚀性、热稳定性、抗辐射性能、抗冲击性和抗高湿性能，使半导体器件具备极低的漏电流性能，明显提高半导体器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117542397A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210919248.2
申请日：2022-08-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C19/28 , G09G3/3266
摘要： 本发明公开了一种基于耗尽型器件的移位寄存器及栅极驱动电路，其中，输入单元，根据第一时钟信号和输入端的控制，向防漏电单元传输输入信号；防漏电单元，响应于输入信号或时钟控制防漏电单元的控制，对第一节点的电平进行控制；反向单元，根据输入端控制端的控制，向第二节点传输输入信号；以及根据第四时钟信号的控制使第二节点的电平相反；输出单元，在第一节点的电平控制下将第三时钟信号输送至输出端，以及在第二节点的电平控制下将高电平输送至输出端；时钟控制防漏电单元，通过第二时钟信号和第四时钟信号的控制，交替向防漏电单元提供持续有效的高电平信号，从而控制第一节点的持续保持在高电平状态。
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公开(公告)号：CN111415994B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202010185960.5
申请日：2020-03-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L31/113 , H01L31/18 , H10K10/46 , H10K10/82 , H10K71/60
摘要： 本发明实施例提供的一种薄膜晶体管及其制作方法，其中所述薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层；源极和漏极，间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。本发明的薄膜晶体管采用腔体结构的栅介质层大幅降低了传统材料作为栅介质层存在的缺陷，提高了薄膜晶体管的器件性能。
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