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公开(公告)号:CN101866906A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010163339.5
申请日:2010-04-14
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/552
CPC classification number: H02M7/003 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01068 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 用于降低功率电子系统中的干扰辐射的装置,具有功率半导体模块或具有至少一个功率半导体模块的布置,具有带有地电位的第一模制体、至少两个布置在装置内部的不同极性的直流负载连接元件,用于将功率半导体器件与配属的用于装置的外部连接的接头元件连接起来。在此,不同极性的两个直流负载连接元件具有至少各一个区段,在该区段中,这些直流负载连接元件扁平地构成,其中,这些区段相互平行且紧密相邻地分布并且相互电绝缘。此外,装置具有至少一个带有扁平地构成的第一子模制体的第二模制体,该第一子模制体布置在直流负载连接元件的两个平行的区段之间的区域中,与这些区段电绝缘。第二子模制体同样与第一模制体导电地连接。
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公开(公告)号:CN101807564A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN201010116688.1
申请日:2010-02-09
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/053 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体模块,特别是功率半导体模块,在所述半导体模块中,与衬底(1)连接的半导体元件(2)被以电绝缘浇铸料(4)包铸。为了改善半导体元件(2)的散热,浇铸料(4)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质。
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公开(公告)号:CN101635527A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200910160924.7
申请日:2009-07-24
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor: 德扬·施赖伯
Abstract: 本发明描述了一种优选来自太阳能电池装置的转换器装置,所述转换器装置带有具有最大电压的时变直流电压输入端、电平变换器以及至少一个可与电网相连接的逆变器。在此,直流电压输入端的正的输入极与第一开关和第一二极管的正极相连接。直流电压输入端的负的输入极与第二开关和第二二极管的负极相连接。第一二极管的负极与第一电容器相连接,第二二极管的正极与第二电容器相连接。此外,两个开关与两个电容器分别相互连接,并且它们的中间分接头相互连接。这个装置构成所述电平变换器,所述电平变换器与至少一个接在后面的逆变器相连接。依照本发明的控制方法不依赖于输入电压地分别以额定中间电路电压的半值给第一电容器和第二电容器充电。
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公开(公告)号:CN101635288A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200910160923.2
申请日:2009-07-24
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor: 马库斯·克内贝尔
IPC: H01L23/48 , H01L23/498
CPC classification number: H05K7/1069 , H01L23/053 , H01L23/3675 , H01L23/48 , H01L24/72 , H01L25/072 , H01R13/2407
Abstract: 形成压力触点接通的系统,具有功率半导体模块和连接装置,其中,功率半导体模块具有壳体和第一接触元件以及配属于其的第一支承部。在此,第一接触元件由至少一个在自身内结构化并进而构成导体轨的第一层和至少一个绝缘层组成的交替层序列来构造且具有至少一个用于与连接装置触点接通的、从壳体内的布置于壳体外侧上的穿引部中出来伸展的第一接触区段。连接装置具有绝缘材料成型体、至少一个第二接触元件和配属于其的第二支承部,其中,配属于绝缘材料成型体的至少一个第二接触元件具有用于与第一接触元件第一接触区段触点接通的第二接触区段和用于与外部印刷电路板触点接通的第三接触区段。此外,至少一个接触区段相对于配属于其的支承部弹性构造。
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公开(公告)号:CN101552255A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910133051.0
申请日:2009-04-02
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/01 , H01L23/051 , H01L23/296 , H01L23/5385 , H01L23/5387 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/38 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/50 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/24226 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8484 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明描述了一种功率半导体模块,包括衬底;在衬底上形成的电路布置,所述电路布置包括多个导体迹线,所述多个导体迹线是彼此电绝缘的;而且包括布置在所述多个导体迹线上的功率半导体部件。所述功能半导体部件通过连接器件以电路匹配的方式连接,所述连接器件包括至少两个导电层和至少一个电绝缘层的交替层序列。在这种情况下,衬底具有第一密封区域,该区域没有任何中断地封住了电路布置。此外,该密封区域通过连接层连接到连接器件的一层上的指定的第二密封区域。根据本发明,该功率半导体模块是通过向衬底、向功率半导体部件以及向连接器件施加压力来制造的。
