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公开(公告)号:CN107324388A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201710598446.2
申请日:2017-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
CPC classification number: C01G39/00 , B01J3/06 , B01J2203/0605 , B01J2203/063 , B01J2203/0645 , C01P2002/72 , C01P2004/61
Abstract: 一种具有ABO3结构的钠钼/钨青铜的高压合成方法,其特征在于该方法依次包括以下步骤:(1)将无水Na2MO4,硼或碳化硼,氧化硼三种原料按比例研磨混合均匀,并压制成成型样品,其中M为Mo或者W,采用原料硼时的比例是摩尔比3:1:1,采用原料碳化硼时的比例是摩尔比12:1:4;(2)将成型样品装入高压装置中进行加压加热,加压至1.0-5.0 GPa、加温至400-1200°C后,保温保压5-120分钟,使Na2MO4与硼或碳化硼,以及氧化硼充分发生复分解反应,然后冷却至室温并卸压,取出反应后的样品;(3)将反应后的样品研磨成粉末,用水“洗涤-离心分离”循环3-5次,以去除残余反应物以及反应生成的其他溶于水的杂质,并得到产物;(4)将产物置于干燥箱中干燥后,即获得ABO3结构钠钼/钨青铜粉末。
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公开(公告)号:CN106378060A
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201611089430.0
申请日:2016-11-30
Applicant: 广东联捷生物科技有限公司
CPC classification number: B01J3/04 , B01F5/102 , B01F13/065 , B01F15/0226 , B01F15/0261 , B01F15/066 , B01F2015/062 , B01J3/06 , B01J4/008 , B01J2204/002 , B01J2219/00051 , B01J2219/00162 , B01J2219/00245
Abstract: 一种高温高压全自动化学反应系统,包括闭合的循环主回路,循环主回路上设有:高压液相循环泵,用于驱动循环主回路中的反应混合物循环流动;检测器,用于监测循环主回路中的化学反应进程;压力调节器,用于调节循环主回路中的压力;切换阀,连接在循环主回路中,用于物料的输入与输出;排气阀,连接到循环主回路上,用于气体排放;试剂引入装置,用于提供反应试剂,试剂引入装置包括反应混合机构,反应混合机构通过切换阀连接在循环主回路中;产品收集装置通过切换阀连接于循环主回路中,并位于高压液相循环泵的输入口与反应混合机构的输出口之间。本发明所述反应装置,反应系统可控性高;可以直接放大,加快开发进程并节省研发成本。
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公开(公告)号:CN106268521A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610745001.8
申请日:2016-08-29
Applicant: 河南飞孟金刚石工业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够提高多晶金刚石产量的合成工艺,包括以下步骤:将装有触媒和原料的合成块组装好;将合成块在金刚石合成设备上进行压制合成,送温压力设定为70MPa,将压力升至78MPa,保压4分钟;然后开始分段进行升压,分段升压压力间隔为2MPa,分段保压时间为4秒,分段升压分5个阶段;最后在5秒时间内将压力升至95MPa,加热停止,冷却8分钟后开始进行卸压。本发明的有益效果为:使用梯度式加压的合成工艺,单产比平稳式一次压力的合成工艺高出8-10克拉以上,产品质量不受影响,产能效益增加。
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公开(公告)号:CN106215808A
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201610683882.5
申请日:2016-08-18
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明公开了一种人工合成首饰用无色钻石的合成块及其合成方法,其合成块包括叶蜡石空块和设置于其中心的多层渗透结构的芯柱,该芯柱包括由叶蜡石空块第一端到第二端依次层叠设置的白云石片、碳源、触媒片、Cu箔和触媒片复合层和晶床。其合成工艺方法,通过对触媒片成分、碳源纯度和CU箔厚度和控制,使碳原子热分子运动、触媒片的熔融和CU箔与氮原子反应间相互达到协同配合,恰到好处地使三者共同作用,实现碳原子与金刚石籽晶接触,在籽晶表面无间隙成核、长大,避免包裹体或内部杂质的产生,提高钻石纯净度和硬度等级,本发明产品粒度、颜色和纯净度保障,成品率高,实用性强,有效实现了纯净度无色优质首饰用金刚石的规模化生产,值得广泛推广应用。
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公开(公告)号:CN105327654A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201510694340.3
申请日:2015-10-23
Applicant: 重庆天宇弘锋新材料科技有限责任公司
IPC: B01J3/06
CPC classification number: B01J3/06 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655 , B01J2203/068
