公开(公告)号：CN105590843A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410652377.5

申请日：2014-11-17

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 刘海鹰 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种斜孔刻蚀方法。该斜孔刻蚀方法包括以下步骤：第一刻蚀步骤，在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔，直至其达到预设深度；沉积步骤，在所述斜孔的侧壁和底面沉积聚合物；第二刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面上的聚合物，直至将其完全消耗；第三刻蚀步骤，仅刻蚀所述斜孔底面，直至其达到预设深度；重复进行上述沉积步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤，直至获得目标刻蚀深度，然后去除掉斜孔的侧壁上沉积的聚合物。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其可以解决现有技术中斜孔顶部形成有碗状形貌且侧壁的粗糙度高的问题，从而可以改善斜孔的形貌，进而可以提高工艺质量。

公开(公告)号：CN105336602A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410337031.6

申请日：2014-07-15

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 周娜 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，包括如下步骤：对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理得到纵截面为梯形的沟槽；对所述沟槽中暴露出来的多晶硅层进行干法刻蚀处理；干法刻蚀处理包括如下步骤：通入第一气体对所述暴露出来的多晶硅层进行主刻蚀处理直至被刻蚀的多晶硅层的厚度为预设值为止；通入第二气体对剩余的多晶硅层进行过刻蚀处理。本发明的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法能够克服整体采用HBr气体刻蚀出的图形陡直、角度的调节不灵活的缺陷，获得倾斜角度较小的侧壁，进一步的主刻蚀处理中刻蚀速率较快，而在过刻蚀处理中刻蚀速率相对较慢，这样既提高了整体刻蚀速度，又保护了下层的SiO2不被破坏。

公开(公告)号：CN103887164B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201210558737.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655

Abstract: 本发明公开一种深硅刻蚀方法，该方法包括：沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为：利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅刻蚀方法，在深硅刻蚀过程中抑制了刻蚀底部聚合物的逐渐增加，抑制微掩膜或者硅草的产生，从而提高深硅刻蚀的刻蚀速率以及选择比，并改善刻蚀底部的粗糙度。

公开(公告)号：CN103832965B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210482401.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。

公开(公告)号：CN105720003A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410728832.5

申请日：2014-12-03

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 李战强 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硅深孔刻蚀方法，其包括：第一刻蚀步骤，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，同时开启激励电源和偏压电源，以在硅衬底表面上刻蚀硅孔，该第一刻蚀气体包括SF6和O2的混合气体，并且SF6和O2的气流量被设置为使硅孔的侧壁上部垂直；第二刻蚀步骤，向反应腔室内通入第二刻蚀气体，同时开启激励电源和偏压电源，以在继续刻蚀硅孔的同时修饰硅孔底部形貌，该第二刻蚀气体包括SF6、C4F8、He和O2的混合气体，并且SF6、C4F8、He和O2的气流量被设置为使硅孔的侧壁底部宽度收缩、且硅孔底面平整。本发明提供的深硅孔刻蚀方法，其可以获得侧壁上部垂直、侧壁底部宽度收缩且底面平整光滑的硅深孔。

公开(公告)号：CN105428306A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410449745.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 周娜 ,  张宇 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/768 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且氧气的气流量大于含氟类气体的气流量；同时，反应腔室的腔室压力、下电极电源的下电极功率和基片温度的设置方式为：通过降低腔室压力、下电极功率和基片温度，以避免在基片表面上产生裂缝。本发明提供的通孔底部阻挡层的刻蚀方法，可以避免在基片的表面上产生裂缝，因而可以降低了后道工艺沉积金属层后与晶圆直接接触造成短路的风险，从而可以提高良品率和产能。

公开(公告)号：CN104752158A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310746215.3

申请日：2013-12-30

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种硅深刻蚀方法，包括以下步骤：采用各向同性刻蚀硅片，控制硅槽的顶部开口为预设的刻蚀形貌；通过聚合物沉积，在硅槽的内壁形成聚合物保护层；采用各向异性刻蚀硅槽的底部的聚合物保护层，将硅槽的底部的聚合物保护层刻蚀干净；采用各向异性刻蚀硅槽的底部，直至硅槽的深度为所需深度。其通过增加聚合物沉积，在硅槽的内壁形成聚合物保护层的工艺，在对硅槽的底部的聚合物保护层进行刻蚀过程中，有选择的保护了硅槽的顶部开口形貌，最终在对硅片刻蚀后，获得了圆滑的顶部，陡直的侧壁，以及顶部和底部光滑的硅槽形貌，有效地解决了现有的硅深刻蚀工艺无法得到更为圆滑的硅槽的顶部开口形貌的问题。

公开(公告)号：CN104425240A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310399619.X

申请日：2013-09-05

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: H01L21/311 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00063 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：掩膜制作步骤，在基片的层间介质表面上形成具有预定图形的掩膜；加热预处理步骤，加热基片，以使掩膜的沟槽侧壁倾斜；基片刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在层间介质上刻蚀沟槽，从而将掩膜的图形复制到层间介质上。本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在获得理想的沟槽侧壁的倾斜角度的前提下，提高刻蚀速率，从而可以提高工艺效率。

公开(公告)号：CN105336671A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410336706.5

申请日：2014-07-15

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 周娜 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法，包括如下步骤：沉积金属铝在晶圆表面和深孔侧壁的电隔离层上；进行深孔底部电隔离层的干法刻蚀，包括如下两步：氧化步骤，进行金属铝氧化反应形成三氧化二铝；刻蚀步骤，采用工艺气体进行刻蚀；重复氧化步骤和刻蚀步骤，直至完全去除深孔底部的电隔离层；去除晶圆表面的电隔离层上剩余的三氧化二铝和铝。本发明的硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法，方法设计简单合理，采用简单的薄膜沉积，氧化和刻蚀技术，获得很高的电隔离层/掩膜刻蚀选择比。

公开(公告)号：CN104370268A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310359176.1

申请日：2013-08-16

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00103

Abstract: 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：顶部圆角刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片的位于掩膜与基片交界处刻蚀形成侧壁顶部具有圆角的沟槽；基片刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，或者仅关闭偏压电源，以使沟槽达到预定深度；其中，刻蚀气体为碳氟类或碳氢氟类气体中的至少一种气体、氧气以及不含碳和氢的氟类气体的混合气体。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以获得顶部具有圆滑圆角的、倾斜的侧壁形貌，而且可以提高刻蚀深度和刻蚀速率。