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公开(公告)号：CN119571253A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411827332.7
申请日：2024-12-12
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明公开了金刚石窗片三维精控区域表面粗糙化的处理方法：S1、将单晶金刚石材料切割并抛光成光学级单晶金刚石窗片；S2、对光学级单晶金刚石窗片进行清洗；S3、对光学级单晶金刚石窗片中心非金属区域进行防护；S4、在光学级单晶金刚石窗片外环三维精控区域覆盖薄膜，去除非金属区域的光刻胶，随后将镀有金属薄膜的窗片放置在气氛炉中进行高温刻蚀，最后去除表面残留的金属或金属氧化物，完成对三维精控区域的粗糙化处理；5、对外环三维精控区域进行金属化处理，完成金属镀层的覆盖。本发明提供的金刚石窗片三维精控区域表面粗糙化方法，解决了金刚石材料与异质材料之间浸润性差的问题。
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公开(公告)号：CN119263833A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411274249.1
申请日：2024-09-12
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种利用人造金刚石尾废石墨重复合成人造金刚石的方法：将金刚石提纯后剩余的石墨碳泥进行酸洗纯化，加入有机药剂，置于85‑95℃反应釜中搅拌，采用甲烷气体置换反应釜内残余空气，残留氧浓度控制在0.1%以下，控制反应压力在0.6±0.05MPa，达到反应条件后保持6‑9小时后，先卸压至常压，再降温，过滤，得到石墨滤泥；在氮气保护下烘干，后关闭氮气在氯气保护下焙烧除杂。按照常规生产人造金刚石的配方加入合金触媒，并加入还原性金属粉，进行压制、烧结合成，即得。本发明所述的人造金刚石尾废石墨通过特殊处理去除尾废石墨中杂质，并修复合成过程造成石墨结构中的微观结构，同时对合成芯柱配方进行调整，确保能够生产出满足质量要求的人造金刚石。
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公开(公告)号：CN118899204A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410845661.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 用于微波电真空器件的金刚石窗口制备方法，其特征在于，具体按以下步骤实施：对金刚石单晶片进行清洗；对金刚石单晶片的波导区进行物理遮挡；对金刚石单晶片封焊区域进行化学气相刻蚀，对金刚石单晶片进行粗化、活化；预制键合金属框架层；键合金属框架层组装在刻蚀片封焊区的两面，并进行高温键合处理；最后进行封装处理。金刚石窗口包括键合金属框架层，键合金属框架层由键合接触层、骨架支撑层和封装结合层组成，其中键合接触层与骨架支撑层的厚度比为1:(2‑4)，键合接触层与封装结合层的厚度比为1:(5‑10)，通过该方法获得的可以满足大功率微波电真空条件下使用的窗口，其微波性能、真空漏率等技术指标性能优异。
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公开(公告)号：CN109082558B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810979723.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: C22C1/10 , C01B32/205
Abstract: 本发明提供了一种框架结构石墨金属复合材料及其制备方法。利用软模板法，通过溶剂挥发诱导自组装，经过热处理，得到三维有序介孔的框架结构碳材料；再将金属硝酸盐溶液渗透到框架结构碳材料的孔道中，经加热分解、水洗除杂、H2还原得到含有金属触媒原子的框架结构碳材料；之后石墨化处理并快速冷却，即得到框架结构石墨金属复合材料。本发明的框架结构石墨金属复合材料孔道粗糙比表面积大，金属原子与石墨在纳米层级接触，便于扩散，加快熔融共渗；孔道内附着有球状石墨，缩短石墨再结晶时间，提高生长速度，进而缩短熔融共渗时间。本发明既能缩短工艺时间提高合成效率，又能提高金属触媒催化性能和石墨利用率，节约超硬材料合成成本。
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公开(公告)号：CN109082558A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810979723.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: C22C1/10 , C01B32/205
