公开(公告)号：CN101010448A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200680000710.8

申请日：2006-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  土桥和也 ,  林辉幸

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45561 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件(10)，其包括：规定构成部件的形状的基材(10a)和覆盖基材的规定表面的保护膜(10c)。保护膜(10c)由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜(10c)具有小于1％的孔隙率和1nm～10μm的厚度。

公开(公告)号：CN1921068A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610151453.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。