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公开(公告)号:CN110798049B
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN201910628252.1
申请日:2019-07-12
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor: 马可·洪斯贝格
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明提供功率变换器布置及操作这种功率变换器布置的方法,该布置包括多个功率变换器模块,每个模块具有相关联的驱动器装置;和上级控制装置,其激励功率变换器布置,其中相应的驱动器装置具有第一参数存储器和发送装置,其中相关联的功率变换器模块的动态不可变的第一参数存储在第一存储器中,其中控制装置具有接收装置、处理装置和第二参数存储器,其中第二参数(至少一些第二参数与第一参数相同)存储在第二存储器中,且处理装置设计用以比较第一和第二参数,或者其中处理装置设计用以将接收在第二存储器中的第一参数存储为第二参数,其中相应的发送装置借助连接装置连接到接收装置,使得第一参数能从相应的驱动器装置发送到控制装置。
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公开(公告)号:CN112992530B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202011447377.3
申请日:2020-12-09
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01G2/08 , H01G4/236 , H05K7/20 , H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473
Abstract: 公开了一种功率电子系统,其具有壳体、冷却装置、功率半导体模块和电容器装置,其中电容器连接装置的冷却部段与冷却装置的冷却表面导热接触。
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公开(公告)号:CN117855174A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311277630.9
申请日:2023-09-28
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor: 内德察德·巴基亚
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/60 , H01L23/02
Abstract: 功率电子布置和具有该功率电子布置的功率半导体模块,具有衬底、功率半导体部件和连接装置,衬底具有法线方向、电绝缘的衬底层和衬底导体迹线,所述部件布置有第一接触面,其在第一主侧上布置在衬底导体迹线上并且与之导电连接,所述部件具有部件厚度、具有周向边缘区域的周向边沿区域,同样的周向侧面区域与该周向边缘区域相邻,连接装置具有接触导体迹线,其具有接触段和屏蔽段,接触段被导电连接到第二接触面,其布置在第二主侧上,与所述部件的第一接触面相对,屏蔽段不用于导电,从边沿区域开始的屏蔽段在侧面区域的法线方向上突出超过侧面区域,且在此与边缘区域的至少50%重叠,且电绝缘的绝缘层在屏蔽段的面向所述部件的那一侧上覆盖屏蔽段。
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公开(公告)号:CN110620098B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN201910517092.3
申请日:2019-06-14
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包括壳体的功率半导体器件及生产功率半导体器件的方法,该功率半导体器件包括穿过壳体开口的销元件;包括弹性密封装置,其布置在壳体的壳体开口壁与销元件之间,该壳体开口壁限定壳体开口并且环绕销元件;并包括套筒,其中销元件延伸穿过套筒并延伸穿过密封元件的密封装置开口,其中密封装置未以材料结合的方式连接到套筒、连接到壳体开口壁和连接到销元件,且密封装置将壳体开口壁与套筒封隔开来并且将套筒与销元件封隔开来;并包括布置在密封装置上的交联灌封化合物,其中交联灌封化合物以材料结合的方式连接到套筒、连接到壳体开口壁和连接到销元件,且灌封化合物将壳体开口壁与套筒封隔开来并且将套筒与销元件封隔开来。
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公开(公告)号:CN109428500B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN201811030328.2
申请日:2018-09-05
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H02M7/00
Abstract: 本发明涉及一种功率转换器装置,其具有功率转换器(2),所述功率转换器(2)具有彼此电连接的功率半导体部件(T1,D1),所述功率转换器(2)具有第一直流电压电位负载连接(DC‑)和第二直流电压电位负载连接(DC+),并且所述功率转换器(2)具有半导体部件(3),半导体部件(3)具有半导体主体(4)、串联电连接的电阻器(R)、第一绝缘层(5)、以及第一和第二连接触点(A1,A2),第一和第二连接触点(A1,A2)通过串联电连接的电阻器(R)以导电方式彼此连接,其中第一连接触点(A1)以导电方式连接到第一直流电压电位负载连接(DC‑)以及第二连接触点(A2)以导电方式连接到第二直流电压电位负载连接(DC+)。
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