Abstract: 一种生命钻石的制备工艺,按如下步骤进行:在真空、还原性气氛或惰性气氛中,对人体或动物毛发进行高温处理,从中提取出固态碳;浸入强酸及强碱中,去除杂质,进行提纯处理;然后和金属触媒或非金属触媒或无触媒条件下,在高温高压下生成金刚石细粉或颗粒;将生成的金刚石细粉或颗粒为原料,应用晶种法,在高温高压下生长宝石级大颗粒金刚石单晶;将该宝石级金刚石单晶切割加工为生命钻石。本发明利用提纯后的固态碳直接生成金刚石粉,然后以金刚石粉作碳源,生长金刚石单晶。该方法省略了石墨化过程,有利于生产过程中降低成本。
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公开(公告)号:CN104854024A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201380064997.0
申请日:2013-12-10
Applicant: 六号元素磨料股份有限公司 , 六号元素有限公司
CPC classification number: C30B9/00 , B01J3/06 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B24D3/02 , B24D18/0009 , C01B32/25 , C01P2004/61 , C09K3/1409 , C30B29/04
Abstract: 提供尺寸为至多约100微米的良好成形的金刚石晶粒的方法。该方法包括提供合成组件,其包含碳材料来源、在其上金刚石材料能结晶的多个籽晶晶粒和用于促进金刚石晶粒结晶的溶剂-催化剂材料,并且使该合成组件经受用于生长金刚石晶粒的条件。维持该合成条件足够长以将碳材料的至少约一半转化为金刚石晶粒。
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公开(公告)号:CN101479862B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200780023564.5
申请日:2007-06-26
Applicant: 戴蒙得创新股份有限公司
Inventor: A-S·马利克
Abstract: 一种提高半导体的赛贝克系数的方法涉及建立包含在传压介质中的半导体的反应室,将所述反应室暴露于提高的压力和提高的温度下足够长的时间,以提高所述半导体的赛贝克系数;以及回收具有提高的赛贝克系数的所述半导体。
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公开(公告)号:CN1210445C
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN01812719.3
申请日:2001-06-14
Applicant: 六号元素(控股)公司
CPC classification number: C30B25/105 , A44C17/00 , B01J3/06 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/04 , Y10T428/263 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供厚度大于2mm的高质量单晶CVD金刚石层。本发明还提供所述CVD金刚石层的生产方法。该方法包括在含小于300ppb氮的气氛中,在低缺陷密度基材上,发生金刚石层的均相外延生长。可由该层状物制造宝石。
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公开(公告)号:CN1127653C
公开(公告)日:2003-11-12
申请号:CN00812047.1
申请日:2000-09-20
Applicant: S·C·流体公司
CPC classification number: H01L21/67126 , B01J3/008 , B01J3/06 , H01L21/67034 , H01L21/67757 , Y10S134/902
Abstract: 一种在第二超临界操作流体环境中制备及干燥晶片(15),包括微观电子机械系统(MEMS)结构的方法和装置。装置使用与操练机操作流体供应和回收系统连接的倒置压力容器(11),带有与外部加热和冷却源连接的内部热交换器(9),压力容器用可垂直移动的基板(10)关闭。构建用来支持多个晶片(13)的晶片盒(14)浸没在盛装容器(12)的第一操作流体中,其安装在基板(10)上,用来向上插入到压力容器(11)中。压力容器(11)入口管(2)和出口管(5)从压力容器(11)的顶垂直向下延伸到接近基板(10)。盛装容器(12)入口管(1)和出口管(4)从压力容器(11)的顶垂直向下延伸到盛装容器(12)内并接近盛装容器(12)的底。
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公开(公告)号:CN1441859A
公开(公告)日:2003-09-10
申请号:CN01812719.3
申请日:2001-06-14
Applicant: 六号元素(控股)公司
CPC classification number: C30B25/105 , A44C17/00 , B01J3/06 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/04 , Y10T428/263 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供厚度大于2mm的高质量单晶CVD金刚石层。本发明还提供所述CVD金刚石层的生产方法。该方法包括在含小于300ppb氮的气氛中,在低缺陷密度基材上,发生金刚石层的均相外延生长。可由该层状物制造宝石。
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