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公开(公告)号：CN102386227A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010270128.1
申请日：2010-08-31
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L21/761
Abstract: 本发明公开了一种双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管及方法；包括：漏区和位于漏区两侧的体注入区，在漏区具有一层夹断注入层与漏区两侧的体注入区连接。本发明在双扩散漏极金属氧化物场效应晶体管的漏区加入了与体注入区连接的注入结构。在漏区加高电压时漏区纵向的电场可以有效的将漏极耗尽，从而有效减小表面电场。这样可以在承受高电压的同时提供低的导通电阻。同时由于漏区寄生电容减少，器件的工作频率得到有效的改善。
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公开(公告)号：CN102097442A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910201944.4
申请日：2009-12-15
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括光电二极管、浮动扩散区、传输晶体管、复位晶体管、驱动晶体管以及选择晶体管，光电二极管的侧面包含一个包围所述光电二极管的P型环，该P型环为一离子注入层并使所述光电二极管形成一个横向完全耗尽的P-N-P结。本发明还公开了该CMOS图像传感器的制造方法，包括：在P型衬底上形成有源区、阱区以及栅极；在栅极形成侧墙前，利用光刻工艺定义所述P型环的注入区域，并进行离子注入形成所述P型环；形成所述光电二极管、浮动扩散区、传输晶体管、复位晶体管、驱动晶体管以及选择晶体管。本发明能提高其光电二极管的光吸收效率和降低漏电。
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公开(公告)号：CN102097437A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910201945.9
申请日：2009-12-15
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明公开了一种OTP器件，由一NMOS串联一增强型PMOS形成；所述NMOS为选择管，所述NMOS的漏极和所述PMOS的漏极相连，以所述NMOS的栅极作为所述OTP器件的字线，以所述NMOS的源极作为所述OTP器件的源极；所述PMOS为存储管，所述PMOS的栅极为浮栅，所述PMOS的源极作为所述OTP的位线。本发明能减小器件面积、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101593717B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810043424.0
申请日：2008-05-28
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/762 , G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其利用三个刻蚀工艺形成一梯状的氮化硅形貌作为浅沟槽刻蚀的掩膜，使得后续浅沟槽内表面氧化时利用越薄的氮化硅对氧化的屏蔽性能越差，达到顶角圆滑化制备出较光滑的硅和氧化硅界面。
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公开(公告)号：CN101877315A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910057159.6
申请日：2009-04-29
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/822 , H01L29/92 , H01L21/768 , H01L29/49 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种提高LDMOS器件的崩溃电压的方法，先按照常规的方法在前段制备栅结构的工艺中，栅结构位于LDMOS器件沟道的区域的上方并延伸至高压漂移注入区的上方，与位于高压漂移注入区的场氧区隔离；在进行后段工艺中，先淀积介质层，后淀积导体层，而后刻蚀介质层和导体层，保留位于高压漂移注入区上方的介质层和导体层以形成悬浮的栅极导电等势体，其一端位于高压漂移注入区内的场氧区上，另一端位于栅结构上方及沟道区域的一侧至高压漂移注入区内的场氧区鸟嘴部分的一侧之间。本发明的方法可集成在后段PIP、MIP或RPOLY工艺中，也可集成在金属连线工艺中。本发明的方法明显提高了所制备的LDMOS器件的崩溃电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872738A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910057111.5
申请日：2009-04-23
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/316
Abstract: 本发明公开了一种沟槽的填充方法，包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度为沟槽宽度的40％～100％；第2步，以干法刻蚀工艺反刻硅片表面的二氧化硅，反刻高度为硅片表面的二氧化硅厚度的50％～100％，并且至少在沟槽底部保留一层二氧化硅；第3步，在硅片表面再淀积一层二氧化硅，淀积厚度为沟槽宽度的40％～100％。本发明可以减小了产品的电容，并具有良好的沟槽填充能力。
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公开(公告)号：CN101752393A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810044039.8
申请日：2008-12-02
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/71 , H01L21/82
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器滤镜，在图像传感器的感光元件上设有法布里-珀罗反射器以形成滤镜。该法布里-珀罗反射器是一层介质层，该介质层的厚度满足法布里-珀罗原理，即该介质层的厚度等于某一波长光线的(n+1/2)λ，(n+3/4)λ或(n+1/4)λ，会使这一波长的光线形成消光或增强。此外，本发明还公开了上述图像传感器滤镜的制作方法，采用在图像传感器上薄膜刻蚀或薄膜生长的方法制成。本发明结构简单，简化了工艺，在芯片制造的过程在图像传感器上可直接制作彩色滤镜，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101752392A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810044038.3
申请日：2008-12-02
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种四晶体管CMOS图像传感器，在浮置扩散电容区的一部分形成有一个N区完全耗尽的P-N-P结，且该P-N-P结的内建电势比光电二极管的内建电势要高。本发明还公开了一种四晶体管CMOS图像传感器制造方法，在浮置扩散电容区的P衬底上进行P阱注入；在光电二极管区的P衬底进行N-注入，在浮置扩散电容区的P阱进行N注入，所述N的浓度大于N-浓度；在光电二极管区的进行N-注入的区域表面进行P+注入，形成一个N区完全耗尽的P-N-P结，并在浮置扩散电容区的进行N注入的区域的一部分表面进行P+注入，使浮置扩散电容区的该部分区域形成一个N区完全耗尽的P-N-P结。本发明改善了四晶体管CMOS图像传感器对强光的相应，增加了动态范围。
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公开(公告)号：CN101752310A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810044042.X
申请日：2008-12-02
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，其后段工艺中对感光二极管上方的介质层进行光刻、刻蚀，停止在阻挡层上，刻蚀掉感光二极管上方的阻挡层之上的介质层，然后淀积一金属层，刻蚀掉阻挡层表面以及介质层顶部表面淀积的所述金属层，再淀积钝化层。本发明还公开了一种CMOS图像传感器，在硅衬底之上为分布有感光二极管的感光层，感光层之上为一阻挡层，在阻挡层之上感光二极管对应的周边的介质层侧壁覆盖有一金属层，介质层顶部为钝化层，由阻挡层、介质层侧壁覆盖的金属层、钝化层构成一密闭空间。本发明能避免CMOS图像传感器的像素产生“光互扰”，提高像素的响应角度。
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