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公开(公告)号：CN103855057B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210513847.0
申请日：2012-12-04
发明人： 武学伟
摘要： 本发明公开了一种托盘升降装置、预热设备及高温托盘的冷却方法，涉及半导体设备制造领域，能够有效提高对托盘的冷却速度，缩短工艺周期。本发明的托盘升降装置，设置在预热腔室内，所述预热腔室的底部内壁上具有冷却装置，所述托盘升降装置包括：升降驱动装置、托架、顶升装置以及冷却承载元件，其中：所述升降驱动装置，与所述托架连接，所述升降驱动装置用于驱动所述托架在预热腔室内做升降运动；所述顶升装置，设置在所述托架的上表面，所述顶升装置设置用于承载待加热的托盘；所述冷却承载元件，设置在所述托架的下表面，所述冷却承载元件用于承载工艺后待冷却的托盘。
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公开(公告)号：CN105514243A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410559500.9
申请日：2014-10-20
发明人： 刘海鹰
摘要： 本发明提供了一种图形化衬底的方法，包括：主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀过程；过刻蚀过程，对经过主刻蚀的衬底进行过刻蚀，过刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率小于主刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率。本发明所提供的图形化衬底的方法通过在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀，避免了在主刻蚀过程中PSS图形侧壁出现突兀的拐角，之后通过在过刻蚀过程中降低掩膜的刻蚀速率，以减小掩膜的内缩速率，使最终形成的PSS三角锥形侧壁的拐角角度增大，从而提高了三角锥形侧壁的光滑平整度。
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公开(公告)号：CN105514016A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410490306.X
申请日：2014-09-23
发明人： 侯珏
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供的承载装置及半导体加工设备，其包括用于承载被加工工件的基座，该基座包括中心分体和环绕在中心分体外围的边缘分体，二者的上表面形成用于承载被加工工件的承载面；并且边缘分体与中心分体分别采用具有不同热导率的材料制作，以使被加工工件边缘区域和中心区域的温度一致。本发明提供的承载装置，其可以提高被加工工件的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN103770126B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210394979.6
申请日：2012-10-17
发明人： 张鹏
摘要： 本发明提供一种调节装置及等离子体加工设备，该调节装置用于调节第一部件和第二部件的相对位置，其包括第一调节组件和第二调节组件，第一调节组件包括调节块，调节块的一端与第一部件固定连接，调节块的另一端设有第一螺纹；第二调节组件包括固定部件和调节单元，固定部件与第二部件固定连接；调节单元由固定部件支撑并可相对于固定部件旋转，在调节单元上设有与第一螺纹相互啮合的第二螺纹；旋转调节单元可使调节块相对于第二部件的位置发生变化，从而使第一部件和第二部件的相对位置发生变化。该调节装置的调节精度高，调节范围大，而且易于操作。
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公开(公告)号：CN103594315B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310342269.3
申请日：2013-08-07
发明人： 李玉站
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/32715
摘要： 本发明提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室、上激励射频功率源、直流功率源以及晶片支撑装置，所述上激励射频功率源用以提供产生等离子体的能量；所述晶片支撑装置设于所述反应腔室内，其包括用于承载晶片的托盘和用于承载所述托盘的卡盘；托盘内设有托盘电极，卡盘内设有卡盘电极，托盘和卡盘相互电绝缘，并与等离子体电绝缘，直流功率源用于在托盘电极与卡盘电极之间以及托盘电极与晶片之间分别产生电压差；并在晶片与托盘电极之间形成第一电容，在托盘电极与卡盘电极之间形成第二电容，第一电容和第二电容并联。该等离子体设备腔室结构，不仅性能良好，可靠性高，而且结构简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103572211B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210269186.1
申请日：2012-07-31
发明人： 边国栋
摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，所述反应腔室包括：位于所述反应腔室内以将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室的介质窗，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；位于所述下部腔室内的基片支撑部件；设在所述上部腔室的顶壁、用于加热所述待加工基片的加热部件；基片传输口，所述基片传输口位于所述下部腔室的侧壁上，用于将加工完的基片从所述下部腔室传出或将待加工的基片传入所述下部腔室；和加热约束桶，所述加热约束桶位于所述下部腔室内且能够通过升降机构在所述下部腔室内升降。本发明提供的物理气相沉积设备，可大大提高基片加热时的均匀性，提高基片的去气效果。本发明还公开了一种物理气相沉积工艺。
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公开(公告)号：CN103187235B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110460216.2
申请日：2011-12-31
发明人： 张彦召
摘要： 本发明提出一种基板处理设备的放电组件，包括：具有第一端和第二端的驱动电源；具有沿其厚度方向贯通的通气孔的绝缘阻挡件；多个第一电极，第一电极与驱动电源的第一端相连且分别设在绝缘阻挡件的下表面上；和多个第二电极，第二电极与驱动电源的第二端相连且分别设在绝缘阻挡件的上表面上且与多个第一电极成对设置；其中每个电极对中的第一电极和第二电极在绝缘阻挡件的厚度方向上错开，以使第一电极和第二电极产生的等离子体放电区域位于绝缘阻挡件下方。根据本发明的放电组件采用介质阻挡放电(DBD)，具有高的放电电压，且结构简单，易于控制。本发明还提出一种腔室装置和具有该腔室装置的PECVD设备。
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公开(公告)号：CN103094037B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110350125.3
申请日：2011-11-08
发明人： 韦刚
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 本发明提供了一种夹持装置及等离子体加工设备，所述夹持装置包括托盘和盖板，在所述盖板上设有贯穿托盘厚度的第一通孔，被加工工件设置在所述托盘和盖板之间、且与所述第一通孔的位置相对，所述托盘的上表面与所述被加工工件的上表面之间的距离等于或大于所述被加工工件的厚度；而且，在所述托盘与所述盖板之间设有用以减小所述托盘的上表面与所述被加工工件的上表面之间的电位差的调节板，在所述调节板上设有与所述第一通孔位置相对应的第二通孔，所述被加工工件的外周缘与所述第二通孔的内周缘紧密接触。所述夹持装置可以提高被加工工件的刻蚀形貌的对称性，从而不仅可以提高被加工工件的刻蚀效果，而且可以提高被加工工件的利用率。
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公开(公告)号：CN102800559B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110137026.7
申请日：2011-05-24
发明人： 杨斌
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了从料盒中取晶片的装置。该装置包括：抓取部件，所述抓取部件用于从料盒中抓取晶片；顶片部件，所述顶片部件与所述抓取部件连接，用于在抓取部件抓住晶片时顶住被所述抓取部件抓住的晶片；以及吹片部件，所述吹片部件设置在所述抓取部件的周围，用于向所述抓取部件抓取的晶片吹气。根据本发明的取片装置可以较好地解决一次抓取多个晶片过程中所出现的问题。此外，本发明进一步公开了一种晶片上料设备和晶片上料系统。该晶片上料设备和晶片上料系统取片效率高、结构简单。
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