公开(公告)号：CN100550235C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610079378.0

申请日：2006-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  上田要 ,  金慎太郎 ,  佐藤新 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49126

Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中，烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体，然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10-39Pa且小于6.7×10-24Pa的强还原性气氛中，大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10-Pa小于4.1×10-3Pa的气氛中，大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。

公开(公告)号：CN1841597A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610079378.0

申请日：2006-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  上田要 ,  金慎太郎 ,  佐藤新 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49126

Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中，烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体，然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10－39Pa且小于6.7×10－24Pa的强还原性气氛中，大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10－7Pa小于4.1×10－3Pa的气氛中，大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。