-
公开(公告)号:CN105322261A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510398288.7
申请日:2015-07-08
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种传输线路和具有使用该传输线路的谐振器的电子部件,能够传播在1GHz~10GHz范围内的1个以上频率的电磁波,并且获得较高的无负载Q值。该传输线路的特征在于,包括:线路部,其由具有第一相对介电常数的第一电介质构成;和周围电介质部,其由具有第二相对介电常数的第二电介质构成,上述第一电介质由通式{XBaO·(1-X)SrO}TiO2表示,其中,0.25<X≤0.55,上述第二相对介电常数比上述第一相对介电常数小。
-
公开(公告)号:CN100449662C
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200410001482.9
申请日:2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法,该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00,所述组成通式中y满足0≤y≤0.20,其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m’·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’<m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性。
-
公开(公告)号:CN1152842C
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN01117885.X
申请日:2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法,该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00,所述组成通式中y满足0≤y≤0.20,其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m,·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’<m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性。
-
公开(公告)号:CN113443905A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110313873.8
申请日:2021-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/20 , C04B35/622
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种Q值、共振频率的温度特性及强度全部良好的电介质陶瓷组合物。作为主成分,包含镁橄榄石及钛酸锶钙。主成分中的镁橄榄石的含有比例为84.0摩尔份以上且92.5摩尔份以下,钛酸锶钙的含有比例为7.5摩尔份以上且16.0摩尔份以下。钛酸锶钙中的(Sr+Ca)/Ti以摩尔比计为1.03~1.20。该电介质陶瓷组合物是相对于主成分和除含Li玻璃以外的副成分的合计100质量份,添加2质量份以上且10质量份以下的含Li玻璃而得到的。含Li玻璃是Al2O3的含量为1质量%以上且10质量%以下的玻璃。
-
公开(公告)号:CN1606109A
公开(公告)日:2005-04-13
申请号:CN200410086126.1
申请日:2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , H01G4/1227 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成,其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分,在主要组分表达式中:0.94<m<1.02,0≤x≤1.00,和0≤y≤0.20,以及基于100摩尔的主要组分,以R计,第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分<2摩尔。这种介电陶瓷组合物,在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性,并改善绝缘电阻的加速寿命。
-
公开(公告)号:CN1179912C
公开(公告)日:2004-12-15
申请号:CN01117382.3
申请日:2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , H01G4/1227 , Y10T428/24926
Abstract: 一种介电陶瓷组合物,其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分,在主要组分表达式中:0.94<m<1.02,0≤x≤1.00,和0≤y≤0.20,以及基于100摩尔的主要组分,以R计,第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分<2摩尔。这种介电陶瓷组合物,在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性,并改善绝缘电阻的加速寿命。
-
公开(公告)号:CN113443905B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202110313873.8
申请日:2021-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , C04B35/20 , C04B35/622
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种Q值、共振频率的温度特性及强度全部良好的电介质陶瓷组合物。作为主成分,包含镁橄榄石及钛酸锶钙。主成分中的镁橄榄石的含有比例为84.0摩尔份以上且92.5摩尔份以下,钛酸锶钙的含有比例为7.5摩尔份以上且16.0摩尔份以下。钛酸锶钙中的(Sr+Ca)/Ti以摩尔比计为1.03~1.20。该电介质陶瓷组合物是相对于主成分和除含Li玻璃以外的副成分的合计100质量份,添加2质量份以上且10质量份以下的含Li玻璃而得到的。含Li玻璃是Al2O3的含量为1质量%以上且10质量%以下的玻璃。
-
公开(公告)号:CN109553406A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811124942.5
申请日:2018-09-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/20 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种可低温烧结,并且能够与Ag同时烧成,且烧结后的Q值及耐湿性优异的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物中,作为主成分含有Mg2SiO4,作为副成分含有含R化合物、含Cu化合物、含B化合物及含Li玻璃。R是碱土金属。相对于主成分100质量份,含有以氧化物换算为0.2质量份以上且4.0质量份以下的含R化合物;以氧化物换算为0.5质量份以上且3.0质量份以下的含Cu化合物;以氧化物换算为0.2质量份以上且3.0质量份以下的含B化合物。相对于主成分和除含Li玻璃以外的副成分的合计100质量份,含有2质量份以上且10质量份以下的含Li玻璃。
-
公开(公告)号:CN100550235C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200610079378.0
申请日:2006-03-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/79 , H01G4/30 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中,烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体,然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10-39Pa且小于6.7×10-24Pa的强还原性气氛中,大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10-Pa小于4.1×10-3Pa的气氛中,大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。
-
公开(公告)号:CN1841597A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610079378.0
申请日:2006-03-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/79 , H01G4/30 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中,烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体,然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10-39Pa且小于6.7×10-24Pa的强还原性气氛中,大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10-7Pa小于4.1×10-3Pa的气氛中,大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-