Abstract: 本发明提供了一种框架结构石墨金属复合材料及其制备方法。利用软模板法，通过溶剂挥发诱导自组装，经过热处理，得到三维有序介孔的框架结构碳材料；再将金属硝酸盐溶液渗透到框架结构碳材料的孔道中，经加热分解、水洗除杂、H2还原得到含有金属触媒原子的框架结构碳材料；之后石墨化处理并快速冷却，即得到框架结构石墨金属复合材料。本发明的框架结构石墨金属复合材料孔道粗糙比表面积大，金属原子与石墨在纳米层级接触，便于扩散，加快熔融共渗；孔道内附着有球状石墨，缩短石墨再结晶时间，提高生长速度，进而缩短熔融共渗时间。本发明既能缩短工艺时间提高合成效率，又能提高金属触媒催化性能和石墨利用率，节约超硬材料合成成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115041100A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210868146.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种多层渗透式结构大颗粒单晶培育钻石合成块及其制备工艺，通过设置包括柱状中空的叶腊石块，且叶腊石块的两端部沿径向由外至内依次分布有叶腊石环和白云石环，而白云石环心部还装有导电钢圈，采用多层渗透式结构合成块，替代传统的片状结构，优化改善了高温高压大颗粒单晶合成生长后期表层净度差的问题，实现大颗粒单晶培育钻石生长速度可控制备，且单晶晶型为完整标准的八面体｛111｝与立方体｛100｝的聚形，内部净度可达vs级以上，颜色可达优白级，能够稳定合成，完全满足工业化投产条件。
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公开(公告)号：CN113856557A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111192389.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明属于人工培育金刚石加工制造技术领域，具体涉及一种人工培育金刚石用组装块。该组装块由内至外可分为四层结构；以组装块中心盛有原料柱的氧化镁层作为核心第一层；第二层由：在氧化镁层的上部和下部所设计的保温层，和在纵向方向对立设计的石墨管组成；第三层由：在纵向方向石墨管外部设计所设计NaCl管，和横向方向所设计的石墨片组成；同时，纵向NaCl管外部设有外衬层；第四层为最外层的叶蜡石合成块。本申请利用温度梯度法优点，通过提供源源不断的动力保证以及碳源提供，来克服静压熔媒粉末合成法生长后期的动力及碳源提供不足缺陷，同时通过对保温结构设计改进来克服现有温度梯度法的缺陷。
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公开(公告)号：CN113797852A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111219844.1
申请日：2021-10-20
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明属于超硬材料制造工艺技术领域，具体涉及一种恒温法合成无色金刚石的工艺。本发明针对现有技术中温差法合成金刚石存在工艺条件不易实现，产品产量低的问题，通过对合成原料进行调整，并将粉体除氮剂直接均匀混入石墨触媒粉中，并均匀混入种晶压制成芯柱，制备得到无色金刚石，以使合成出来的无色金刚石质量稳定，产出量高。本发明为了弥补合成腔体径向温度场不均衡的问题，通过增加复合加热结构来改善温度场温差过大的问题，最终，本发明所采用的无色金刚石在生长过程中能够保证双面受热，温差减小，腔体内适宜生长区域更大。
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公开(公告)号：CN112064120A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010810387.2
申请日：2020-08-13
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：由触媒与高纯石墨按照质量比（60~70）:（30~40）高温高压合成，所述触媒由Fe粉、Ni粉、Cu粉、Co粉、Ce粉和金刚石粉组成，采用通用工艺制备成合成芯柱。高温高压合成时，合成时间40‑50小时，得到3mm‑5mm的大尺寸典型（100）面籽晶。所述方法合成出的籽晶在高精度抛磨机上对其（100面）进行精密的抛磨加工，提高籽晶（100）晶面的表面光洁度，减少晶面缺陷，同时保证（100）晶面的偏离角小于5°，作为预置籽晶用以合成培育金刚石用。
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公开(公告)号：CN112047337A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010958085.X
申请日：2020-09-14
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: C01B32/26
Abstract: 本发明属于超硬材料生产原辅料技术领域，具体涉及一种用于合成IIb型蓝色钻石的碳源及其制备方法。本发明通过在碳源配方中添加含硼化合物，达到引入硼元素的目的，并对碳源配方进行优化，从而保证生产的IIb型蓝色钻石的颜色和质量稳定性，所述工艺真空还原处理过程中采用多次烧结，不同控制参数的工艺方法，极大的降低了碳源中杂质元素的含量，提升了碳源的纯度，有效避免了高纯硼粉因氧化带来的质量分数配比波动，有利于IIb型蓝色钻石的生长，为首饰级IIb型蓝色钻石的制备提供了原料基础。
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