公开(公告)号：CN111747730A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010218573.7

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大庭悠辅 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/057 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000、0.375≤x≤0.563、0.250≤y≤0.500、x/3≤z≤(x/3)+1/9的关系，电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(110)面的衍射峰的半峰全宽为0.40°以上。由此，能够提供即使是薄膜，绝缘破坏电压也较高的电介质膜。

公开(公告)号：CN111747729A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010217663.4

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。

公开(公告)号：CN105541299A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510684123.6

申请日：2015-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平 ,  小笠原典子

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小，即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO-yB’O-zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9。

公开(公告)号：CN110382441B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201880014961.4

申请日：2018-02-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井祥平 ,  政冈雷太郎 ,  中村真生子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/488 ,  C01G25/02 ,  C04B35/057 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)‑ZrO2所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。

公开(公告)号：CN110382441A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880014961.4

申请日：2018-02-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井祥平 ,  政冈雷太郎 ,  中村真生子

IPC: C04B35/488 ,  C01G25/02 ,  C04B35/057 ,  C23C14/08 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)-ZrO2所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。

公开(公告)号：CN107221430B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201710169473.8

申请日：2017-03-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内山弘基 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。

公开(公告)号：CN107221429B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201710169275.1

申请日：2017-03-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1。

公开(公告)号：CN106298237B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610497982.9

申请日：2016-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: C04B35/495 ,  C01F5/00 ,  C01F11/00 ,  C01G15/006 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件，该介电组合物即使是在小型化了的情况下也能够相对介电常数高、介电损耗低、即Q值高、进一步耐受电压高。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO‑yBO‑zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为：x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375。

公开(公告)号：CN106297957B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610498509.2

申请日：2016-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/01 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01B3/10 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/08 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件，该介电组合物即使是在小型化了的情况下也能够相对介电常数高、介电损耗小、Q值高、进一步静电容量的温度变化率小。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO‑yBO‑zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为：x+y+z＝1.000；0.198≤x≤0.375；0.389≤y≤0.625；x/3≤z≤x/3+1/9。

公开(公告)号：CN111747729B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202010217663.4

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。