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公开(公告)号：CN105590843A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410652377.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种斜孔刻蚀方法。该斜孔刻蚀方法包括以下步骤：第一刻蚀步骤，在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔，直至其达到预设深度；沉积步骤，在所述斜孔的侧壁和底面沉积聚合物；第二刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面上的聚合物，直至将其完全消耗；第三刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面，直至其达到预设深度；重复进行上述沉积步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤，直至获得目标刻蚀深度，然后去除掉斜孔的侧壁上沉积的聚合物。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其可以解决现有技术中斜孔顶部形成有碗状形貌且侧壁的粗糙度高的问题，从而可以改善斜孔的形貌，进而可以提高工艺质量。
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公开(公告)号：CN105514243A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410559500.9
申请日：2014-10-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘海鹰
Abstract: 本发明提供了一种图形化衬底的方法，包括：主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀过程；过刻蚀过程，对经过主刻蚀的衬底进行过刻蚀，过刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率小于主刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率。本发明所提供的图形化衬底的方法通过在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀，避免了在主刻蚀过程中PSS图形侧壁出现突兀的拐角，之后通过在过刻蚀过程中降低掩膜的刻蚀速率，以减小掩膜的内缩速率，使最终形成的PSS三角锥形侧壁的拐角角度增大，从而提高了三角锥形侧壁的光滑平整度。
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公开(公告)号：CN103871947A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210544755.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘海鹰
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/68721 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供了一种夹持装置及等离子体加工设备，夹持装置包括用于承载多个被加工工件的托盘和用于将被加工工件固定在托盘上的紧固单元，紧固单元包括夹持板、紧固组件和弹性部件，其中，夹持板位于所述托盘的上方，并与置于托盘上的被加工工件的边缘部分相互叠置；紧固组件穿过夹持板和托盘连接；弹性部件位于紧固组件与夹持板形成的空间中；通过弹性部件在弹性范围内产生的弹性形变朝向夹持板施加压力，用以将被加工工件夹持在所述夹持板与所述托盘之间。本发明提供的上述夹持装置装配过程简单且装配效率高，从而可以提高等离子体加工设备的加工效率。
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公开(公告)号：CN103887375A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210562272.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘海鹰
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0066
Abstract: 本发明公开一种PSS图形化衬底刻蚀方法，包括，提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；结束刻蚀；其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。通过本发明实施例提供的PSS刻蚀方法，抑制了现有技术中通过降低下电极功率的方法造成PSS图形底宽的大量增加以及造成生产效率下降的问题，且在有效抑制底宽的同时提高整个主刻蚀过程的选择比，改善了PSS刻蚀工艺，提高了GaN外延的生长质量。
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公开(公告)号：CN105225908B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410273661.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种托盘组件，包括托盘和设置在所述托盘上的支撑件，所述支撑件用于支撑多个基片，并使得所述基片的底表面与所述托盘的表面之间形成有容纳冷却气体的间隙，所述支撑件包括设置在第一预定位置的第一支撑件和设置在第二预定位置的第二支撑件，所述第一支撑件凸出于所述托盘的表面的高度小于所述第二支撑件凸出于所述托盘的表面的高度，以使所述第一支撑件所支撑的基片与所述托盘的表面之间的间隙小于所述第二支撑件所支撑的基片与所述托盘的表面之间的间隙，所述第一预定位置对应于利用所述托盘组件进行等离子刻蚀时等离子浓度较低的区域。相应地，本发明还提供一种刻蚀设备。本发明能够提高不同区域内的基片刻蚀速率的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742174A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410759494.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L33/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域，能够改善沟槽的形貌。AlGaInP基多层结构的深槽刻蚀方法包括：第一步，对所述GaP层进行刻蚀，刻蚀形成的沟槽的侧壁垂直；第二步，对所述含Al层进行刻蚀；第三步，对所述GaAs层进行刻蚀。
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公开(公告)号：CN105695957A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410709297.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种进气装置及半导体加工设备。该进气装置用于向反应腔室内输送工艺气体，进气装置包括装置本体和一个或多个进气管，装置本体内设置有未贯穿其下表面的主进气通道，主进气通道与工艺气源相连通；每个进气管的进气端贯穿装置本体的侧壁与主进气通道相连通，每个进气管朝向装置本体侧壁外侧延伸，且其出气端远离装置本体，以使工艺气源提供的工艺气体自主进气通道和进气管输送至反应腔室内。本发明提供的进气装置和半导体加工设备，其可以解决反应腔室内气体分布不均匀的问题，从而可以提高衬底的工艺均匀性和工艺质量。
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公开(公告)号：CN105225908A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410273661.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种托盘组件，包括托盘和设置在所述托盘上的支撑件，所述支撑件用于支撑多个基片，并使得所述基片的底表面与所述托盘的表面之间形成有容纳冷却气体的间隙，所述支撑件包括设置在第一预定位置的第一支撑件和设置在第二预定位置的第二支撑件，所述第一支撑件凸出于所述托盘的表面的高度小于所述第二支撑件凸出于所述托盘的表面的高度，以使所述第一支撑件所支撑的基片与所述托盘的表面之间的间隙小于所述第二支撑件所支撑的基片与所述托盘的表面之间的间隙，所述第一预定位置对应于利用所述托盘组件进行等离子刻蚀时等离子浓度较低的区域。相应地，本发明还提供一种刻蚀设备。本发明能够提高不同区域内的基片刻蚀速率的均匀性。
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公开(公告)号：CN103887375B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210562272.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘海鹰
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种PSS图形化衬底刻蚀方法，包括，提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；结束刻蚀；其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。通过本发明实施例提供的PSS刻蚀方法，抑制了现有技术中通过降低下电极功率的方法造成PSS图形底宽的大量增加以及造成生产效率下降的问题，且在有效抑制底宽的同时提高整个主刻蚀过程的选择比，改善了PSS刻蚀工艺，提高了GaN外延的生长质量。
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公开(公告)号：CN105590847A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410648558.0
申请日：2014-11-14
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构，包括以下步骤：采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构；在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层；采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构的底部的所述保护层；采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底部至所需深度；采用各向同性刻蚀工艺释放所述微结构的下方以释放所述微结构。该微结构释放的方法简单，加工成本低。另外，本发明还提供一种深硅刻蚀微结构。
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