公开(公告)号：CN102683262A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210133735.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。

公开(公告)号：CN102339866A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110311731.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。

公开(公告)号：CN102315274A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110311815.8

申请日：2011-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  林颜章 ,  马文力 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。

公开(公告)号：CN102130184A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010600772.0

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  时龙兴 ,  张丽 ,  朱奎英

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。

公开(公告)号：CN102130153A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010600170.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 时龙兴 ,  刘斯扬 ,  祝靖 ,  朱奎英 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

Abstract: 一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极，在制造中先在第一P型外延层右区注入形成P型埋层，然后在第二P型外延层右区注入形成P型高能离子注入层并且二者连通，浓度由下至上变大形成导电通路，能有效抑制闩锁效应的发生。

公开(公告)号：CN101777581B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910263299.9

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  孙大鹰 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。

公开(公告)号：CN101488524B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910024952.6

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  高怀 ,  刘侠 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/316 ,  H01L21/762

Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。

公开(公告)号：CN101976681A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010265754.1

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  孙俊 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/329

Abstract: 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。

公开(公告)号：CN101872785A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010198486.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN101488523B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200910024951.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  贾侃 ,  吴虹 ,  钱钦松 ,  李海松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。