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公开(公告)号：CN111623552A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010738144.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 浙江赋同科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及低温技术领域，本发明的技术方案为：一种采用吸附式制冷机的低温恒温器，包括支架和固设于所述支架上的冷头固定板，所述冷头固定板上设有光纤进出密封接口和同轴电缆进出接口，所述冷头固定板的上端设有G-M制冷机，所述冷头固定板的下端连接真空罩，所述G-M制冷机的冷头连接在冷头固定板的中间并且延伸至所述真空罩内部，所述冷头的中部连接第一级冷平台，所述第一级冷平台下端连接有第一级冷屏，所述冷头的端部连接有第二级冷平台，所述第二级冷平台下方连接吸附床冷屏罩，所述吸附床冷屏罩内设有吸附式制冷机，所述第二级冷平台下端连接有第二级冷屏，所述第二级冷屏将吸附式制冷机笼罩在内。
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公开(公告)号：CN108365049B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810083509.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，包括至少一层超导纳米线结构，超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，将直线部依次首尾连接成蜿蜒状；若干个第二连接部，位于直线部内，且位于直线部内平行间隔排布的超导纳米线之间；位于同一直线部内的若干个第二连接部平行间隔排布；沿平行于所述直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为第二连接部；沿垂直于直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为相邻直线部之间的间隙。本发明可以避免写场拼接误差对超导纳米线核心区域的影响，从而不可以确保大光敏面超导纳米线单光子探测器的性能。
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公开(公告)号：CN110793630A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911088164.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J1/46
Abstract: 本发明提供一种具有阻抗匹配传输线的超导纳米线单光子探测系统，包括：超导纳米线单光子探测器；1/4波长阻抗匹配传输线，一端与超导纳米线单光子探测器相连接；高通滤波器，一端与1/4波长阻抗匹配传输线连接于超导纳米线单光子探测器的一端相连接，另一端接地；三端口器件三端口器件的第一端口与1/4波长阻抗匹配传输线远离超导纳米线单光子探测器的一端相连接；电流源，一端与三端口器件的第二端口相连接；放大器，放大器的输入端与三端口器件的第三端口相连接，放大器的接地端接地。本发明可以实现特定频率信号的匹配读出，实现脉冲幅度的放大，降低时间抖动；可以将信号中低频成分整形去掉，提高计数率及探测速率。
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公开(公告)号：CN110635021A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910871389.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器包括：二氧化硅衬底；光波导，位于二氧化硅衬底内，且光波导的一端面与二氧化硅衬底的一侧面相平齐，另一端面延伸至二氧化硅衬底的上表面；光波导基于飞秒激光直写工艺而形成；超导纳米线，位于二氧化硅衬底的上表面，且位于光波导延伸至二氧化硅衬底的上表面的端面上。本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器通过飞秒激光直写工艺形成于二氧化硅衬底内，制备工艺简单，器件集成度高；本发明的飞秒激光直写波导耦合超导纳米线单光子探测器中光波导的材料与光纤的材料相近，耦合效率较高。
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公开(公告)号：CN107507911B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710678338.6
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器，所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部；其中，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线，各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线，可以降低器件的总电感，提升器件的响应速度，器件内的电流得以提升，提高器件的信噪比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108666388A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710207615.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述反射镜的表面；光学薄膜滤波器，位于所述超导纳米线远离所述反射镜的一侧，且与所述超导纳米线具有间距。本发明通过在超导纳米线下方设置所述反射镜，可以将光直接耦合到超导纳米线上，可以对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明通过设置光学薄膜滤波器，可以对非目标波长滤波，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数；此外，本发明的集成光学薄膜滤波器的光学薄膜滤波器与其他结构分离设置，可重复使用，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN108051405A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
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公开(公告)号：CN107507884A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678412.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件，所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；叠层结构，位于所述反射镜表面；所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构，可以实现两层或多层超导纳米线的吸收，从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽，具有较高的吸收效率。
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公开(公告)号：CN107507883A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678394.X
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , G01J11/00 , H01L31/0216 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能，同时，晶须具有很好的柔性，具有较高的临界电流密度，且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化，大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号：CN103809239B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210445107.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长波导及制备方法。首先，在含氧基底表面沉积硬掩膜；随后，在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层；接着，以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层；最后，以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构，本发明的亚波长波导结构紧凑，制备方法能与集成电路工艺兼容。
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